- •Ектричне поле
- •Яка частинка має найменший негативний заряд? Найменший позитивний заряд?
- •У якому випадку атом перетворюється на позитивний іон? негативний іон?
- •Чому під час тертя ебонітової палички об вовну електризуються обидва тіла?
- •Напруженість електричного поля двох різнойменно заряджених паралельних пластин пластин.
- •Графічне зображення електричного поля двох різнойменно заряджених паралельних пластин.
- •Г рафічне зображення електричного поля точкового заряду або зарядженої сфери
- •Г рафічне зображення електричного поля двох точкових зарядів.
- •Коефіцієнт пропорційності в законі Кулона
- •Електрична стала.
- •Властивості електричного поля.
- •Одиниці напруженості електричного поля.
- •Напруженість електричного поля рівномірно зарядженої нескінченної площини
- •Робота сил однорідного електричного поля з переміщення заряду в цьому полі.
- •Потенціальна енергія точкового заряду в електричному полі
- •Потенціальна енергія взаємодії двох точкових зарядів
- •Потенціал поля точкового заряду
- •Співвідношення між напруженістю електричного поля і різницею потенціалів :
- •Електричний струм
- •Одиниці вимірювання ерс
- •Фундаментальні положення квантової теорії провідності металів
- •Сила струму у провіднику згідно з класичною теорією електронної провідності металів
- •Чому говорять, що швидкість поширення електричного струму в провіднику і швидкість впорядкованого руху (дрейфу) електронів це не одне й те саме?
- •Властивості надпровідників
- •Способи отримання вільних носіїв заряду для створення струму в вакуумі:
- •Властивості електронних пучків
- •Використання струму в вакуумі
- •Властивості напівпровідників:
- •Власна провідність напівпровідників.
- •В ольт-амперна характеристика напівпровідникового діоду.
- •Переваги напівпровідникових приладів:
- •Стала Фарадея
- •Залежність опору електроліту від температури.
- •Використання електролізу
- •В ольт- амперна характеристика газового розряду: і
- •Електромагнітне поле
- •Властивості магнітного поля:
- •Сила взаємодії двох паралельних прямолінійних провідників зі струмом.
- •Магнітна стала:
- •Правило свердлика для визначення напрямку вектора
- •Розрахунок модуля вектора магнітної індукції в центрі
- •Момент сил , що діють на рамку зі струмом в магнітному полі.
- •Рух зарядженої частинки в магнітному полі:
- •Частинка рухається під кутом до ліній магнітної індукції ( )
- •Використання сили Лоренца
- •Алгоритм визначення індукційного струму:
- •Ерс індукції в рухомих провідниках
- •Індуктивність котушки
- •Енергія магнітного поля котушки
- •Електромагнітні коливання
- •Фізичні величини, що характеризують електромагнітні коливання :
- •Як викликати коливання в коливальному контурі?
- •Енергія електромагнітних коливань:
- •Основні елементи автоколивальної системи
- •Амплітудне значення синусоїдальної ерс, що виникає в рамці
- •Потужність змінного струму
- •Ккд трансформатора
- •Передача електроенергії.
- •Електромагнітні хвилі
- •П оширення електромагнітних хвиль у просторі
- •Зв’язок між довжиною хвилі , швидкістю її поширення і частотою (періодом )
- •Швидкість поширення електромагнітних хвиль
- •Залежність векторів від часу в даній точці простору
- •Зв’язок між об’ємною густиною енергії електромагнітної хвилі і густиною потоку випромінювання
- •Властивості електромагнітних хвиль:
- •Зв’язок між відносним та абсолютними показниками заломлення
- •Принцип радіотелефонного зв’язку.
- •Використання радіолокації
- •Хвильова і квантова оптика
- •Класифікація джерел випромінювання
- •Умови інтерференційних максимумів і мінімумів при перпендикулярному падінні променів на плоско-паралельну пластинку.
- •О птична різниця ходу при падінні променів на плоско-паралельну пластинку під кутом .
- •Використання інтерференції
- •Оптична різниця ходу між хвилями від двох сусідніх щілин
- •Умови мінімуму і максимуму для дифракційної гратки
- •Висновки з дослідів Ньютона:
- •Використання поляризованого світла
- •Оптичні характеристики увігнутого та опуклого дзеркала
- •Промені, що використовують для побудови зображень у сферичних дзеркалах:
- •Формула для сферичних дзеркал
- •Зв’язок між відносним та абсолютними показниками заломлення
- •Оптичні характеристики лінзи
- •П ромені, що використовують для побудови зображень у лінзах:
- •Формула тонкої лінзи
- •О птична сила сферичної лінзи
- •Оптичні прилади
- •Пояснення тиску світла з точки зору хвильової і квантової теорій світла.
