Список литературы

1. Cho A.Y., Arthur J.R. Molecular beam epitaxy//in Progress in solid state chemisty/Ed. by G. Somorjaj, J. McCaldin. Pergamon, 1975. V. 10. P. 157-190.

2. Foxon C.T. Molecular beam epitaxy//Acta Electronica. 1978. V. 21. P. 139-150.

3. Guenther K.G.//Z.Naturforsch. 1958. V. 13a. P. 1081.

4. Frank F.C., van der Merwe J.H.//Proc. Soc. London, Ser. A 198. 1949. P. 205.

5. Folmer M. Nuclei formation in supersaturated states/M. Folmer, A. Weber//Zeitschzift fur Physikalishe Chemie. 1926. V. 119. P. 227-301.

6. Stranski I.N., Krastanov L. Theory of orientation separation in Ionic Crystals//Sitzber. Acad. Wiss. Wien, Math-Natur W. 1938. V. 146. P. 797-810.

7. Matthews J.W., Blakeslee A.E.//J. of Crystal Growth. 1974. V. 27. P. 118-125.

8. People R., Bean J.C.//Appl. Phys. Lett. 1985. V. 47. P. 322-324.

9. Майссел Л., Глэнг Р. Технология тонких пленок. М.: Советское радио, 1977.

10. Foxon C.T.//Acta Electronica. 1978. V. 21. P. 139-150.

11. Крегер Ф. Химия несовершенных кристаллов. М., 1987. 651 с.

12. Копьев П.С., Леденцов Н.Н.//ФТП. 1988. Т. 22. С. 1729-1742.

13. Foxon C.T.//Acta Electronica. 1978. V. 21. P. 139-150.

14. Heckingbottom R., Davies G.J., Prior K.A.//Surf. Sci. 1983. V. 132. P. 375-389.

15. Ivanov S.V., Boudza A.A., Kutt R.N., Ledentsov N.N., Meltser B. Ya., Shaposhnikov S.V., Ruvimov S.S., Kop'ev P.S.//J. Cryst. Growth. 1995. V. 156. P. 191-205.

16. Ivanov S., Kop'ev P. Type-II (AlGa)Sb/InAs Quantum well structures and superlattices for opto- and microelectronics grown by molecular beam epitaxy. Chapter 4. In «Antimonide-related strained-layer heterostructures»/Ed. by M.O. Manasreh//Ser. «Optoelectronic properties of semiconductors and superlattices». V. 3. Gordon & Breach Science Publishers, 1997. P. 95-170.

17. Неклюдов П.В., Иванов С.В., Мельцер Б.Я., Копьев П.С.//ФТП. 1997. Т. 31. С. 1242-1245.

18. Ivanov S., Kop'ev P., Ledentsov N.N.//J. Cryst. Growth. 1990. V. 104. P. 345-354.

19. Ivanov S., Kop'ev P., Ledentsov N.N.//J. Cryst. Growth. 1991. V. 184. P. 661-669.

20. Ivanov S., Kop'ev P., Ledentsov N.N.//J. Cryst. Growth. 1991. V. 111. P. 151-161.

21. Vurgaftman I., Meyer J.R., Ram-Mohan L.R.//J. Appl. Phys. 2001. 89(11). P. 5815.

22. Ivanov S.V., Sorokin S.V., Kop'ev P.S., Kim J.R., Jung H.D., Park H.S.//J.Crystal Growth. 1996. V. 159. P. 16-20.

23. Сорокин В.С., Сорокин С.В., Кайгородов В.А. Материалы электронной техники. 2000. Вып. 4. С. 50-54.

24. Семенов А.Н., Соловьев В.А., Мельцер Б.Я., Сорокин В.С., Иванов С.В.//ФТП. 2004. Т. 38, № 3. С. 278-284.

25. Almuneau G., Hall E., Mathis S., Coldren L.A.//J. Crystal Growth. 2000. V. 208. P. 113-116.

26. Chiu T.H., Tsang W.T., Cunningham J.E., Robertson A.Jr.//J. Appl. Phys. 1987, V. 62. P. 2302-2307.

27. Evans K.R., Stutz C.E., Yu P.W., Wie C.R.//J. Vac. Sci. Technol. B. 1990. V. 8. P. 271-275.

28. Egorov A. Yu., Zhukov A.E., Kop'ev P.S., Ledentsov N.N., Maksimov M.V., Ustinov V.M.//Semiconductors. 1994. V.28. P. 363.

29. Horikoshi Y.//J. of Crystal Growth. 1999. V. 201/202. P. 150-158.

30. Кузнецов В.В., Москвин П.П., Сорокин В.С. Неравновесные явления при жидкостной гетероэпитаксии полупроводниковых твердых растворов. М.: Металлургия, 1991.

31. Jordan A.S., Ilegems M.//J. Phys. Chem. Solids. 1975. V. 36. P. 329-342.

32. Stringfellow G.B.//J. of Crystal Growth. 1974. V. 27. P. 21-34.

33. Sorokin V.S., Sorokin S.V., Semenow A.N., Meltser B.Ya., Ivanov S.V.//J. Crystal Growth. 2000. V. 216. P. 97-103.

34. Semenov A.N., Solov'ev V.A., Meltser B.Ya., Lyublinskaya O.G., Prokopova L.A., Ivanov S.V.//J. Crystal Growth. 2005. V. 278. P. 203-208.