Определение параметра s

Для выполнения условия U_си=const выше и ниже ИРТ на характеристики U_зи=-0,25В и U_зи=-0,75В выберем две точки для которых U_си=5В.

Для точкиА: U_зиа=-0,25В I_са=2мА U_сиа=5В,

Для точки В: U_зив=-0,75В I_св=0,8мА U_сив=5В,

Для ИРТ: U_зио=-0,5В I_со=1,3мА U_сио=5В.

Как видно,для трех точек выполняется следующие условия Uси=5В=const. По графикам (Рисунок4.1) определяем приращение между точкамиА и В находим крутизну S:

S= (I_са-I_св)/(U_зив-U_зиа)=(2мА-0,8мА)/(-0,75В-0,25В)=1,2мА/В.

Согласно справочным данным крутизна транзистора КП312Б составляет:S=1…5мА/В.

Определение параметра Ri

Для выполнения условия U_зи=constвыбираем на характеристики U_зи=-0,5В две точки левее и правее ИРТ (pисунок 4.2).

Рисунок 4.2- Определение параметра Rj.

Для точки С: U_сис=3В I_сс=1,2мА U_зис=-0,5В,

Для точки Д: U_сид=7,5В I_сд=1,4мА U_зид=-0,5В,

Для ИРТ: U_сио=5В I_со=1,3мА U_зио=-0,5В.

По графикам (Рисунок 4.2)определяем приращение и находим параметры Rj,

Rj= (3В-7,5В)/(1,2мА-1,4мА)=22,5 кОм.

Определение параметра

В результате того ,что коэффициент имеет довольно большую величину ,то его не редко не возможно измерить в указанной рабочей точки.Тогда этот коэффициент находится после отределения параметров SиRI.

мА/В*22,5кОм=53

Определение параметра Ro

Сопротивление транзистора постоянному току определяем для заданной рабочей точки как отношение постоянного выходного напряжения U_сиок соответствующему постоянному выходному току I_со

R_o=U_сио/I_со=(5В/1,3мА)=3,8кОм.

Заключение

В ходе расчета параметров и характеристик полупроводниковых диодов и транзисторов было выполнено:

1. Расчет и сравнение дифференциального сопротивления выпрямительного диода в двух рабочих точках и сопротивление прямому току в заданной рабочей точке.

2. Расчет и сравнение сопротивления выпрямительного диода прямому и обратному току.

3. Определены параметры стабилитрона: напряжение стабилизации; минимальный, максимальный и номинальный токи стабилизации; дефференциальное сопротивление, изменение напряжения стабилизации на участке.

4. Рассчитаны h – параметры биполярного транзистора в заданной исходной рабочей точки.

5. По выходным вольтамперным характеристикам биполярного транзистора построена линия нагрузки, определено положение исходной рабочей точки, амплитуды выходного тока и напряжения.

6. По выходным вольтамперным характеристикам полевого транзистора определена разновидность транзистора и тип канала, рассчитаны: крутизна, внутреннее дифференциальное сопротивление, коэффициент усиления, сопротивление постоянному току в заданной исходной рабочей точке.

Список используемых источников

1. Аналоговая и цифровая электроника (Полный курс): Учебник для вузов / Опадчий Ю.Ф., Гуров А.И.; Под ред. О.П. Глудкина. – М.: Горячая линия-Телеком, 200. – 768 с.

2. Миловзоров О.В. Электроника: Учебник для вузов / О.В. Миловзоров, И.Г. Панков. – М.: Высш.шк. 2005ю – 288 с.

3. Пасынков В.В., Чиркин Л.К. Полупроводниковые приборы: Учебник для вузов. – СБб.: Издательство ‹‹Лань››, 2001ю – 480 с.

4. Жеребцов И.П. и др. Основы электроники. – Л.: Энергоатоммизмат, 1985.

5. Галкин В.И. и др. Полупроводниковые приборы. Диоды. Транзисторы. Тиристоры: Справочник. – Минск: Беларусь, 1994.

6. Ларич В.И., Савелов Н.С. Электроника: Учебное пособие. – Ростов –на-Дону: Изд-во ‹‹Феникс››, 2001. – 448 с.

25