- •Саратов 2006 г Введение
- •1. Сегнетоэлектрики. Основные понятия и определения
- •2. Устройство и работа установки исследоаония электрических свойств сегнетоэлектриков (иэсс).
- •Описание структурной схемы и принципа действия установки (иэсс)
- •Устройство измерительного блока установки иэсс.
- •ПрограммнЫй интерфейс установки иэсс.
- •Основное меню [6]
- •Окно параметров [6]
- •Окно установки вида графика [6]
- •Панель инструментов [6]
- •Окно базы данных
- •Окно измерений [6]
- •Проведение измерений на установке иэсс.
- •Измерение петли гистерезиса [6]
- •Измерение температурных зависимостей диэлектрической проницаемости и тангенса угла диэлектрических потерь [6]
- •Измерение основной кривой поляризации [6]
- •Просмотр и анализ результатов измерений из базы данных [6]
- •Формирование отчета [6]
- •5. Порядок выполнения работы [6]
- •6. Требования техники безопасности.
- •7.Содержание и оформление отчёта
- •8. Вопросы для самопроверки
- •Литература
2. Устройство и работа установки исследоаония электрических свойств сегнетоэлектриков (иэсс).
Общий вид установки представлен на рисунке 2.
Рисунок 2 . Общий вид установки
Измерительный блок включает в себя схему формирования измерительного сигнала воздействия, которая используется для подачи переменного напряжения на исследуемый образец, схему измерений (модифицированная схема Сойера-Тауера), мультиплексор, термостат.
Сигналы поступают из измерительного блока в персональный компьютер, с помощью которого осуществляется наблюдение, и измерение параметров петли гистерезиса, температурных и полевых зависимостей диэлектрической проницаемости и тангенса угла диэлектрических потерь. Образец исследуемого материала установлен в термостате расположенном в измерительном блоке. [6]
Описание структурной схемы и принципа действия установки (иэсс)
Структурная схема измерений представлена на рисунке 3, на которой используются следующие обозначения:
М – мультиплексор;
НЭ – нагревательный элемент;
ПК – персональный компьютер;
ПН – повторитель напряжения;
СИТ – схема измерения температуры;
СУ – схема управления.
УИН – управляемый источник напряжения;
Рисунок 3. Структурная схема измерений
Измерительный сигнал воздействия с резистора R подается на диагональ измерительного моста, состоящего из резисторов R1 и R2, конденсатора C0 и образца Cx. Приложенное напряжение падает в основном на исследуемом образце, так как емкость Cx << C0.
Напряжение, снимаемое с конденсатора C0 пропорционально электрическому смещению в образце, а напряжение, снимаемое с резистора R2, пропорционально напряженности электрического поля. Эти сигналы через мультиплексор подаются на входы аудио платы в ПК. Коммутация измерительных сигналов осуществляется по определенному алгоритму с помощью схемы управления сигналом с выхода аудио платы. Кроме того, в ПК вводится информация о температуре в термокамере с выхода схемы измерения температуры. Управление температурным режимом измерений осуществляется с помощью нагревательного элемента термокамеры и управляемого источника напряжения, который также включается схемой управления по сигналу из ПК.
Амплитуда измерительного сигнала устанавливается с помощью переменного резистора выведенного на лицевую панель измерительного блока.
Таким образом, программное обеспечение автоматизированного лабораторного стенда получает информацию об измеряемых физических величинах, производит обработку измерительных сигналов и отображает результаты измерения на экране монитора в графическом и табличном виде.
Все сигналы с измерительной схемы подаются на ЭВМ, которая производит необходимые расчеты при помощи следующих основных формул:
,
где q - заряд на сегнетоэлектрическом конденсаторе; С0 - емкость образцового конденсатора; U0 - напряжение на образцовом конденсаторе.
,
где E – напряженность поля в сегнетоэлектрическом конденсаторе; h – толщина образца; U – напряжение на сегнетоэлектрическом конденсаторе;
.
Здесь ст – статическая диэлектрическая проницаемость; qm - максимальный заряд; Um- максимальное напряжение; S - площадь образца;
,
где tg – тангенс угла диэлектрических потерь; Sp – площадь петли; K – масштабный коэффициент. [6]
