- •Введение
- •Общие требования к оформлению курсовой работы
- •1 Описание силовой схемы и процессов её работы
- •2 Расчёт основных параметров трансформатора
- •3 Расчёт процессов коммутации выпрямителя
- •4 Расчёт характеристик выпрямителя
- •5 Расчёт количества вентилей в плече выпрямителя
- •6 Расчёт условий охлаждения силовых полупроводниковых вентилей выпрямителя
- •7 Расчёт индуктивности цепи выпрямленного тока
- •8 Расчёт условий функционирования выпрямителя при максимальном выбранном значении угла управления
- •9 Разработка функциональной схемы системы управления тиристорами выпрямителя
- •10 Порядок выполнения курсовой работы
- •1 Силовая схема выпрямителей и описание процессов его работы
- •2 Расчёт процессов сетевой γ1 и регулируемой γ2 коммутаций
- •3 Расчёт основных параметров трансформатора
- •4 Расчёт характеристик выпрямителя
- •6 Расчёт условий охлаждения силовых полупроводниковых вентилей
- •11 Задание для выполнения курсовой работы
- •Заключение
- •1. Условные обозначения и классификация отечественных полупроводниковых приборов
- •2. Условные обозначения и классификация зарубежных полупроводниковых приборов
- •3. Условные графические обозначения полупроводниковых приборов
- •4. Условные буквенные обозначения полупроводниковых приборов в электрических схемах.
6 Расчёт условий охлаждения силовых полупроводниковых вентилей выпрямителя
В процессе работы мощных выпрямителей, которые осуществляют питание электродвигателей электроприводов постоянного тока, требуется отводить тепло от силовых вентилей при прохождении по ним тока и обеспечивать их надлежащее охлаждение с целью сохранения надёжной работы выпрямителя.
При расчёте требуется оценить мощность рассеяния тепловой энергии на силовом вентиле, сделать выбор условий отвода тепла и выполнить расчёт параметров охладителя. Различают четыре основных режима работы силовых полупроводниковых вентилей:
а) статический или длительный режим;
Этот
режим имеет место при неизменном или
изменяющемся в малых пределах (до 20%)
прямом токе (его среднее или действующее
значение) через силовой вентиль (диод
или тиристор), под действием которого
вентиль может нагреться до допустимой
температуры за время
с учётом условий охлаждения. Так при
естественном охлаждении время
~ 2 000 с, а при принудительном охлаждении
составляет до 600 с в зависимости от
скорости обдува воздухом охладителя.
б) повторно-кратковременный режим;
Этот
режим имеет место при изменяющемся
дискретно от нуля до максимума токе или
напряжении с циклической последовательностью.
Состояние вентиля определяется значением
эквивалентной температуры его
полупроводниковой структуры, диапазоном
её изменения и числом тепловых переходов.
При этом время
прохождения тока и время
паузы меньше
.
в) импульсный или кратковременный режим;
Этот режим характеризуется большой скважностью импульсов тока, и нагрев вентиля определяется мгновенным значением температуры его полупроводниковой структуры и локальным перегревом горячих точек. Здесь
и
.
г) ждущий режим;
Этот режим имеет место тогда, когда вентиль находится в непроводящем состоянии при приложенном постоянном или переменном напряжении. Нагрев вентиля в данном случае определяется локальным перегревом полупроводниковой структуры током утечки при приложении обратного напряжения к диоду и током закрытого состояния при приложении прямого напряжения к тиристору.
Таким образом, при выборе условий охлаждения необходимо рассчитать тепловые параметры с учётом особенностей режима работы вентиля по мощности потерь, возникающих при прохождении тока и выделяемых в небольшом объёме полупроводниковой структуры вентиля. Кроме этого, необходимо проанализировать прохождение теплового потока через несколько слоёв разнородных материалов металлов до выхода его в окружающую среду.
Известно [4], что термоэлектрические процессы определяются не только выделяющейся в вентиле мощностью, но и системой охлаждения.
