I). Одновидовая схема.

Если R₀>R₁, то ОУ работает в режиме усиления сигнала с инвертированием выходного напряжения.

Если R₀ = R₁ , то ОУ работает в режиме инвертора напряжения.

II). Двувидовое включение оу.

Схема включения II обладает свойствами подавления помехи на входе, что хорошо используется при проектировании схем управления.

Универсальность ОУ заключается в том, что с его помощью можно преобразовать любой сигнал (постоянного или переменного тока) в дискретный сигнал, стыкуемый с цифровыми устройствами микроэлектроники.

При проектировании систем управления на ОУ необходимы различные:

1).Синфазный сигнал →Uсинф

Uсинф = [Uвх.1] + [Uвх.2.]/ 2

2). Дифференциальное напряжение Uдифф

∆1 = Uвх.1 –Uсинф. ∆2 = Uвх.2 – Uсинф.

Uдиф. = ∆1+ ∆2 = Uвх.1 - Uвх.2.

Применения ОУ возможно, если Uдифф ≤ [Uдифф] справочного.

В СУ, в режиме вкл.-откл. аппаратов, протекании переходных процессов могут возникать перенапряжения, поступающие на входы ОУ.

Работа ОУ в режиме суммирования входных напряжений.

сумматор работает при условии U_∑≤U_n формула Uвых…

R₁/h– число входных цепей (сигналов).

При проектировании СУ на ОУ обычно R₁ =R₂ =R₃ =R₄

В настоящее время на ОУ проектируются замкнутые системы электроприводов с обратными связями, которые формируют сигналы управления с использованием - И, ПИ, ПИД – регуляторов.

В СУ обозначают:

. Эмиттер – Э

Коллектор – ЭК

В СУ часто постоянную времени τ изменяют программно за счет включения транзистора VT.

3. Полупроводниковая элементная база силовых электронных устройств м и ртс. Тиристоры: принцип работы, вольтамперные характеристики, важнейшие параметры.

ПП элементная база – это важнейшая база каждого преобразовательного устройства. Данная база содержит в себе силовые полупроводниковые элементы, а именно: тиристоры, динисторы, оптотиристоры, симисторы, транзисторы, диоды, IGBT-транзисторы.

Данные элементы позволяют реализовывать такие приборы, как диодно-тиристорные модули, диодные мосты, управляемые выпрямители и т.д.

Тиристором называется полупроводниковый прибор 4-х слойной структуры с тремя p-n переходами, работающий в режиме открыт/ закрыт.

Рассмотрим физическую структуру в виде:

(Ев → Е₁→Е₃)< Е₂

1). Тиристор в схеме имеет закрытое состояние, т.е. Rвн→∞.

2). Открытое состояние т.е. Rвн→0.

Для того, чтобы в схеме при замкнутом ключе S протекал ток, необходимо подать управляющее напряжение (сигнал)на управляющий электрод УЭ.

Поведение тиристора в закрытом – открытом состоянии определяется вольтамперной характеристикой тиристора (ВАХ)

Представим в координатах Iт =f(UА-К)

Рассмотрим работу тиристора по отдельным участкам ВАХ.

I → (0-А) участок не проводимого состояния тиристора.

Uр.у. < Uпереключения.

II → (А – С), где происходит лавинообразное формирование тока тиристора с отрицательным динамическим сопротивлением тиристора.

III →Рабочий участок →(C-К) →(Iт =0-IТН)

Iу = 0→Iун

Ток управления Iу не может изменяться больше Iун, поскольку это ведет к перегреву p-n перехода элементов управления.

Umax = Uдейств.√2.

Точка С на характеристике характеризует уровень тока удержания тиристора.

Обычно Uпереключ. ≈(1,4 – 1,5)Uрабочей установки.

Uзаг.≈(1,6 – 1,7) Uрабочей установки.

I ут.пр.>I ут.обратн.

Тиристоры имеют определенное значение, в котором можно определить его назначение:

Т – тиристор низкочастотный (f=500Гц.);

ТЧ – тиристор высокочастотный (f=1000 – 2000 Гц.);

ТИ – тиристор импульсный;

СТБ – тиристор сверхбыстродействующий.

Т – 125 – 50 – 6 – А, Б, В

Т - Тиристор низкочастотный

125 – геометрические параметры

50 – номинальный ток

6 – класс точности (6*100=600В 1→22)

А, Б, В – класс А 0,5В, Б - 0,6В, В - 0,75В

Основными требованиями параметрами тиристора являются такие характеристики:

1).

- производная изменения напряженности должна быть меньше справочной.

2).

3). Время включения тиристора tвкл.=3-100мкс.

4). Время выключения t выкл.= 25-150мкс.