Угфс 14 дмх при ам
Для неискаженной передачи информации необходимо, чтобы форма огибающей AM колебаний воспроизводила форму модулирующего сигнала. Для этого возникающие линейные и нелинейные искажения, а также шум не должны превышать допустимых значений. Для оценки качества воспроизведения модулирующего сигнала удобно пользоваться динамическими модуляционными характеристиками (ДМХ).
Динамическая модуляционная (или амплитудная) характеристика показывает зависимость глубины модуляции от амплитуды модулирующего напряжения. Вид характеристики примерно одинаков для всех способов AM и показан на рисунке:
Динамическую характеристику можно получить из статической, если в системе нет линейных искажений. При малых амплитудах UQ глубина модуляции мала и рабочим является линейный участок СМХ. Поэтому динамическая характеристика на начальном участке есть прямая линия, идущая из начала координат. При амплитудах UQ >UQ макс глубина модуляции m>mмакс, поэтому захватываются участки верхних и нижних изгибов СМХ. На динамической характеристике это соответствует появлению верхнего загиба.
Из-за паразитной модуляции (фон, шумы) минимальная глубина модуляции должна превышать пороговую.
УГФС 15 Коллекторная модуляция в передатчиках
Аналогом анодной модуляции является коллекторная модуляция. Однако здесь теряется одно из основных преимуществ анодной модуляции — высокое использование ламп, так как максимальное напряжение на коллекторе транзистора ограничено предельно допустимым значением. Вследствие этого при коллекторной модуляции транзистор отдает при мерно такую же мощность, как и при базовой. Поскольку в транзисторе нежелателен перенапряженный режим, а проницаемость ничтожно мала, коллекторная модуляция на один каскад при постоянном возбуждении не дает эффекта, и поэтому нужно модулировать также и возбудитель (на базу).
На низких частотах входная и выходная реактивные проводимости транзистора малы по сравнению с проводимостями реактивных элементов контура, поэтому схемы модуляции и методы расчета режима в основном аналогичны для ламповых. На более высоких частотах расчет режима необходимо вести с учетом инерционных свойств транзистора. С повышением частоты входная и выходная емкости транзистора составляют заметную часть контурных емкостей Величины их зависят от режима работы транзистора и построения контура.
Угфс 16 Выбор режима выходного каскада при коллекторной модуляции
Ответ: По аналогии с лампами, в транзисторах в недонапряженном режиме глубокая модуляция невозможна, т.к. мала крутизна характеристики iк=f(Eк).
Глубокая модуляция появляется в критическом и перенапряженном режимах. За счет действия ООС (за счет Rб) в цепи автосмещения напряженность режима ослабляется и в целом оказывается, что при коллекторной модуляции с автосмещением напряжённость режима остаётся близкой к критическому.
