2) Ковалентной связью.
3) Электрической связью.
4) Связью притяжения электронов и протонов.
37. В собственном полупроводнике концентрации зарядов соотносятся:
1) ni = pi.
2) ni > pi.
3) ni < pi.
4) В собственном полупроводнике заряды отсутствуют.
38. В собственном полупроводнике с повышением температуры концентрации зарядов:
1) Увеличиваются ni = pi.
2) Увеличиваются, но ni > pi.
3) Увеличиваются, но ni < pi.
4) В собственном полупроводнике концентрации зарядов от температуры не зависят.
39. С понижением температуры подвижность зарядов в p-n-переходе:
1) Уменьшается.
2) Увеличивается.
3) Изменение температуры не влияет на подвижность зарядов.
4) Уменьшается только для электронов.
40. В базе р-n-перехода концентрации примесных n- и собственных ni зарядов соотносятся:
1) ni = n.
2) ni > n.
3) ni < n.
4) ni << n.
41. В эмиттере р-n-перехода концентрации примесных р- и собственных ni зарядов соотносятся:
1) ni = р.
2) ni > р.
3) ni < р.
4) ni << р.
42. При подключении к p-n-переходу внешнего напряжения в обратном направлении протяженность p-n-перехода:
1) Не изменяется.
2) Уменьшается.
3) Увеличивается.
4) Увеличивается только за счет эмиттера.
43. При подключении к p-n-переходу внешнего напряжения в прямом направлении протяженность p-n-перехода:
1) Не изменяется.
2) Уменьшается.
3) Увеличивается.
4) Увеличивается только за счет базы.
44. Самая низкая концентрация носителей зарядов в несимметричном p-n-переходе находится:
1) В эмиттере.
2) В p-n-переходе.
3) В базе.
4) Концентрации во всех структурах одинаковые.
45. При подключении к p-n-переходу внешнего напряжения в прямом направлении высота потенциального барьера:
1) Не изменяется.
2) Уменьшается.
3) Увеличивается.
4) Уменьшается только в базе.
46. При подключении к p-n-переходу внешнего напряжения в обратном направлении высота потенциального барьера:
1) Не изменяется.
2) Уменьшается.
3) Увеличивается.
4) Увеличивается только за счет эмиттера.
ДЕ 5 Полупроводниковые диоды
1.В диоде Шоттки используется переход между:
1) Металлом и полупроводником.
2) Металлом и изолятором.
3) Полупроводникам р- и n- типов.
4) Обогащенным полупроводником и полупроводником собственной электропроводности.
2. Укажите верное определение варикапу:
1) Полупроводниковый прибор, использующий свойство пробоя р-n-перехода.
2) Полупроводниковый прибор, использующий температурную зависимость р-n-перехода.
3) Полупроводниковый прибор, использующий свойство емкости
р-n-перехода.
4) Полупроводниковый прибор, использующий свойство полупроводника собственной электропроводности.
3. Укажите обозначение варикапа на схемах:
1) 1. 2) 2. 3) 3. 4) 4.
4. В варикапе используется емкость между:
1) Внешним выводом и р-структурой.
2) Внешним выводом и n-структурой.
3) р- и n-структурами.
4) Внешними выводами.
5. Основным параметром варикапа является:
1) Напряжение пробоя.
2) Емкость варикапа.
3) Допустимый обратный ток.
4) Дифференциальное сопротивление.
6. Варикап применяется для:
1) Выпрямления переменного тока.
2) Изменения резонансной частоты колебательного контура.
3) Стабилизации переменного напряжения.
4) Сглаживания пульсаций переменного напряжения.
7. Туннельный диод применяется в качестве :
1) Выпрямителя переменного тока.
2) Генератора гармонических колебаний.
3) Стабилизатора переменного напряжения.
4) Ограничителя напряжения.
8. Укажите обозначение туннельного диода на схемах:
1) 1. 2) 2. 3) 3. 4) 4.
9. Стабилитрон применяется для:
1) Выпрямления переменного тока.
2) Изменения резонансной частоты колебательного контура.
3) Стабилизации постоянного напряжения.
4) Сглаживания пульсаций переменного напряжения.
10. Укажите обозначение стабилитрона на схемах:
1) 1. 2) 2. 3) 3. 4) 4.
11. Основным параметром стабилитрона является:
1) Напряжение стабилизации.
2) Емкость p-n- перехода.
3) Допустимый прямой ток.
4) Дифференциальное прямое сопротивление.
12. Укажите маркировку диода - стабилитрона.
1) КД401Б.
2) КС168А.
3) КВ103Б.
4) КУ102Б.
13. Укажите маркировку варикапа.
1) КД401Б.
2) КС168А.
3) КВ103Б.
4) КУ102Б.
14. Выпрямительные диоды применяются для:
1). Выпрямления переменного тока.
2). Спрямления формы переменного тока.
3). Стабилизации переменного напряжения.
4). Сглаживания пульсаций переменного напряжения.
15. Укажите обозначение выпрямительного диода на схемах:
1) 1. 2) 2. 3) 3. 4) 4.
16. Укажите маркировку выпрямительного диода.
1) КД401Б.
2) КС168А.
3) КВ103Б.
4) КУ102Б.
17. Прямая ветвь вольт-амперной характеристики выпрямительного диода выглядит следующим образом:
Iпр
Uпр
Iпр
Iпр
Uпр
Iпр
Uпр
Uпр
1) 1. 2) 2. 3) 3. 4) 4.
18. Обратная ветвь вольт-амперной характеристики выпрямительного диода выглядит следующим образом:
Uобр
Uобр
Uобр Uобр
Iобр Iобр Iобр Iобр
1) 1. 2) 2. 3) 3. 4) 4.
19. Вольт-амперная характеристика туннельного диода выглядит следующим образом:
Iпр Uпр Iпр Iпр
Uпр Iпр Uпр Uпр
1) 1. 2) 2. 3) 3. 4) 4.
20. Диоды Шоттки применяются для: