2.1. Проверка исправности диодов трехфазного выпрямительного моста

При отключенных от сети входных цепях мостового выпрямителя и отключенном от АИН двигателе производят измерение сопротивлений выходных и входных цепей моста. Если диоды моста не пробиты, то выходные цепи моста

W₇ – W₈ должны «звониться» только при одной полярности подключения щупов омметра а входные точки выпрямительного моста L₁, L₂, L₃ , рис.2 не должны «звонится» между собой. Проверка заключается в измерении сопротивлений R_W7,W8, R_{L1,L2 ,} R_L2,L3 , R _L3,L1 при разной полярности щупов омметра_. При этом оцениваются как величина так и разброс сопротивлений между фазами. Результаты измерений сопротивлений выходных и входных цепей заносят в табл. 1.

Таблица 1.

Полярность омметра	RW7,W8	RL1,L2	RL2,L3	R L3,L1
Прямая
Обратная

При выполнении измерений необходимо учитывать, что напряжения источника питания омметра может не хватить для открывания диодов в прямом направлении (особенно при проверке высоковольтных диодов). Результаты измерений сопротивлений зависят от величины напряжения источника питания омметра. В связи с этим величина измеренного сопротивления может отличаться от сопротивления на спрямленном участке вольт-амперной характеристики диода, например, вместо значения порядка 2 Ом можно, в результате измерений, получить 20 Ом.

Если измерения во входных и выходных цепях моста указывают на наличие неисправности, то необходима проверка каждого из диодов анодной и катодной групп. Проверку производят измерением «прямого» и «обратного» сопротивлений цепей W₈ - L₁, W₈ - L₂, W₈ - L₃ и W₇ - L₁, W₇ - L₂, W₇ - L₃ ( на рис.2 W₈ обозначена общая точка катодной группы моста - плюс, а W₇ - анодной - минус). Данные измерений заносят в табл. 2, по величине и разбросу сопротивлений делают выводы об исправности диодов выпрямительного моста.

Таблица 2

Полярность омметра	RL1W7	RL2W7	RL3W7	RL1W8	RL2W8	RL3W8
Прямая
Обратная

2.2. Проверка исправности транзисторов инвертора и шунтирующих их обратных диодов

С помощью справочных данных, определяют расположение выводов и основные характеристики полупроводниковых приборов.

С помощью омметра измеряют сопротивления переходов силовых транзисторов R_{Э – К}, R_{К – Э}, R_{Б – Э}, R_{Э – Б}, R_{К –Б} , R_{Б – К}. Результаты измерений при проверке исправности мостового инвертора, выполненного на транзисторах VT1 – VT6 и диодах VD3 – VD8, заносят в табл. 3.

Таблица 3

VT1 Сопротивл. Ом

VT2 Сопротивл. Ом

VT3 Сопротивл. Ом

VT4 Сопротивл. Ом

VT5 Сопротивл. Ом

VT6 Сопротивл. Ом

Полярность омметра

RБЭ

RБК

RКЭ

RБЭ

RБК

RКЭ

RБЭ

RБК

RКЭ

RБЭ

RБК

RКЭ

RБЭ

RБК

RКЭ

RБЭ

RБК

RКЭ

Прямая

Обратная

При измерениях необходимо учесть, что между эмиттером и коллектором в обратном направлении включен шунтирующий диод, поэтому сопротивление этого перехода определяется сопротивлением обратного диода в прямом направлении. Сопротивление R_К–Э в прямом направлении должно составлять десятки мОм. Сопротивление переходов R_Б-Э , R_Б-К в прямом направлении должно составлять несколько десятков Ом. Сопротивление переходов R_Б-Э, R_Б-К в обратном направлении должно составлять несколько десятков мОм. Если сопротивления R_{Э – К} и R_{К_- Э} одинаковы и «малы», то это говорит о том, что обратный диод пробит, если же эти сопротивления одинаковы и «велики» - структура оборвана.

Исправность транзистора можно дополнительно проверить путем закорачивания перехода база–коллектор, при приложенном прямом напряжении к коллекторно – эмиттерной цепи. Сопротивление перехода коллектор-эмиттер R_К-Э исправного транзистора при этом должно резко уменьшиться и составить, например, несколько десятков Ом вместо десятков мОм. Если же этого не происходит, то транзистор неисправен.

Убедившись в исправности силовых транзисторов и шунтирующих их обратных диодов, производят проверку наличия «паразитных» связей. При проверке убеждаются в том, что коллекторная и эмиттерная группы не «звонятся» между собой. Значения сопротивлений между эмиттерной и коллекторной группами приводят в отчете.

В заключение оценивают идентичность характеристик силовых транзисторов. Для этого сравнивают значения сопротивлений переходов транзисторов. Значения сопротивлений переходов коллектор-эмиттер не должно отличаться между собой более чем на 3…5%. Транзисторы должны иметь небольшой разброс сопротивлений коллектор-эмиттер для равномерной загрузки фаз по току. Различие в сопротивлениях переходов R_Б-Э , R_Б-К каналов незначительно сказывается на симметрии токов фаз в связи с тем, что транзисторы работают в ключевом режиме.

В отчете делают выводы о наличии паразитных связей, исправности транзисторов и обратных диодов, идентичности характеристик.