Анализ
теплоэлектрических процессов в системе
«вентиль –охладитель – окружающая
среда» основывается на аналогии между
уравнениями теплопередачи и законом
Ома для электрической цепи [4]. В
соответствии с моделями подобия отвод
тепла от источника выделяющейся мощности
рассматривается как протекание потока
этой мощности
от более высокого температурного
потенциала Tj
к более низкому потенциалу
,
(АТ
= Tj
– Та,)
через сечение теплоотвода S [7]. В результате
коэффициент теплопередачи системы
,
Вт/К*см2,
определяется соотношением
(6.1)
(6.2)
где
– коэффициент теплоотдачи отдельных
участков тепловой цепи в окружающую
среду.
Для системы «вентиль – охладитель – окружающая среда» термоэлектрическую эквивалентную схему можно представить в виде разветвленной цепи прохождения теплового потока от источника выделяемой мощности до окружающей среды с температурой (рис. 6.1).
Рисунок 6.1 – Термоэлектрическая эквивалентная схема вентиля с радиатором
– средняя мощность рассеяния на кристалл вентиля;
– температурный потенциал перехода
кристалл-корпус вентиля;
– температурный потенциал корпуса;
– температурный потенциал среды;
– выравниватель р температурного
потенциала к ОК;
– тепловое сопротивление «корпус –
вентиля – среда»;
– тепловое сопротивление «охладитель
– среда»;
– тепловое сопротивление «кристалл –
вентиля – корус»;
– тепловое сопротивление «корпус
вентиля – охладитель».
Для
выбранного типа вентиля при известных
параметрах рабочего режима дополнительно
необходимо подобрать тип радиатора,
его материал, положение вентиля в нём,
а также установить требования на условие
сборки вентиля с охладителем. Для
выполнения этих требований необходимо
иметь значения максимально допустимой
температуры перехода «кристалл вентиля
– корпус», т. е.
(К)
и типовые значения теплового сопротивления
в установившемся статическом режиме
«корпус вентиля – охладитель» (табл.
6.1).
Если известны указанные выше параметры, то можно определить показатели отдельных элементов эквивалентной схемы. Так, полное эквивалентное тепловое сопротивление между кристаллом вентиля и внешней средой находим из соотношения
(6.3)
Согласно
эквивалентной схеме замещения (рис.
6.1) это сопротивление
определяется равенством
(6.4)
Таблица 6.1 – Типовые значения теплового сопротивления «корпус вентиль – охладитель»
Тип корпуса |
Материал изолирующей прокладки |
|
|
С селиконовой смазкой |
без селиконовой смазки |
||
ТО-3 |
Без изолирующей прокладки: фторопласт - 4 мкм (тефлон) слюда (50-100 мкм) |
0,1 0,7 – 0,8 0,5 – 0,7 |
0,3 1,25 – 1,45 1,2 – 1,5 |
ТО-66 |
Без изолирующей прокладки: слюда (50-100 мкм) пластик(50-100 мкм) |
0,15 – 0,2 0,6 – 0,8 0,6 – 0,8 |
0,4 – 0,5 1,5 – 2,0 1,2 – 1,4 |
ТО-220АВ |
Без изолирующей прокладки: слюда (50-100 мкм) |
0,3 – 0,5 2,0 – 2,5 |
1,5 – 2,0 4,0 – 6,0
|
ТО-3Р(L) |
Без изолирующей прокладки: слюда (50-100 мкм) |
0,1 – 0,2 0,5 – 0,7 |
0,4 – 1,0 1,2 – 1,5 |
Так
как обычно температура корпуса
выше температуры
окружающей среды, то можно использовать
выражение
(6.5)
где
можно взять из справочных данных на
полупроводниковые приборы [3-6].
В случае малой мощности рассеяния , Вт, когда охладитель практически не нужен (и велико), получим
(6.6)
Если
охлаждение вентиля идет в основном
за счет радиатора, т. е. тепловое
сопротивление
|
|
Для
радиатора в виде плоской прямоугольной
пластины с вентилем, расположенным
посредине радиатора, при температуре
окружающей среды 45
и отсутствии рядом других источников
тепла площадь поверхности охлаждения
[3]:
(6.8)
где
– толщина основания охладителя;
– поправочный коэффициент на расположение
радиатора в изделии;
– коэффициент теплопроводности, Вт/К*см.
