- •Объемные микрообработки в производстве чувствительных элементов мэмс.
- •Объемна технология на базе soi (кремний на изоляторе, кни).
- •Объемна технология на базе sog (кремний на cтекле).
- •Комбинированная поверхностно-объемная технология производства чувствительных элементов мэмс.
- •Физико-химические основы травления.
- •Жидкостные (мокрые) химические методы травления
- •Термодинамика, кинетика и механизм физико-химических процессов при травлении.
- •2) Гидродксидный (кон) метод
- •4) Тман-метод (тетраметиламмоний гидроксд)
- •Ионно-плазменные (сухие) методы травления
- •Физико-химические основы вакуумного корпусирование и интегрирования мэмс -мст на уровне пластин.
- •3.1.Электростимулированное (анодное) соединение (сращивание) стеклянных и кремниевых пластин.
- •3.2.Химическое сращивание (сплавление, fusion) кремниевых пластин.
- •3.3.Соединение с использованием непроводящего электрический ток промежуточного слоя (суспензий стеклопорошка, других неорганических изоляционных материалов).
- •3.4.Термокомпрессионное соединение с использованием токопроводящего промежуточного слоя (металлов и их эвтектических сплавов).
- •Ионная имплантация
- •4.1. Физические основы метода
Термодинамика, кинетика и механизм физико-химических процессов при травлении.
Термодинамика травления: ΔG=ΔH-TΔS. Например, реакция травления аморфного оксида кремния является эндотермической (ΔН = +11 ккал/моль): SiO2тв + 6HFж → Н2SiF6 + 2H2O.
Кинетика растворения твердых тел.
Растворение твердого тела происходит в несколько стадий: подвод частиц растворителя к поверхности, контактирование и физико-химическое взаимодействие этих частиц с поверхностью, отвод продуктов реакции от поверхности.
Эффективное
время полного растворения вещества
определяется из соотношения
где m – количество вещества в данном
направлении с единицы поверхности для
рассматриваемой стадии; ji
– скорости растворения.
При
многостадийной реакции эффективное
время определяется, той стадией, которая
имеет минимальное значение jmin.
Такая стадия является лимитирующей:
.
Диффузионная
кинетика растворения
определяется скоростями подвода
реагента к поверхности взаимодействия
и удаления продуктов реакции. Скорость
растворения описывается кинетическим
уравнением
,
где D – коэффициент диффузии растворяемого
вещества; δ – толщина диффузионного
слоя; СS
– концентрация насыщенного раствора
у поверхности твердого тела; СV
– концентрация растворяемого вещества
в объеме раствора; βm – коэффициент
массопереноса реагента.
Существуют
два механизма переноса: молекулярная
диффузия и конвекция. Решение кинетическим
уравнения имеется только для частных
случаев. Скорость растворения для
вращающегося диска
,
где νв
– кинематическая вязкость раствора; n
– число оборотов диска в 1 с.
Для
растворяемой пластины, расположенной
вертикально, скорость растворения
, где g – ускорение силы тяжести; h –
высота пластины.
Скорость
растворения твердых тел с учетом двух
основных стадий (поверхностной реакции
и диффузии):
.
Поскольку в начале концентрация
растворенного вещества СV
= 0, то скорость будет максимальной. Со
временем СV
увеличивается и скорость растворения
падает.
Толщина
диффузионного слоя δ характеризует
условие растворения у поверхности. Для
вертикально стоящей пластины:
Оптимальное условие растворения –
когда jR
= jD.
Температура при которой jR
= jD
называется критической Ткр. При этом
критическая энергия активации:
;
;
,
где NA
– число Авогадро; ρ – плотность
металла; M – молярная масса; k –
постоянная Больцмана; ΘD
– характеристическая дебаевская
температура; h – постоянная Планка.
Основные типы изоторопного и анизотропноо жидкостного (мокрого) травления:
1)HNA: Si + HNO3 + 6HF → H2SiF6 + HNO2 + H2O + H2
Кремний на аноде Травитель
Кремний на катоде
2) Гидродксидный (кон) метод
3) ЭДП –метод (этилендиамин-пирокатехол)
4) Тман-метод (тетраметиламмоний гидроксд)
Анизотропное травление кремния:
Кристаллическая решётка кремния - кубическая гранецентрированная типа алмаза:
Кристаллографические плоскости кубической решетки
Влияние ориентации на относительную скорость травление кремния.
Формы канавок, получаемых с помощью АТ на кремнии ориентацией (100)
Для анизотропного травления кремния наиболее широко используются водные растворы гидроксида тетраметиламмония (Tetramethylammonium hydroxide,ТМАН) и калия (КОН). В случае КОН травление в плоскости <111> в 400 раз медленнее, чем в плоскости <100>. Анизотропное травлении кремниевых пластин (100), ограничиваемое только плоскостью <111>, обеспечивает усеченную пирамидальную форму области травления с углом наклона стенок 54,7О и плоским дном. При длительном травлении формируется V-образная канавка до пересечения двух плоскостей <111>. При изотропном травлении формируется округленная форма.
а) б)
Анизотропное (а) и изотропное (б) травление кремния (100)
