12.2 Система обозначений транзисторов

В основу системы обозначений транзисторов, также как и полупроводниковых диодов положен буквенно-цифровой код.

Первый элемент (цифра или буква) обозначают исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор:

Г (или 1) - германий и его соединения;

К (или 2) – кремний и его соединения;

А (или 3) – соединения галлия;

И (или 4) – соединения индия.

Второй элемент (буква) определяет подкласс или группу транзисторов:

К – биполярные транзисторы;

П – полевые транзисторы.

Третий элемент (цифра) определяет основные функциональные возможности транзистора:

1 – низкочастотные транзисторы малой мощности ( не более 0,3 Вт) ;

2 - среднечастотные транзисторы малой мощности;

3 – высокочастотные транзисторы малой мощности;

4 – низкочастотные средней мощности (0,3…1,5 Вт);

5 – среднечастотные средней мощности;

6 – высокочастотные средней мощности;

7- низкочастотные транзисторы большой мощности (более 1,5 Вт);

8 – среднечастотные большой мощности;

9 – высокочастотные большой мощности.

Четвертый элемент – (число) обозначает порядковый разработки технологического типа транзистора: или двухзначные числа от 01 до 99 или трехзначные от 101 до 999.

Пятый элемент (буква) условно определяет классификацию (литеру) по параметрам транзисторов, изготовленных по единой технологии. В качестве классификационной литеры применяются буквы русского алфавита, за исключением букв З, О, Ч, Ы, Ш, Щ, Ю, Ь, Ъ, Э.

Стандарт обозначений предусматривает также введение дополнительных элементов для обозначения модернизаций транзистора, приводящих к изменению его конструктивных или электрических параметров.

Пример: КЕ937А-2 – кремниевый биполярный транзистор, высокочастотный, большой мощности, номер разработки 37, группа А, бескорпусный, с гибкими выводами на кристаллодержателе.

Биполярные транзисторы, разработанные до 1964 г . и выпускаемые в настоящее время, имеют систему обозначения, состоящую из двух или трех элементов.

Первый элемент – буква П (или МП), характеризующая класс биполярных транзисторов. Второй элемент – двух- или трехзначное число, определяющее порядковый номер разработки и указывает на подкласс транзистора по роду исходного полупроводникового материала, значениям допустимой рассеиваемой мощности и граничной частоты:

101-199 – кремниевые маломощные низкочастотные;

201-299 – германиевые мощные низкочастотные;

301-399 – кремниевые мощные низкочастотные;

401-499 – германиевые высокочастотные и СВЧ маломощные;

501-599 – кремниевые высокочастотные и СВЧ маломощные;

601-699 – германиевые высокочастотные и СВЧ мощные;

701-799 – кремниевые высокочастотные и СВЧ мощные транзисторы.

Третий добавочный элемент (буква) условно определяет классификацию по параметрам транзисторов, изготовленных по единой технологии.