2 Определение h-параметров биполярных транзисторов

Рассчитать h-параметры h₁₁, h₁₂, h₂₁, h₂₂ биполярного транзистора в заданной исходной рабочей точке.

транзистор	Параметры h11, h12, ИРТ		Параметры h21, h22, ИРТ
	IБ, мА	UКЭ, В	IБ, мА	UКЭ, В
КТ312Б	0.5	5	0.5	10

Параметры h11э и h12э определяют по входным статистическим характеристикам(Рисунок 2.1). Для того что бы нанести положение ИРТ возьмем характеристику Uкэ=5В и на ней отметим точку соответствующую Iб=0.5мА. После этого можем для ИРТ найти Uбэо=048 В.

Рисунок 2.1-Определение параметра h11э биполярного транзистора КТ104В

Определение параметров h11э:

Для выполнения условий Uкэ=const выбираем две точки на характеристики Uкэ=5В рядом с ИРТ(Рисунок 2.1).

Для точки А: Uбэа=0.5В; Iба=0.6мА; Uкэа=5В;

Для точки В: Uбэв=0.45В; Iбв=0.3мА; Uкэв=5В;

Для ИРТ: Uбэо=0.48 В; Iбо=0.5мА; Uкэо=5В.

Как видно для всех трех точек выполняется равенство Uкэ=5В=const по графикам (Рисунок2.1) определяем приращение точками А и В находим параметры h11э:

h11э= (Uбэа-Uбэв)/(Iба-Iбв)=166.67Ом.

Определение параметров h12э:

Рисунок 2.2-Определение параметра h12э биполярного транзистора КТ104В

Для выполнения условий Iб=const на характеристике Uкэ=0В выбираем точку С для которой Iб=0.4мА.(Рисунок 2.2).

Для точки С: Uбэс= 0.3В Uкэс=0В Iбс=0.5мА;

Для ИРТ: Uбэо=0.48В Uкэо=5В Iбо=0.5мА.

Как видно для этих двух точек выполняется условие Iб=20мА=const. По графикам находим (Рисунок2.2) определяем приращение между точками С и ИРТ находим параметры h12э:

h12э= (Uбэо-Uбэс)/(Uкэо-Uкэс)=0.036.

Параметры h21э и h22э определяют по выходным статистическим вольт-амперным характеристикам (Рисунок 2.3).Для того чтобы найти положение ИРТ : Iбо=300мкА Uкэо=5В выходную характеристику при Iб=0.5мА и на ней отметим точку соответствующую Uкэо=5В. После этого для заданной ИРТ найдем : Iко=12.5мА.

Рисунок 2.3-определение параметра h21э биполярного транзистора КТ104В

Определение параметров h21э:

Для выполнения условий Uкэ=const выберем две точки т.А и т.В выше и ниже ИРТ на характеристиках Iб=400 мкА и Iб=0мкА для которых Uкэ=10В (Рисунок 2.3)

Для точки А: Iка=17.5мА; Iба=400мА; Uка=5В;

Для точки В: Iкв=7.5м; Iбв=200мА; Uкв=5В;

Для ИРТ: Iко=12.5мА; Iбо=300мА; Uко=5В.

Как видно для этох трех точек выполняется условие Uкэ=10В=const. По графикам (Рисунок2.3) определяем приращение между точками Д и Е находим параметры h21э:

h21э= (Iкд-Iке)/(Iбд-Iбе)=50.

Определение параметров h22э:

Рисунок 2.4-определение параметра h22э биполярного транзистора КТ104В

Для выполнения условия Iб=const выбераем на характеристике Iб=300мА две точки С и Д (Рисунок2.4)

Для точки С: Iкс=12мА; Uкэс=2.5В; Iбс=300мкА;

Для точки Д: Iкд=13мА; Uкэд=7.5В; Iбд=300мкА;

Для ИРТ: Iко=12.5мА; Uкэо=5В; Iбо=300мкА.

Как видно для этих точек выполняется следующие условия Iб=200мкА=const. По графикам (Рисунок2.2) определяем приращение между точками G и F находим параметры h22э:

h22э= (Iкg-Iкf)/(Uкэg-Uкэf)=0.2мА/В.

Отметим важную особенность что приращение токов и напряжений при определении различных параметров находятся при разных условиях и поэтому не равны между собой . Например при расчете h21э и h22э используется приращение тока коллектора Однако в первом случае оно определяется при Uкэ=сonst а во втором при Iб=const как было показано ранее

.