Основные технические данные Головной разработчик полезной нагрузки: итальянская фирма Alenia Spazio

• Количество транспондеров: 12 (4 большой мощности)

• Полоса пропускания канала: 72 МГц

• Постоянная зона обслуживания на территории Республики Казахстан — эллиптической формы 2,5x3,8

• Частотный план: 10950 — 11700 МГц — на передачу

  • 14000 — 14500 МГц — на приём

  • 11199,5 МГц маяк

  • ЭИИМ: не менее 52,5 дБВт (телевизионные стволы)

  • не менее 49,0 дБВт (связные стволы)

• Добротность системы: не хуже 5,3 дБ/К

• Мощность передатчиков:

  • Для ТВ-вещания в режиме насыщения > 65 Вт

  • Для связи и передачи данных в режиме насыщения > 45 Вт

  • Для связи и передачи данных в квазилинейном режиме > 28 Вт

• Энергопотребление: 1300 Вт

• Срок службы: 10-12,5 лет.

• Точка стояния 103 градуса в.д.

2)

Билет № 14

1)

Наноэлектроника — область электроники, занимающаяся разработкой физических и технологических основ создания интегральных электронных схем с характерными топологическими размерами элементов менее 100 нанометров.

Термин «наноэлектроника» логически связан с термином «микроэлектроника» и отражает переход современной полупроводниковой электроники от элементов с характерным размером в микронной и субмикронной области к элементам с размером в нанометровой области. Этот процесс развития технологии отражает эмпирический закон Мура, который гласит, что количество транзисторов на кристалле удваивается каждые полтора-два года.

Однако принципиально новая особенность наноэлектроники связана с тем, что для элементов таких размеров начинают преобладать квантовые эффекты. Появляется новая номенклатура свойств, открываются новые заманчивые перспективы их использования. Если при переходе от микро- к наноэлектронике квантовые эффекты во многом являются паразитными, (например, работе классического транзистора при уменьшении размеров начинает мешать туннелирование носителей заряда), то электроника, использующая квантовые эффекты, — это уже основа новой, так называемой наногетероструктурной электроники.

Наноэлектроника в России[править | править вики-текст]

В России ситуация с развитием наноэлектроники является неоднозначной. Микроэлектроника по сравнению с передним мировым фронтом в России развита достаточно слабо. В наноэлектронике Россия сохранила преимущества, которые были у Советского Союза. Это касается таких областей, как СВЧ-техника, инфракрасная техника, излучательные приборы на основе полупроводников. Россия является родиной одного из наиболее значимых электронных приборов —полупроводникового лазера, за который получил Нобелевскую премию академик Жорес Алфёров.

Во многих областях наноэлектроники стартовые позиции у России достаточно неплохие. На полупроводниковых наногетероструктурах с двумерным электронным газом основывается, например, сотовая связь. Здесь Россия не в лидерах, но сделанные ранее разработки в областях СВЧ, фотоприёмников, излучательных структур, солнечных батарей, силовой электроники и сейчас на очень хорошем уровне.

Государственные компании и программы

Ведущими разработками в области наноэлектроники в России занимаются:

• Национальный исследовательский университет «МИЭТ»

• ФГУП «НИИ физических проблем им. Ф. В. Лукина»

• ФГУП Российский научный центр «Курчатовский институт»

Данные организации назначены головными в отрасли нанотехнологий по таким направлениям, как наноинженерия, наноэлектроника, нанобиотехнология.