- •Лабораторный практикум по Электрофизическим методам исследования диэлектриков
- •Введение
- •Тема 1. Приборы, используемые для проведения исследований электротехнических материалов
- •1.1. Мосты переменного тока
- •1.1.1. Мост переменного тока р577
- •1.1.2. Мост переменного тока р5026
- •1.1.3. Мост переменного тока р5058
- •1.1.4. Автоматические мосты переменного тока
- •1.2. Осциллографы
- •1.3. Генераторы
- •Тема 2. Проводимость полупроводников и металлов лабораторная работа № 2.1
- •2.1. Терморезисторы: термисторы и позисторы
- •Подготовка к работе
- •Измерения и обработка результатов
- •Отчетные материалы
- •Лабораторная работа № 2.2
- •2.2. Общие сведения о варисторах
- •Подготовка к работе
- •Измерения и обработка результатов
- •1. Подготовка к работе
- •2. Исследование вольтамперной характеристики варистора
- •7. Исследование зависимости сопротивления от температуры
- •Отчетные материалы
- •Лабораторная работа № 2.3
- •2.3. Определение типа носителей в полупроводниках
- •2.3.1. Метод термозонда
- •2.3.2. Метод Холла
- •2.3.3. Определение концентрация и подвижности носителей
- •Подготовка к работе
- •Измерения и обработка результатов
- •1. Определение типа носителей с помощью метода термозонда
- •1.1. Подготовка к работе
- •1.2. Определение типа носителей разных кристаллов
- •2. Исследования по методу Холла
- •2.1. Определение типа основных носителей в датчике Холла
- •2.3. Исследование вольтамперной характеристики датчика
- •2.4. Определение микропараметров кристалла датчика Холла
- •2.6. Определение зависимости эдс Холла от величины тока
- •2.9. Определение зависимости эдс Холла величины индукции в
- •Отчетные материалы
- •Тема 3. Поляризация диэлектриков Лабораторная работа № 3.1 "Исследование жидкокристаллических индикаторов"
- •3.1. Теоретические сведения о жк-индикаторах
- •Подготовка к работе
- •Измерения и обработка результатов
- •1. Подготовка к измерениям
- •2. Изучение жк-сегментов индикатора
- •4. Исследование зависимости емкости Сn(u)
- •5. Определение зависимости значений Uпор от частоты f
- •6. Определение частоты fкр в зависимости от напряжения
- •7. Определение зависимостей ε(f) и tgδ(f) материала
- •Отчетные материалы
- •Лабораторная работа № 3.2 "Активная сегнетокерамика"
- •3.2. Основные свойства сегнетоэлектриков
- •Подготовка к работе
- •Измерения и обработка материалов
- •1. Испытание 1.
- •2. Испытание 2
- •2.6. Анализ зависимости параметров диэлектрика от температуры
- •Отчетные материалы
- •Лабораторная работа № 3.3 "Исследование свойств радиочастотных кабелей"
- •3.3. Теоретические сведения о радиочастотных кабелях
- •3.3.1. Распространение электромагнитных волн по кабелю
- •3.3.2. Обозначение и строение радиочастотных кабелей
- •Подготовка к работе
- •Измерения и обработка результатов
- •Отчетные материалы
- •Тема 4. Диэлектрические потери Лабораторная работа № 4.1 "Исследование зависимости ε и tg диэлектрика от температуры и частоты"
- •4.1. Методы оценки диэлектрических потерь
- •4.1.1. Схемы замещения реального конденсатора
- •4.1.2. Расчет величины активных потерь в диэлектрике
- •4.1.3. Мост переменного тока р577
- •4.1.4. Зависимость tg от температуры и частоты
- •4.1.5. Зависимость от температуры и частоты
- •Подготовка к работе
- •Измерения и обработка материалов
- •Отчетные материалы
- •Тема 5. Пробой диэлектриков Лабораторная работа № 5.1
- •5.1. Общие сведения о пробое воздуха
- •5.1.1. Влияние различных факторов на пробой воздуха
- •5.1.2. Описание эксперимента
- •Подготовка к работе
- •Измерения и обработка результатов
- •Отчетные материалы
- •Тема 6. Тепловые свойства диэлектриков Лабораторная работа № 6.1 "Исследование тепловых свойств диэлектрических материалов"
- •6.1. Методы оценки тепловых потоков
- •6.1.1. Параметры теплового потока
- •6.1.2. Теплопроводность плоской стенки
- •6.1.3. Теплопроводность цилиндрической стенки
- •6.1.4. Влияние факторов на коэффициент теплопроводности
