- •Общие положения
- •Теоретический материал
- •1. Структура и основные параметры мдп транзистора
- •2. Влияние параметров транзисторов на характеристики имс
- •1). Коэффициент усиления k.
- •2). Быстродействие.
- •Выводы по разделам 1-2.
- •3. Основные параметры идеализированного транзистора Пороговое напряжение
- •3.3. Влияние подложки
- •3.2. Вах мдпт (классическая модель)
- •3.4. Законы масштабирования
- •Эффекты малых размеров
- •Влияние длины канала
- •Влияние ширины канала
- •Смыкание опз стока и истока
- •Контрольные вопросы
- •Литература
- •Пример выполнения работы
- •1. Основные соотношения из теоретической части (методика верификации)
- •Задание
- •Исследование короткоканальных эффектов
- •Исходные данные
- •Результаты
- •Пример выполнения работы (пошаговая инструкция)
- •Порядок выполнения работы
- •Порядок выполнения работы
- •Варианты заданий для самостоятельной работы
- •1. Задание
- •2. Исходные данные
- •3. Порядок выполнения работы
- •4. Результаты
- •Форма представления отчета.
3.4. Законы масштабирования
1).
Ток стока
Согласно уравнениям (3.14)
.
Таким образом,
пропорциональное изменение длины и ширины канала не меняет ВАХ.
2). Пороговое напряжение VT, определенное соотношениями (3.7) зависит от свойств подложки и диэлектрика через параметр
(параметр
зависит от концентрации примеси в
подложке N
очень слабо — логарифмически). Удельня
емкость диэлектрика
,
а поверхностная плотность заряда
.
Отсюда сдедует, что пороговое напряжение не изменяется при сохранении постоянными параметров
(т.е. отношение
)
и
.
При
типичных значениях
~ 0,03 мкм;
Ф/см2.и
Кл/см2
вклад заряда поверхностных состояний
в пороговое напряжение составляет
30 мВ.
Таким образом, параметр QSS слабо влияет на величиу VT.
3). Коэффициент подложки
[B1/2]
сохраняется при тех же правилах масштабирования, что и VT .
При пропорциональном уменьшении длины и ширины канала крутизна не меняется, а емкость CGS ~ L2 . Поэтому возрастает квадратично !
При этом В БИС с регулярной структурой задержка сигнала ~ , и с уменьшением длины канала быстродействие возрастает квадратично.
В
БИС с нерегулярной структурой задержка
сигнала ~
.
Если технологические нормы снижать
пропорционально длине канала L,
то Cl
~ L2.
Таким образом, при
уменьшении длины канала быстродействие
также возрастает квадратично.
При малых геометрических размерах сформулированнные законы масштабирования не выполняются.
Эффекты малых размеров
Закон масштабирования:
Характеристики МДПТ не изменяются при одновременном уменьшении топологических размеров (L, Z) и вертикальных размеров (def, l, xj).
Если не изменять рабочие напряжения, размеры ОПЗ (def, l, xj) могут быть пропорционально уменьшены только при квадратичном увеличении концентрации легирующей примеси в подложке, что невозможно.
Поэтому параметры МДПТ изменяются при уменьшении размеров.
3 группы эффектов малых размеров:
1)
увеличение продольного поля
;
2) краевые эффекты в ОПЗ;
3) эффект близости ОПЗ под стоком и истоком.
Эффекты 1-й группы рассмотрены.
Краевые эффекты в ОПЗ изменяют эффективное значение поверхностного заряда ОПЗ под затвором. Как следствие изменяется пороговое напряжение.
Влияние длины канала
;
.
,
где
— толщина ОПЗ под истоком;
— толщина ОПЗ под стоком;
Эффект
ослабляется
при уменьшении
.
Следствия:
1).
Зависимость
. 2).
Зависимость
.
n-канал
р-канал
VGS
ID
Штриховые линии
—
уменьшение L,
увеличение VDS
Влияние ширины канала
n-канал
р-канал
VGS
ID
Штриховые линии
—
уменьшение Z
Смыкание опз стока и истока
Для понимания эффекта рассмотрим протекание тока в диэлектрике при инжекции в него носителей заряда.
Пусть
в образец прямоугольного сечения длиной
,
инжектированы избыточные электроны.
При напряжении
протекает ток плотностью
.
;
.
Отсюда:
. (1)
а)
Случай
слабого поля:
,
n
= const1. Из
(1):
.
Интегрируя
по y
от 0 до y,
при
получим:
;
;
.
Отсюда:
.
б) Случай сильного поля: , vn = vs = const. Из (1):
.
Интегрируя по y от 0 до y, при получим:
,
.
Отсюда:
.
В
МДП транзисторах с малой длиной канала
близость ОПЗ стока и истока приводит к
их смыканию при увеличении
до
В
режиме смыкания (
)
электроны, инжектированные из истока,
подхватываются полем в ОПЗ стока, которая
является для них потенциальной ямой. К
основному току канала добавляется ток
инжектированных в подложку носителей
,
ограниченный пространственным зарядом.
где
— торцевая площадь n+-
истока (рис. 9.6а). В общем случае
.
Ток стока резко возрастает при .
Условие смыкания:
.
;
;
.
Для повышения напряжения смыкания следует уменьшать толщину п+-областей и увеличивать концентрацию примеси в подложке N.
