2. Експериментальна частина

1.2. Попередня підготовка до експерименту

1.Вивчити основні теоретичні положення з теми лабораторної роботи та дати письмові відповіді на контрольні запитання, поміщені в кінці методичних вказівок.

2.Записати в табл. 3.2 типи польових транзисторів, які будуть досліджува-тись.

Таблиця 3.2.

Типи досліджуваних польових транзисторів

Тип польового транзистора	Марка	Тип каналу	Область застосування
Польовий транзистор з керуючим pn-переходом
МДН-транзистор з вбудованим каналом
МДН-транзистор з індукованим каналом

3.Користуючись довідником з напівпровідникових приладів, накреслити типові ВАХ досліджуваних польових транзисторів та записати в табл. 3.3 їх гранично-допустимі параметри. Накреслити вид цоколя кожного з досліджуваних транзисторів і вказати на кресленні розміщення їх виводів.

Таблиця 3.3

Гранично-допустимі експлуатаційні параметри досліджуваних транзисторів

Марка транзистора	Гранично-допустимі експлуатаційні параметри
	UЗВ, В	UСВ, В	ІС, мА

4.Вивчити послідовність проведення експериментів та методику їх виконання. Накреслити для кожного із завдань експериментальні схеми та заготувати таблиці, необхідні для занесення результатів вимірювань.

2.2. Послідовність проведення експериментів

Завдання 1. Провести експериментальне визначення статичних вольт-амперних характеристик та параметрів польового транзистора з керуючим pn-переходом. Для цього:

• зняти вихідні (стокові) статичні вольт-амперні характеристики транзистора при декількох значеннях напруги U_ЗВ, яка подається між затвором і витоком, та побудувати їх графік (схема експерименту подана на рис. 3.11);

Рис.3.11. Схема експерименту (V₁ та V₂ – волтметри постійного струму; мА – міліамперметр постійного струму)

• на основі вихідних (стокових) характеристик побудувати передавальні (стоко-затворні) характеристики транзистора для декількох значень напруги U_СВ, яка подається між стоком і витоком;

• на підставі побудованих стокових та стоко-затворних характеристик визначити основні параметри транзистора, вказані в табл. 3.4 та табл. 3.5.

Таблиця 3.4

Параметри транзистора, визначені по стоко-затворних характеристиках

№ характе-ристики	Значення напруги UСВ, при якій знята характеристика (В)	S, мА/В	UЗВ відт (UЗВ пор), В	ІС поч, мА
1
2

Таблиця 3.5

Параметри транзистора, визначені по стокових (вихідних) характеристиках

№ характе-ристики	Значення напруги UЗВ, при якій знята характеристика (В)	UСВ нас, В	ІС поч, мА	ri, Ом	
1
2
3
4

За результатами проведених експериментів зробити висновки, зокрема:

• про те, як змінюються вихідні (стокові) статичні вольт-амперні характеристики транзистора при U_СВ U_{СВ нас};

• про те, як змінюється крутість стоко-затворних характеристик при змінах вихідної напруги U_СВ;

• про те, як змінюється напруга U_{СВ нас} при зростанні (за абсолютним значенням напруги U_ЗВ (залежність U_{СВ нас} від U_ЗВ показати на вихідних ВАХ пунктиром);

• про те, яким є струм затвора та, відповідно, вхідний опір транзистора;

• про те, яким (великим чи малим) є диференціальний вихідний опір транзистора r_i і як він змінюється із збільшенням напруги U_СВ.

Завдання 2. Провести експериментальне визначення статичних вольт-амперних характеристик та параметрів МДН-транзисторів з вбудованим та індукованим каналами. Для цього скористатись послідовністю проведення експериментів, вказану в попередньому завданні.