2. Експериментальна частина

2.1. Попередня підготовка до експерименту

1.Вивчити основні теоретичні положення з теми лабораорної роботи та дати письмові відповіді на контрольні запитиння, поміщені в кінці лабораторної роботи.

2.Записати в табл. 2.1 типи біполярних транзисторів, які будуть досліджуватись. Накреслити в зошиті екпериментальні схеми та заготувати таблиці, необхідні для занесення результатів вимірювань.

Таблиця 2.1

Типи досліджуваних транзисторів

Марка транзистора	Тип (npn чи pnp)	Застосування

3.Користуючись довідником з напівпровідникових приладів, накреслити типовий вигляд ВАХ досліджуваних транзисторів та переписати у табл. 2.2 їх допустимі експлуатаційні параметри. Накреслити вид цоколя кожного з транзисторів і на кресленні вказати розміщення його виводів.

Таблиця 2.2

Допустимі експлуатаційні параметри транзисторів

Марка транзистора	Допустимі екплуатаційні параметри
	UКЕ max, В	UКБ max, В	PК max, Вт

2.2. Послідовність проведення експериментів

Завдання 1. Провести дослідження режимів роботи біполярного транзистора. Для цього:

1). Зібрати схему експерименту, показану на рис. 2.10, використовуючи в ній регульовані джерела постійної напруги U₁ і U₂, вольтметри постійного струму V₁ і V₂ та амперметри A₁ і А₂. Полярності напруг між виводами транзистора встановити в залежності від типу його електропровідності (див. рис. 2.2);

Рис. 2.10. Схема експериментального дослідження біполярного

транзистора типу npn

2). Провести вимірювання струмів I_Б та I_К при різних режимах роботи транзистора, а саме в режимі відтину та в нормальному активному режимі. Результати вимірювань записати в табл. 2.3 та зробити висновки. (Значення напруг між виводами транзистора, які необхідно виставляти при вимірюваннях, вибрати в залежності від типу електропровідності та напівпровідникового матеріалу).

Таблиця 2.3

Результати дослідження режимів роботи транзистора

Режим роботи	UБЕ, В	UКЕ, В	UКБ , В	IБ , мА	IК , мА
Режим відтину
Нормальний активний режим

На підставі вимірювань визначити для нормального активного режиму транзистора статичні коефіцієнти передавання струму  та  транзистора.

Завдання 2. Зняти вхідні статичні вольт-амперні характеристики транзистора, тобто залежності I_Б=f₁(U_БЕ) для декількох фіксованих значень напруги U_КЕ. Результати вимірювань записати в табл. 2.4 та зобразити у вигляді графіків, як показано на рис. 2.5, а. Для проведення експерименту скористатись схемою, поданою на рис. 2.10.

Таблиця 2.4

Результати зняття вхідних статичних характеристик транзистора

UКЕ=0 В		UКЕ= 1 В		UКЕ= 9 В
UБЕ, В	IБ, мкА	UБЕ, В	IБ, мкА	UБЕ, В	IБ, мкА

Завдання 3. Зняти вихідні статичні вольт-амперні характеристики транзистора, тобто залежності I_К=f₂(U_КЕ) для декількох фіксованих значень струму I_Б. Результати вимірювань записати в табл. 2.5 та подати у вигляді графіків, як показано на рис. 2.5, б. Для проведення експерименту скористатись схемою, поданою на рис. 2.10.

Таблиця 2.5.

Результати зняття вихідних статичних характеристик транзистора

IБ'=... мА		IБ''=... мА		IБ'''=... мА		IБ''''=... мА
UКЕ, В	IК, мА	UКЕ, В	IК, мА	UКЕ, В	IК, мА	UКЕ, В	IК, мА

Завдання 4. На підставі знятих статичних вольтамперних характеристик визначити:а) залежність статичного коефіцієнта передавання струму  від колекторного струму при деякій фіксованій напрузі U_КЕ. Результати записати в табл. 2.6 та подати у вигляді графіків. По побудованих графіках зробити висновки;

Таблиця 2.6

Залежність статичного коефіцієнта передавання струму 

від колекторного струму I_К при U_КЕ=..... В

IК, мА


б) низькочастотні малосигнальні g-параметри транзистора в заданій викладачем робочій точці, вказаній в табл. 2.7. Результати визначення параметрів записати в табл. 2.8 та зробити висновки.

Таблиця 2.7

Координати робочої точки транзистора

UБЕ0, В	IБ0, мкА	UКЕ0, В	IК0, мА

Таблиця 2.8

Низькочастотні малосигнальні g-параметри транзистора

gББ, См	gБК, См	h21E (диф)	gKБ, См	gКК, См

в) низькочастотні малосигнальні h-параметри транзистора (на підставі визначених g-параметрів). Результати визначення параметрів записати в табл. 2.9.

Таблиця 2.9

Низькочастотні малосигнальні h-параметри транзистора

hББ, Ом	hБК	hКБ (h21Е)	hКК, См