75. Объяснить модель замещающих соударений и модель теплового пика?

Модель замещающих соударений.Несмотря на то, что модели атомных смещений, температурного (теплового) пика, пика смещения и замещающих соударений для объяснения радиационных эффектов были рассмотрены независимо, процессы их образования могут происходить одновременно или друг за другом. Взаимодействие или наложение механизмов атомных смещений и температурных (тепловых) пиков, пиков смещения и замещающих столкновений затрудняет количественную оценку относительного вклада каждого из механизмов.

Модель температурного или теплового пика. Осколок деления обычно растрачивает всю свою энергию, а быстрый нейтрон теряет большую долю энергии за счет упругих взаимодействий в очень малой области материала. В этой области в результате быстрого локального разогрева (из-за диссипации в ней энергии) и быстрого охлаждения (из-за быстрого рассеяния тепла и диффузии) смещенные атомы образуют температурный или тепловой пик в зависимости от числа атомов с повышенным колебательным возбуждением. Установлено, что область пика может содержать 500–10000 атомов и иметь температуру 700–1200 ºС в течении короткого периода времени – около 10-10 с.

76. Классифицировать и описать дефекты в кристаллах?

1) Точечные дефекты. В твердых растворах металлов существуют типичные точечные дефекты: междоузельные атомы, которые являются избыточными атомами в твердых растворах; дефекты Шоттки (отсутствие атомов в регулярных положениях); дефекты Френкеля (пары Френкеля), образованные из междоузельного атома и вакансии, которую этот атом покинул.

2) Линейные дефекты. Дислокация возникает, когда в некоторой плоскости нарушается правильная периодичность расположения атомных рядов в решетке кристалла. Существует два рода линейных дефектов, относящихся к дислокациям: краевая или тейлоровская дислокация, в которой дислокационная линия проявляется как край плоскости, составленной из атомов и вставленной в кристалл; винтовая дислокация, в которой ряд атомов на практически обычной кристаллической плоскости образуют спираль, навитую около некоторого кристаллографического направления. Любую дислокацию всегда можно всегда можно охарактеризовать вектором Бюргерса. Строение винтовой дислокации лучше всего видно при трехмерном изображении кристалла.

3) Плоские дефекты. Если линейные дефекты скапливаются в некоторой плоскости, они могут образовывать плоский дефект. Существуют три типа плоских дефектов: субграничный дефект-граница разориентировки между двумя соседними идеальными областями одного и того же кристалла; зернограничный дефект-граница зерен между двумя кристаллами в поликристаллическом теле; дефект упаковки-граница между двумя частями кристалла с плотной упаковкой, на которой меняется порядок укладки плоскостей. Большинство материалов (в том числе и материалы ядерных реакторов) состоит из множества случайным образом ориентированных мелких сцепленных друг с другом кристаллов или зерен. Границы между соседними зернами, должны соответствовать структуре и ориентации всех зерен, составляющих общую границу. Однако структура самих границ зерен может быть искажена.

4) Дислокации, плоскость скольжения, переползание. Дефекты типа линейных или винтовых дислокаций были первоначально введены для объяснения процесса пластической деформации, роста кристалла, электросопротивления и физических свойств металлических твердых тел.