- •Розрахунок тиску світла
- •Закони фотоефекту.
- •Чи можна пояснити закони фотоефекту з точки зору електромагнітної теорії світла?
- •Рівняння Ейнштейна для фотоефекту (його пояснення).
- •Пояснення законів фотоефекту з точки зору квантової теорії світла.
- •Види фотоелементів
- •Приклади хімічної дії світла:
- •Атомна і ядерна фізика
- •Історія виникнення вчення про будову атома.
- •Висновки з дослідів Резерфорда.
- •Квантові постулати н. Бора:
- •Енергетичні стани атома гідрогену.
- •Види люмінесценції
- •Ч астота випромінювання спектральних ліній атома гідрогену
- •Властивості рентгенівського випромінювання:
- •Застосування рентгенівських променів:
- •Властивості лазерного випромінювання:
- •Використання лазерів:
- •Види радіоактивності
- •Види радіоактивного випромінювання
- •Закони збереження, що виконуються під час ядерних реакцій:
- •Види ядерних реакцій
- •Особливості поділу ізотопів урану.
- •Допустимі дози опромінення
- •Методи захисту від радіоактивного випромінювання
- •Етапи розвитку фізики елементарних частинок
- •Електромагнітне поле
- •Електромагнітні коливання
- •Електромагнітні хвилі
В ольт-амперна характеристика напівпровідникового діоду.
Напівпровідниковий діод – напівпровідниковий прилад, що складається з одного р-п- переходу і пропускає струм тільки в одному напрямку.
умовне позначення напівпровідникового діоду
Терморезистори – прилади дія яких грунтується на використанні залежності опору напівпровідника від температури.
Фоторезистори – прилади дія яких грунтується на використанні залежності опору напівпровідника від його освітленості.
Транзистор – напівпровідниковий прилад, що являє собою два р-п-переходи.
Транзистор має три зони з різним типом провідності: емітер, база, колектор. Використовується для підсилення електричного сигналу та в якості безінерційного ключа в генераторах високочастотних незатухаючих коливань.
к
б
- умовне позначення транзистора п-р-п-типу
е
к
б
- умовне позначення транзистора р-п-р-типу.
е
Інтегральна схема – мініатюрний мікроелектронний виріб, елементи якого нерозривно пов’язані конструктивно, технологічно та електрично.
Світлодіод – напівпровідниковий пристрій, що випромінює світло, коли через нього проходить електричний струм.
Переваги напівпровідникових приладів:
Компактні
Не потребують додаткових затрат енергії на нагрівання
Термін дії практично не обмежений
Недоліки напівпровідникових приладів: чутливі до перепадів напруг, підвищення температури та проникаючого випромінювання.
Електроліти – речовини, розчини і розплави яких проводять електричний струм.
Електролітична дисоціація – розпад молекул електролітів на позитивні і негативні іони під впливом полярних молекул розчинника (води).
Рекомбінація – відновлення молекул електроліту при зустрічі іонів протилежного знаку.
Вільні носії заряду в електролітах: позитивні і негативні іони.
Електроліз – виділення речовини на електродах при проходженні струму в електролітах. внаслідок окисно-відновних реакцій
Особливість струму в електролітах: проходження струму супроводжується виділенням речовини на електродах.
Перший закон Фарадея: маса речовини, що виділяється на електроді прямо пропорційна до електричного заряду, що пройшов через електроліт
Маса речовини, що виділяється на електроді прямо пропорційна до сили струму в
колі та часу проходження струму
Електрохімічний еквівалент – фізична величина, що показує яка маса речовини виділиться на електроді при проходженні заряду в 1Кл.
Другий закон Фарадея: електрохімічний еквівалент речовини k прямо пропорційний до молярної маси речовини М і обернено пропорційний до її валентності п
Стала Фарадея
Залежність опору електроліту від температури.
R
Із збільшенням температури опір
електроліту зменшується, внаслідок
зростання інтенсивності теплового руху,
що веде до збільшення розчинності і
відповідно збільшення концентрації
іонів
t