- •6.1.5. Понятие о нагревостойкости материалов
- •6.1.6. Методы измерения температуры и теплового потока
- •6.1.7. Описание установки
- •Подготовка к работе
- •Измерения и обработка результатов
- •Отчетные материалы
- •Тема 7. Радиокомпоненты Лабораторная работа № 7.4 "Анализ рядов сопротивлений и конденсаторов"
- •7.1. Номинальные параметры резисторов и конденсаторов
- •7.1.1. Ряды сопротивлений и конденсаторов
- •7.1.3. Экспериментальное построение гистограммы выборки
- •7.1.2. Гистограмма распределения элементов в серии
- •7.1.4. Резисторы и конденсаторы для поверхностного монтажа
- •Подготовка к работе
- •Измерения и обработка результатов
- •1. Подготовка к исследованиям
- •2. Исследование параметров резисторов
- •3. Исследование параметров конденсаторов
- •4. Анализ параметров резисторов и конденсаторов smd
- •Отчетные материалы
- •Тема 8. МаГнитные материалы Лабораторная работа № 8.1
- •8.1. Магнитные законы и материалы
- •8.1.1. Магнитные законы
- •8.1.2. Расчет магнитного поля с помощью закона полного тока
- •8.1.3. Общая характеристика магнитных материалов
- •8.1.4. Основные свойства ферромагнитных материалов
- •8.1.5. Магнитные цепи
- •8.1.6. Описание установки
- •Подготовка к работе
- •Измерения и обработка результатов
- •1. Исследование магнитных свойств соленоидов
- •Отчетные материалы
- •Лабораторная работа № 8.2
- •8.2. Общие сведения об экранировании магнитного поля
- •8.2.1. Электромагнитное экранирование
- •8.2.2. Количественная оценка эффекта экранирования
- •8.2.3 Описание лабораторной установки
- •Подготовка к работе
- •Измерения и обработка результатов
- •1. Подготовка к испытаниям
- •2. Определение зависимости индукции в(h) без экранов
- •3. Определение экспериментальной величины э при различных экранах
- •3.1. Исследование экрана из немагнитного полимерного материала
- •Экспериментальная таблица для каждого из экранов
- •3.7. Исследование экрана из немагнитного металлического материала
- •3.8. Исследование экрана из ферромагнитного материала
- •3.9. Исследование двухслойного экрана из различных материалов
- •Отчетные материалы
- •Тема 9. Оптическая пирометрия Лабораторная работа № 9.1
- •9.1. Модели и методы оптической пирометрии
- •9.1.1. Параметры и характеристики теплового излучения
- •9.1.2. Законы теплового излучения
- •9.1.3. Оценка температуры яркостным пирометром
- •9.1.4. Оценка теплового потока от нагретого тела
- •9.1.5. Схема установки и работа с пирометром оппир-017
- •9.1.6. Расчет температуры с помощью оптического пирометра
- •Подготовка к работе
- •Измерения и обработка результатов Определение яркостной температуры Тя и расчет температуры т
- •Отчетные материалы
- •Рекомендуемая литература Основная
- •Дополнительная
7.1.2. Гистограмма распределения элементов в серии
Рассмотрим партию резисторов, выпускаемых заводом, с определенным одним номинальным сопротивлением. Выбрав из партии выпускаемых элементов ограниченное количество резисторов (например, 100…1000 штук), мы получаем так называемую выборку резисторов.
Для того чтобы определить, как часто в выборке встречаются резисторы с теми или иными значениями Ri, строится гистограмма значений резисторов данной серии.
Процесс построения гистограммы на основе экспериментальных данных описан ниже.
Гистограмма выборки представляет собой график, на оси абсцисс Х которого откладываются значения исследуемой величины, например, сопротивления резистора Ri, на оси Y – значения вероятности f R появления того или иного значения сопротивления. Вероятность fR может быть интерпретирована как частота попадания в ограниченный интервал значений R сопротивлений (рис. 7.1, а).
а) б)
Рис. 7.1. Гистограмма распределения значений R (a) и теоретическая кривая Гаусса (б)
Очевидно, что наиболее часто (с большей вероятностью f мах) в выборке появляются значения сопротивлений, близких к номинальному значению Rн, редко – сопротивления, относящиеся к крайним значениям исследуемого диапазона.
