Правила выполнения и оформления контрольных работ

При выполнении контрольных работ необходимо строго придерживаться указанных ниже правил. Работы, выполненные без соблюдения этих правил, не зачитываются и возвращаются студенту для переработки.

1. Каждая контрольная работа должна быть выполнена на отдельной тетради в клетку чернилами любого цвета, кроме красного.

2. Титульный лист контрольной работы оформляется в соответствии с образцом, приведенным в «Методических указаниях к выполнению контрольных работ по курсу «Основы технологии электронной компонентной базы» для студентов заочной формы обучения» (см. приложение).

3. В заголовке работы указываются номера задач в том порядке, как они расположены в варианте. При выполнении работы необходимо оставлять с правой стороны листа поля шириной 4 – 5 см для замечаний рецензента.

4. В работу должны быть включены все задачи, указанные в задании строго по положенному варианту. Решения задач следует располагать в порядке номеров варианта. Контрольные работы, содержащие не все задачи задания, а также задачи не своего варианта, не зачитываются.

5. Перед решением каждой задачи надо полностью выписать ее условие. В том случае, если несколько задач, из которых студент выбирает задачи своего варианта, имеют общую формулировку, следует, переписывая условие задачи, заменить общие данные конкретными, взятыми из соответствующего номера.

6. Решение задач следует излагать, подробно и аккуратно объясняя и мотивируя свои действия по ходу решения и делая необходимые чертежи.

7. Срок выполнения контрольной работы – 1,5 месяца с момента выдачи задания.

8. После получения прорецензированной незачтенной работы студент должен исправить все отмеченные рецензентом ошибки и недочеты и выполнить все рекомендации рецензента.

Если рецензент предлагает внести в решение задач те или иные исправления или дополнения и прислать их для повторной проверки, следует сделать это в короткий срок.

В случае незачета работы и отсутствия прямого указания рецензента на то, что студент может ограничиться представлением исправленных решений отдельных задач, вся работ должна быть выполнена заново.

При высылаемых исправлениях должна обязательно находиться прорецензированная работа и рецензия на нее, поэтому рекомендуется при выполнении контрольной работы оставлять в конце тетради несколько чистых листов для всех дополнений и исправлении в соответствии с указаниями рецензента. Вносить исправления в сам текст работы после ее рецензирования запрещается.

9. Зачтенные контрольные работы хранятся на кафедрах.

МЕТОДИЧЕСКИЕ УКАЗАНИЯ

К ВЫПОЛНЕНИЮ КОНТРОЛЬНЫХ РАБОТ

КРАТКИЕ ТЕОРЕТИЧЕСКИ СВЕДЕНИЯ

ИНТЕГРАЛЬНЫЕ СХЕМЫ

Современные интегральные схемы (ИС), можно разделить по способу изготовления например: все элементы некоторых находятся, в толще кристаллической подложки. Однако существуют и другие разновидности ИС показанные на следующем рисунке.

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ИС

Эти наиболее распространенные ИС формируются на кремниевой подложке по пленарной технологии. В зависимости от вида используемых активных элементов различают полупроводниковые ИС типа МОП (полевые транзисторы с управляющим переходом в микроэлектронике используют редко) и биполярные полупроводниковые ИС, в дальнейшем называемые просто ИС.

ПЛЕНОЧНЫЕ ИС

В этих изделиях отдельные элементы и межэлементные соединения выполняются на поверхности диэлектрика, в качестве которого обычно берут керамику. Используется технология нанесения пленок из соответствующих материалов. В зависимости от вида наносимой пленки принято различать тонкопленочные и толстопленочные ИС. В первом случае толщина пленок не превышает 1 мкм. Пленки наносят путем вакуумного испарения, химического осаждения, катодного распыления и т.д. Удается создать резисторы сопротивлением от 10 Ом до 1 МОм, конденсаторы емкостью от 0,1 пФ до 20 нФ, катушки индуктивности с номиналом до 2 мкГн, а также тонкопленочные транзисторы, аналогичные МОП-приборам, в которых в качестве полупроводника используется сернистый кадмий (CdS). Толщина пленки толстопленочных ИС колеблется от 15 до 45 мкм. Такие пленки получают с помощью шелкотрафаретной технологии, нанося нужный рисунок специальной краской. Удается получить резисторы сопротивлением от 10 Ом до 1 МОм, конденсаторы емкостью до 8 нФ, катушки индуктивностью до 4,5 мкГн, а также различные соединительные проводники. Активных элементов с помощью данной технологии не создают. Разработаны способы подгонки номиналов элементов, входящих в состав пленочных ИС.