- •1 Расчет параметров полупроводниковых диодов
- •2 Определение h-параметров биполярных транзисторов
- •Определение параметров h11э
- •Определение параметров h12э
- •Определение параметров h21э
- •Определение параметров h22э
- •3 Графоаналитический расчет рабочего режима биполярного транзистора
- •Определение параметра Rj
- •Определение параметра
- •Определение параметра Ro
- •Определение крутизны
- •Определение параметра Rj
- •4 Расчет параметров и характеристик полевых транзтсторов
- •Определение параметра s
- •Определениекоэффициента усиления
- •Библиографический список
Определение параметров h21э
Для выполнения условий Uкэ=const выберем две точки т.Д и т.Е выше и ниже ИРТ на характеристиках Iб=25 мА и Iб=15мА, для которых Uкэ=5В (рисунок 2.3).
Для точки Д: Iкд=1.5А Iбд=25мА Uкд=5В,
Для точки Е: Iке=1А Iбе=15мА Uке=5В,
Для ИРТ: Iко=1.2А Iбо=20мА Uко=5В.
Как видно ,для этих
трех точек выполняется условие
Uкэ=5В=const.
По графикам
(Рисунок2.3) определяем приращение
между точками Д и Е находим параметры
h21э:
h21э=
(Iкд-Iке)/(Iбд-Iбе)=(1500мА-1000мА)/(25мА-15мА)=50.
Определение параметров h22э
Для выполнения условия Iб=const выбираем на характеристике Iб=20мА две точки F и G (рисунок2.4).
Для точки G: Iкg=1.3А Uкэg=7В Iбg=20мА,
Для точки F: Iкf=1.1 Uкэf=3В Iбf=20мА,
Для ИРТ: Iко=1.2А Uкэо=5В Iбо=20мА.
Рисунок 2.4-определение параметра h22э.
Как видно, для этих
точек выполняется следующие условия
Iб=20мА=const.
По графикам (Рисунок2.4) определяем
приращение
между точками G
и F
находим параметры h22э:
h22э=
(Iкg-Iкf)/(Uкэg-Uкэf)=(1.3А-1.1А)/(7В-3В)=0.05См=50мСм.
Отметим важную
особенность,что приращение токов и
напряжений при определении различных
параметров находятся при разных условиях
и поэтому не равны между собой . Например
,при расчете h21э
и h22э
используется приращение тока коллектора
Однако ,в первом случае оно определяется
при Uкэ=сonst,а
во втором при Iб=const
как было показано ранее,
.
Как уже отмечалось,значение всех параметров транзистора зависит от режима работы транзистора(заданного положения ИРТ). Проиллюстрируем это на примере для двух различных режимов работ (pисунок 2.5).
Рисунок 2.5- Расчет параметров для двух различных режимов работ
Для ИРТ1: Iко=0.5А Iбо=5 мА Uкэо=10В Iка=0.8А Iкв=0.1, Iба=0мА Iбв=10мА.
h21э= (800мА-100мА)/(0мА-10мА)=70.
Для ИРТ2: Iко=1А Iбо=15 мА Uкэо=5В Iкс=1.3А Iкд=0.7А, Iбс=20мА Iбд=10мА.
h21э= (1300мА-700мА)/(20мА-10мА)=60.
Кроме того значения h параметров зависят от температуры так как при изменении температуры происходит смещение вольт-амперной характеристики.
3 Графоаналитический расчет рабочего режима биполярного транзистора
Задаемся исходными данными для расчета
Е2=20В Rк=1000Ом Iмб=0.05мА.
Расчет начинается с построения рабочей характеристики,называемой линией нагрузки.
Iк=-
Это уравнение первой степени,следовательно, линия нагрузки представляет собой прямую линию ,которую проще всего строить по двум точкам пересечения с осями координат:
Jк=0 Uкэ=Е2
Uкэ=0 Jк=E2/Rк
Для заданных исходных данных строим выходную рабочую характеристику(pисунок 3.1).
Jк=0 Uкэ=Е2=20В точка N
Uкэ=0 Jк=Е2/Rк=20В/1000Ом=20мА точка M.
Рабочую точку ИРТ наносим на пересечении линии нагрузки со статистической характеристикой,соответствующей заданному режиму Iбо=300мкА=const. После этого определяем состояния выходной цепи в режиме покоя(при отсутствии входного сигнала),
Iко=18мА Uкэо=1.5В.
и мощность Рко,выделяющуюся в транзисторе в режиме покоя,
Рко=IкоUкэо
Pкmax.
которая должна быть меньше максимально допустимой рассеиваемой мощности.
Для рассматриваемого примера :
Рко=IкоUкэо=18мА*1.5В=27мВт.
Рисунок 3.1-Линия нагрузки биполярного транзистора.
По справочным данным определяем, что для транзистора КТ315В постоянная рассеиваемая мощность коллектора составляет Ркmax= 150 мВт что удовлетворяет расчетам. Следовательно,нет необходимости применять дополнительные меры теплоотвода.
Часто для проверки режима работы транзистора строят кривую Ркmax=const,ограничивающую область допустимых режимов транзистора.Эта кривая представляет собой гиперболу .
Iко=
Построим кривую допустимых режимов работы транзистора КТ315В для Ркmax=150 мВт(Рисунок 3.1) Видно ,что выбранный режим работы является допустимым.
По заданной амплитуде входного сигнала Iмб находим точки А и В максимального отклонения от положения ИРТ(Рисунок 3.1). Эти точки находим на пересечении линии нагрузки со статистическими характеристиками .
Точка А: при Iба=Iбо+Iмб=300+50=350 мкА,
Точка В:при Iбв=Iбо-Iмб=300-50=250 мкА.
На проекции рабочего участка на оси координат определяются амплитуды переменных составляющих выходного тока и выходного напряжения.
Iмк=(Iка-Iкб)/2=(19.5мА-16мА)/2=1.75мА
Uмкэ=(Uкб-Uка)/2=(3.5В-0.5В)/2=1.25В.
Рисунок 3.2-Определение амплитуды выходного тока и напряжения.
После этого можно определить выходную мощность.
Рвых=0.5*Iмк*Uмкэ
Рвых=0.5* 1.75мА*1.25В=1.093мВт.