Теоретическая кривая, описывающая частоту появления значения сопротивления в серии, в идеальном случае имеет колоколообразную форму (рис. 7.1, б) и называется кривой нормального распределения (кривая Гаусса, кривая Лапласа).
Математически кривая Гаусса описывается выражением
,
(7.1)
где σ – среднее квадратическое отклонение; Х – переменная; Xвер – наиболее вероятное значение, соответствующее в идеальном случае среднему значению выборки (в нашем случае – номинальному значению сопротивления Rн).
Характеристики данного распределения описаны в рекомендуемой литературе [21], [22]. Известно, что 99,73 % площади под кривой лежит в пределах шести средних квадратических отклонений σ (рис. 7.1, б), т. е. по три средних квадратичных отклонения в каждую сторону от среднего значения Xвер (правило 3σ). Таким образом, за пределами трехсигмовых значений лежит не более 0,155 % значений искомого распределения. Аналогично 95,49 % площади лежит в пределах четырех σ; 68,32 % площади – в пределах не более 2σ.
С учетом вышесказанного, на практике в результате исследования выборки резисторов производится построение гистограммы значений резисторов серии, определяется среднеквадратическое отклонение, характеризующее искомые параметры выборки.
7.1.3. Экспериментальное построение гистограммы выборки
Гистограмму выборки строим по следующему алгоритму.
1. Выбираем определенное количество произвольных элементов, например, резисторов, с одним и тем же номинальным сопротивлением. Для надежного результата в выборку включаем до N = 100 штук элементов.
2. Используя приборы (мосты переменного тока) экспериментальным путем определяем значения, например, сопротивлений Riэксп всех элементов исследуемой выборки.
В результате эксперимента записываем в таблицу 7.2 всю совокупность значений (в произвольном порядке) резисторов по мере того, как производится измерение: {X1, X2, …, Xi, …, Xn}. Например, получено 100 значений:
30, 25; 29,45; 36, 51; ….., 40,15; …; 29,54; …., 31,35;….., 28,54;…., 37,45.
3. Производим построение вариационного ряда по полученным экспериментальным данным.
Вариационным рядом называется набор {Z1, Z2, …, Zi,…,ZN} экспериментальных значений сопротивлений резисторов, который получаем с учетом исходного массива данных {X1, X2, …, Xi, …, Xn} путем расстановки их в порядке возрастания от Xmin до Xmax. Таким образом, выполняется условие
Xmin Z1 … Zi < =… Zn = Xmax. (7.2)
Заметим, что наиболее удобно обрабатывать вариационный ряд с помощью пакета EXCEL.
Допустим, что в нашем случае на основании экспериментальных данных получен следующий вариационный ряд (табл. 7.2).
Таблица 7.2
№№ |
Эксперимент |
Вариационный ряд |
Расчет интервалов |
№ интервала |
К-во значений Nm в интервале |
Частота fm, % |
|
Rэксп, Ом |
Zi, Ом |
K = 1+ 3,2ln100 = 15,7 ≈ 16 Zmin = 26,34 Ом; Zmax = 40,15 Ом; Rинт = (40,15-26,34)/16 ≈ ≈ 0,86 Ом
Примерные границы интервалов: 1: 26,3 --- 27,2 2: 27,2 ---28,06 … 15: 38,48---39,29 16: 39,29---40,15 |
1 |
1 |
1·100/100 = 1 |
1 |
30,25 |
26,34 |
2 |
1 |
1·100/100 = 1 |
|
2 |
29,45 |
27,32 |
3 |
3 |
3·100/100 = 3 |
|
3 |
36, 51 |
… |
4 |
4 |
4 |
|
… |
|
28,54 |
5 |
7 |
7 |
|
… |
26,34 |
29,45 |
6 |
8 |
8 |
|
25 |
40,15 |
… |
7 |
9 |
9 |
|
… |
|
… |
8 |
14 |
14 |
|
… |
|
… |
9 |
13 |
13 |
|
40 |
29,54 |
30,25 |
10 |
10 |
10 |
|
|
27,32 |
… |
11 |
9 |
9 |
|
… |
|
… |
12 |
7 |
7 |
|
80 |
31,35 |
31,35 |
13 |
8 |
8 |
|
... |
|
36, 51 |
14 |
3 |
3 |
|
99 |
28,54 |
… |
15 |
2 |
2 |
|
100 |
37,45 |
40,15 |
16 |
1 |
1 |
|
Всего, % |
100 |
|||||
4. После построения и записи (в лабораторной тетради) вариационного ряда приступаем к подготовке расчетных данных для построения гистограммы выборки, которая, как указано выше, представляет собой график зависимости вероятности f обнаружения в выборке того или иного значения параметра (сопротивления резистора Ri, емкости конденсатора Ci, индуктивности Li).
