- •Общие сведения об электровакуумных приборах свч.
- •Особенности электронных приборов свч.
- •Время и угол пролета электронов.
- •1.4. Наведение тока в плоском зазоре при прохождении промодулированного по плотности электронного потока.
- •Общая классификация электронных приборов свч.
- •1.6. Применение метода эквивалентных схем для анализа свч приборов.
- •Теория диода на свч
- •3.1 Влияние времени пролета на характеристики электронной лампы.
- •2.2. Эквивалентная схема диода на свч.
- •2.3. Диод в качестве свч генератора. Монотрон.
- •Входная проводимость лампы.
- •3.5. Эквивалентная схема электронной лампы на свч. Усилители и генераторы.
- •3.6. Включение лампы в схеме с общей сеткой.
- •Особенности триодного автогенератора с общей сеткой.
- •Элементы конструкций триодных генераторов и усилителей.
- •Тетроды свч. Резнатрон.
- •Применение триодов и тетродов свч.
- •Некоторые вопросы расчета и проектирования электронных свч ламп и ламповых свч устройств.
- •Приборы с динамическим управлением электронным потоком.
- •Клистроны.
- •4.1. Устройство и принцип действия пролетного усилительного клистрона. Классификация клистронов.
- •4.2. Двухрезонаторные клистронные усилители.
- •Амплитудно-частотная характеристика (ачх) двухрезонаторного клистрона.
- •Двухрезонаторные клистронные генераторы.
- •Двухрезонаторный клистрон-усилитель частоты.
- •Многорезонаторные пролетные усилительные клистроны.
- •Особенности конструкций пролетных клистронов.
- •Амплитудная характеристика пролетного усилительно клистрона
- •Отражательные клистроны
- •1. Устройство и принцип работы ок
- •2. Электронная проводимость зазора ок
- •Условия самовозбуждения. Пусковой ток.
- •Пусковой ток
- •Электронная настройка и электронный гестерезис
- •Колебательная мощность и электронный к. П. Д.. Влияние нагрузки.
- •5. Электронные приборы со скрещенными полями (приборы м-типа (магнетронного))
- •6. Магнетроны.
- •6.1. Устройство магнетрона.
- •6.5. Условия самовозбуждения многорезонаторного магнетрона.
- •6.7. К.П.Д. Многорезонаторного магнетрона.
- •6.8. Рабочие и нагрузочные характеристики магнетронов.
- •Семейство кривых постоянного к.П.Д. (рис. 6.29).
- •Линии равной частоты .
- •Применение магнетронов.
- •7. Свч приборы со скрещенными полями, разомкнутой зс и замкнутым электронным потоком.
- •Устройство и принципы работы амплитрона.
- •Характеристики и параметры амплитрона.
- •Амплитудная характеристика
- •Рабочие характеристики амплитрона
- •Стабилотрон
- •Карматрон и ультрон.
- •8. Приборы м-типа с разомкнутой зс и разомкнутым электронным пучком.
- •8.1. Устройство и принцип работы лампы бегущей волны типа м (лбвм).
- •8.2 Путь построения теории лбвм.
- •8.3. Характеристики и параметры лбвм.
- •Электронный к.П.Д.
- •Амплитудная характеристика
- •Амплитудно-частотная характеристика.
- •8.4. Устройство и принцип работы ловм.
- •8.5. Пусковые условия в ловм.
- •8.5. Параметры и характеристики генераторной ловм.
Амплитудно-частотная характеристика (ачх) двухрезонаторного клистрона.
До сих пор мы предполагали, что резонаторы клистрона настроены на частоту усиливаемого сигнала.
В общем случае коэффициент усиления определяется выражением:
,
где
,
Qн1 и Qн2 – нагруженные добротности первого и второго резонаторов
;
Q0 и Qв – собственная и внешняя добротности резонатора;
- коэффициенты
связи резонаторов и линии передачи;
- относительные
расстройки расчеты сигнала от резонансных
частот первого и второго резонаторов;
- резонансные
частоты резонаторов.
Коэффициент
имеет
наибольшую величину при критической
связи резонаторов и линий, когда
,
совпадающую с
в рамках кинематической модели
.
Из формулы для
коэффициента усиления видно, что в общем
случае ненастроенных резонаторов, когда
частотная характеристика усилителя
может иметь вид двугорбой кривой даже
при малых сигналах. В случае одинаково
настроенных резонаторов
при малых сигналах Рвх
частотная характеристика будет иметь
вид одногорбой кривой (рис. 4.8).
При определенной расстройке участка получить кривую с уплощенной вершиной.
При большом уровне входного сигнала при Рвх > Рвх опт даже при одинаковой настройке контуров на резонансной кривой за счет перегруппировки электронного потока появляется провал.
Рис 4.8
Относительная полоса усиления двухрезонаторных клистронов обычно не превышает десятых долей процента (%).
Двухрезонаторные клистронные генераторы.
Схематически устройство клистронного генератора имеет вид, изображенный на рис 4.9.
Рис 4.9
В конструктивном отношении элементы обратной связи аналогичны устройствам ОС в генераторе на лампе с общей сеткой.
Для самовозбуждения клистрона фаза колебаний во входном резонаторе должна быть определенным образом связана с фазой колебаний в выходном резонаторе.
Построим графики напряжений на входном и выходном зазорах клистрона.
Рис 4.10
Через
обозначен сдвиг фаз, создаваемый
устройством обратной связи. Электронные
сгустки образуются относительно
электронов, прошедших центр первого
зазора в момент перехода поля от
тормозящего к ускоряющему. Для отдачи
максимальной энергии сгустки должны
проходить выходной зазор в момент
максимального тормозящего поля.
Из рисунка видно, что оптимальный угол пролета в пространстве дрейфа должен составлять
С другой стороны угол дрейфа равен
Приравнивая эти углы, получим:
Это уравнение при фиксированном значении n приводит к виду:
,
как
для монотрона
.
Через
обозначено оптимальное ускоряющее
напряжение, при котором сгустки попадают
в максимальное тормозящее поле выходного
зазора.
Таким образом, при изменении должен наблюдаться ряд дискретных зон генерации, соответствующих целочисленным значениям n. В промежутках между зонами генерация невозможна, так как сгустки попадают в ускоряющее поле выходного зазора. Номер зоны генерации тем выше, чем больше время пролета в трубе дрейфа.
Рис. 4.11
При слабой связи между резонаторами. При сильной связи зоны раздваиваются, так как система двух связанных контуров в этом случае две резонансных частоты. В пределах каждой зоны происходит изменение частоты – электронная настройка.
Диапазон электронной настройки невелик (несколько мегагерц), недостатком такой настройки является большое потребление мощности на настройку.
