- •Резисторы, конденсаторы, индуктивности.
- •2.Электропроводность полупроводников. Полупроводников физические процессы в p-n переходе.
- •3. Типы полупроводниковых диодов. Их параметры и вольт-амперные характеристики.
- •7. Построение нагрузочной прямой и гиперболы допустимой мощности для однокаскадного усилителя собранного по схеме с оэ.
- •8. Двухтактный усилитель мощности на биполярных транзисторах. Принцип работы и основные характеристики.
- •Условия самовозбуждения
- •10. Фильтры индуктивные, емкостные, смешанные. Емкостные и индукционные фильтры
- •Емкостные фильтры
- •11.Основы Булевой алгебры. Основные элементы цифровой схемотехники.
3. Типы полупроводниковых диодов. Их параметры и вольт-амперные характеристики.
Полупроводниковым диодом называют полупроводниковый прибор с одним р-n-переходом и двумя выводами, в котором используются свойства перехода.
Все полупроводниковые диоды подразделяют на два класса: точечные (выпрямительные, СВЧ-диоды, обращенные диоды, фотодиоды, полупроводниковые фотоэлементы) и плоскостные (выпрямительные, стабилитроны, туннельные, варикапы, светодиоды).
Вольт-амперные
характеристики:
Для точечного диода ВАХ при различных температурах приведены на рис 1.13. Из-за малой площади контакта прямой ток таких диодов сравнительно невелик. По той же причине у них мала и межэлектродная емкость, что позволяет применять эти диоды в области очень высоких частот (СВЧ-диоды). Точечные диоды используют в основном для выпрямления.
Для плоскостного выпрямительного диода ВАХ на рисунке 1.15. При подаче на полупроводниковый диод обратного напряжения в нем возникает незначительный обратный ток, обусловленный движением неосновных носителей заряда через р-n-переход.
Основными параметрами выпрямительных диодов являются:
1.прямое напряжение Uпр, которое нормируется при определенном прямом токе Iпр;
2.максимально допустимый прямой ток диода Iпр мах.
3.максимально допустимое обратное напряжение диода Uобр мах;
4.обратный ток диода Iобр, который нормируется при определенном обратном напряжении Uобр.
4.Димисторы, тиристоры, симисторы, переключающие диоды. Основные параметры и вольт-амперные характеристики. Тиристором - называют полупроводниковый прибор с тремя (или более) р-п-переходами, вольт-амперная характеристика которого имеет участок с отрицательным дифференциальным сопротивлением и который используется для переключения. Тиристоры делят на диодные иначе назыв динисторы (несимметричный диодный тиристор, симметричный диодный тиристор) и триодные иначе называют тринисторы (несимметричный триодный тиристор, симметричный триодный тиристор). Основные параметры: Напряжение переключения: постоянное – UПРК, импульсное –UПРК И, анодный ток IА, Обратный ток IОБР, ток управления IУ .
Вах
динистора
,
тиристора
,
симистора
5.
Биполярные и полевые транзисторы.
Принцип работы. Основные параметры и
вольт- амперные характеристики.
Т
ранзи́стор—
радиоэлектронный компонент из
полупроводникового материала, обычно
с тремя выводами, позволяющий входным
сигналам управлять током в электрической
цепи. Обычно
используется для усиления, генерирования
и преобразования электрических сигналов.
Типы транзисторов: полевые и биполярные.
Типы полевых: с управляющим p-n
переходом и с изоляцией затвора.
Биполярные делят на два типа p-n-p
и n-p-n,
которые в свою очередь подразделяются
на низкочастотные, среднечастотные,
ВЧ, СВЧ и малой мощности, средней мощности
и большой мощности.
Принцип
работы. Между
коллектором и базой транзистора типа
n-p-n
приложено положительное U.
Когда эмиттерный ток IЭ=0,
небольшой ток в транзисторе через
коллекторный переход IК0
обусловлен движением только неосновных
носителей заряда (дырок из коллектора
в базу, электронов из базы в коллектор).
При повышении температуры число
неосновных носителей заряда увеличивается
и ток IК0
резко возрастает.при подключении
эмиттера к отрицательному зажиму
источника питания возникает эммитерный
ток IЭ.
так как внешнее U
приложено к эмиттерному переходу в
прямом направлении, электроны преодолевают
переход и попадают в область базы. База
выполнена из p-полупроводника,
поэтому электроны являются для нее
неосновными носителями заряда. Электроны,
попавшие в область базы, частично
рекомбинируют с дырками базы. Однако
базу обычно выполняют очень тонкой из
p-полупроводника
с большим удельным сопротивлением
(малым содержанием примеси), поэтому
концентрация дырок в базе низкая и лишь
немногие электроны, попавшие в базу,
рекомбинируют с ее дырками, образуя ток
IБ.
Большинство же электронов вследствие
теплового движения (диффузия) и под
действием поля коллектора (дрейф)
достигают коллектора, образуя составляющую
коллекторного тока IК.
Основными
вольтамперными характеристиками
транзистора являются входная и выходная
Основные параметры: Максимально допустимая мощность PК MAX, Максимально допустимый ток коллектора IК MAX, Максимально допустимое напряжение между коллектором и базой транзистора UКБ MAX, Напряжение насыщения коллектор–эмиттер UКЭ НАС, Импульсный ток коллектора IКИ, Статический коэффициент передачи тока h21Э, максимально допустимый ток базы IБ MAX. 6. Типы усилителей. Классы(режимы) усиления.
Усилитель
-устройство, преобразующее входные
электрические сигналы малой мощности
в выходные электрические сигналы большой
мощности; развязка сигнала от других
цепей; согласование сопротивлений.
Классификация:1) по способу включения
транзистора (с общим эмиттером, общей
базой, общим коллектором) 2) по выбору
рабочей точки (классы А,АВ,В,С) 3) по
выполняемой функции (усилители напряжения,
тока, мощности) 4) по диапазону усилительных
частот (усилитель низкой частоты(УНЧ),
УВЧ и УСВЧ). Виды связей 1) непосредственная
(резистивная) (достоинства: простота,
min
стоимость и габариты, усиление частот
от 0 до max.
Классы
усиления : класс А
Класс
В
Класс
АВ
Класс
С