Гистограмму выборки (например, сопротивления резисторов) строим следующим образом (табл. 7.2):
а) диапазон значений от Rmin до Rmax разбиваем на определенное количество интервалов K, число которых определяем (округляя) с учетом известного числа элементов выборки по оценочной формуле
K = 1 + 3,2lnN, (7.3)
где lnN – натуральный логарифм числа N (при N = 100 значение K округляют до ближайшего целого числа; K ≈ 16);
б) определяем длину интервала на оси Δ Xинт:
ΔXинт = (Xmax Xmin)/K, (7.4)
где ΔXинт также округляем для удобства вычислений (Rинт ≈ 0,86 Ом);
в) точку, соответствующую середине области изменения выборки (центр распределения) Х ≈(Xmax + Xmin)/2, принимаем за "центр" выборки и центр некоторого интервала, после чего находим границы и окончательное количество (значение K может быть скорректировано) интервалов, так, чтобы они в совокупности перекрывали всю область от Xmin до Xmax (на оси Х желательно отметить начало и конец каждого интервала);
г) проводим анализ построенного вариационного ряда.
Подсчитываем число Nm экспериментальных значений, например, сопротивлений, попавших в каждый интервал между Хm и (Xm + ΔXинт), причем Nm равно числу членов вариационного ряда, для которых справедливо неравенство
Xm Zi Хm + ΔXинт, (7.5)
где Хm и (Xm + ΔXинт) – границы m-интервала.
Отметим, что значения Zi, попавшие на границу между (m – 1) и m-интервалами, относят к m-интервалу;
д) подсчитываем относительную частоту
fm = Nm·100/N (%), (7.6)
как относительное количество наблюдений, попавших в m-й интервал.
Например, если при N = 100, в первый (от минимального значения) интервал попало 3 значения, то значение f1 = 3/100 = 0,03 или 3 %.
е) Выбираем оси: ось абсцисс - исследуемый параметр, например, R, (Ом, кОм) - диапазон измеренных значений сопротивлений; ось ординат – частота попадания fm в тот или иной интервал значений.
Масштаб на осях зависит от полученных расчетных экспериментальных значений, например, максимальное значение fмаx частоты определяет масштаб оси ординат (рис. 7.2).
ж) строим гистограмму, представляющую собой ступенчатую кривую, значение которой на m-интервале равно fm (рис. 7.2);
з) через ″верхние″ значения "ступеней" проводим плавную линию, которая завершает построение гистограммы.
При малых значениях N кривая fm(X) (рис. 7.2) может значительно отличаться от теоретической зависимости (7.1). Максимальному значению fmax соответствует наиболее вероятное значение Хвер в данной выборке. При увеличении значения n гистограмма переходит в плавную кривую f(X), которая описывается зависимостью (7.1) кривой Гаусса (рис. 7.1, б).
Границы по оси X, соответствующие значению среднего квадратического отклонения σ, примерно определяем исходя из условия, что в интервал (Xвер σ,…, Xвер + σ) попадает примерно 68 % всех значений.
Рис. 7.2. Гистограмма, построенная по экспериментальным данным
С учетом гистограммы, приведенной на рис. 7.2, рассчитываем величину среднего квадратического отклонения: σ = (35,1 – 30,5)/2 ≈ 2,3 Ом.
На практике экспериментальное распределение может отличаться от распределения Гаусса в силу различных причин, в том числе, малого числа N.
Экспериментальное значение допуска D определяем по соотношению
D 3σ·100/Хср, %. (7.7)
Т.е. по экспериментальным данным можно оценить значение D = 3·2,3·100/33 ≈ 20 %. Следовательно, можно сделать вывод, что исследуемая выборка резисторов описывает ряд E6, значение сопротивления исследуемой выборки составляет Rн = 30 Ом ± 20 % = (30 ± 6) Ом.
