Выполнение работы

Запускаем программный модуль PSpice Schematics.

Используя приведённый в ПРИЛОЖЕНИИ 1 список моделей транзисторов, выбрать модель по номеру варианта.

Создаём схему, приведённую на рис. 1.1 с помощью PSpice Schematics.

Рис. 1.1. Схема для съема выходных характеристик БТ BC179A с ОЭ

Для расчетов используем технические параметры транзистора BC179A из Datasheet. Транзистор BC179A создан по биполярной технологии p-n-p, компанией SGS-THOMSON Microelectronics в 1994 году.

Выбираем тип анализа DC Sweep. В Options выбираем Primary Sweep и задаем параметры основной переменной. В качестве основной переменной (Primary Sweep) выбираем напряжение источника Vce, начальное значение (Start Value) можно задать равным нулю. Конечное значение (End Value) задать равным Uкэmax – максимально допустимому напряжению коллектор-эмиттер для данного транзистора (справочный параметр, указан в datasheet на транзистор в разделе Maximum Ratings, параметр – Collector-Emitter Voltage), шаг (Increment) – 10 мВ. Пример показан на рис. 1.2.

Рис. 1.2. Настройка параметров Primary Sweep. Выходные характеристики

Конечное значение (End Value) задать равным Uкэmax – максимально допустимому напряжению коллектор-эмиттер для данного транзистора (справочный параметр, указан в datasheet на транзистор), шаг (Increment) – 10 мВ.

В Options выбрать Parametric Sweep и задать параметры второстепенной временной. В качестве второстепенной или параметрической переменной (Parametric Sweep) выбираем ток источника Ib, начальное значение (Start Value) задать равным нулю. Конечное значение (End Value) задать равным 1 мА, шаг (Increment) – 100 мкА.

Рис. 1.3. Настройка параметров Parametric Sweep. Выходные характеристики

• На закладке Probe Window включить опцию Last plot.

• Запустить симуляцию.

• Построить графики выходных характеристик транзистора. Открыть

окно Add Traces. В строку Trace Expression ввести выражение IC(Q1) – ток коллектора транзистора. Если полученный ток отрицательный, для удобства дальнейшей работы, изменить знак перед выражением.

• Отмасштабировать оси, так чтобы граничные отображаемые значения соответствовали Uкэmax и Iкmax (справочные параметры указанные в datasheet на транзистор).

Построить гиперболу максимальной рассеиваемой мощности. Открыть окно Add Traces и в строку Trace Expression ввести выражение Pmax/V_Vce, вместо Pmax подставить максимальную мощность рассеивания транзистора указанную в datasheet на транзистор.

Построить нагрузочную линию. Команда Plot>Label>Line (рис. 1.4).

Нагрузочную линию провести от точки V_Vce=80%Uкэmax на оси Х (V_Vce), по касательной к гиперболе мощности до пресечения с осью Y.

Чтобы провести линию с помощью инструмента Line, нужно мышью указать начальную и конечную точки линии. Для удаления линии с области построения надо выделить линию щелчком кнопки мыши и нажать клавишу Delete.

Рис. 1.4. Семейство выходных характеристик транзистора

Выбрать рабочую точку и зафиксировать с помощью режима трассировки ее параметры Iк , Iб0 , Uкэ , Iк0 , Uкэ0 .

Рабочая точка выбирается в соответствии с лабораторным заданием. В режиме работы каскада А, рабочую точку выбирают на середине нагрузочной линии.

Включить режим трассировки. Команда Trace>Cursor>Display или щелчок соответствующего значка панели инструментов.

Навести курсор на рабочую точку, и поставить метку с координатами (параметры рабочей точки – Uкэ0 и Iк0 ), команда Plot>Label>Mark или щелчок соответствующей пиктограммы панели инструментов

С помощью курсоров и показаний окна Probe Cursor определить координаты точек пересечения линии нагрузки с осями – параметры Iк и Uкэ .

Щелкнуть правой кнопкой мыши на выходную характеристику соответствующую выбранной рабочей точки, щелкнуть пункт Information.