Определив
по известным параметрам
– (табл. 6.2),
(табл.6.3),
-
и
,
можно определить линейные размеры
охладителя, считая, что форма радиатора
прямоугольная.
Таблица 6.2 – Коэффициент теплопроводности – материалов охладителя и прокладок при 350 К
Элемент |
Материал |
|
Радиатор |
Алюминий Медь Латунь Сталь |
2,08 3,85 1,1 0,46 |
Прокладка |
Слюда Оксид бериллия |
0,006 2,1 |
Таблица 6.3 – Значения поправочного коэффициента положения охладителя и состояния его поверхности
Положение охладителя |
Состояние поверхности |
|
блестящая |
чернёная |
|
Вертикальное Горизонтальное |
0,85 1,0 |
0,43 0,5 |
Чтобы
увеличить эффективность охлаждения,
т. е. уменьшить тепловое сопротивление
,
используют ребристые радиаторы. Для
такого охладителя в зависимости от
и
по кривым (рис. 6.2) можно выбрать длину
одного радиатора (рис. 6.3) и уточнить
влияние обработки поверхности охладителя
на его размеры.
Р
исунок
6.2 – Характеристики типового охладителя:
а – анодированная поверхность; б – черная матовая поверхность
Пример расчёта параметров охладителя для силового вентиля.
Необходимо
выбрать охладитель к тиристору Т-133-320-9
таблеточного типа при работе его в
импульсном режиме с длительностью
включенного состояния
Коэффициент заполнения δ = 0,1. Пиковое
значение мощности рассеяния в импульсе
Рр
=
1 000 Вт. Температура окружающей среды
не более
.
Рисунок 6.3 – Зависимость теплового сопротивления «охладитель-среда» от длины охладителя для чёрной матовой поверхности
Решение:
1)
Выберем дополнительные справочные
данные для принятого типа тиристора.
Максимальное значение среднего тока
для открытого состояния Iос.ср.max
= 320 А;
импульсное напряжение на вентиле в
открытом состоянии Uосн
= 2 В [7], т. е. мощность рассеяния без
радиатора не должна превышать Рос.max.н
= 640 Вт. Следовательно, необходим
охладитель, поскольку
.
Конструкция тиристора [6, рис. П.43]
предполагает использование радиатора
для тиристора таблеточного типа.
Тепловое
сопротивление «переход-корпус»
в статическом режиме составляет 0,06°
с/вт [6; с. 86 и 87]. По другим данным [7, табл.
6] значение
и тепловое сопротивление контакта
«корпус тиристора-охладитель»
,
при этом предполагается использование
радиатора типа Т1112 с усилием сборки (10
000+100°)
Н
для диаметра контактной поверхности
охладителя тиристора 50 мм. Однако
согласно конструкции Т133-320-9 этот диаметр
– 30 мм. Здесь необходимо отметить, что
этот тиристор охлаждается с двух торцевых
поверхностей, поэтому будем считать,
что данные теплового сопротивления
учитывают двустороннее охлаждение.
2) Проверка предельно допустимых типовых значений мощности рассеяния для заданного импульсного режима работы тиристора: уточняем значение теплового сопротивления «переход – корпус». По кривым [6, рис. 6] находим
Тогда
= 0,14
= 0,14
0,06
= 0,0084°С / Вт.
Допустимое значение пиковой мощности рассеяния определяется по формуле
где
=
-
,
=
=
93°С. [6]
Тогда
= 3 809 Вт,
т.
е. рабочее значение
>
,
что подтверждает возможность работы
тиристора в заданном импульсном режиме.
3) Расчёт тепловых сопротивлений в системе «корпус тиристора –охладитель – окружающая среда».
Полное тепловое сопротивление системы
где мощность рассеяния в статическом режиме
0,1∙1 000 = 100 Вт.
Тогда при = 125°С получаем
=0,8°С/Вт.
Теперь в соответствии с теплоэлектрической эквивалентной схемой замещения (см. рис. 6.1) определим тепловое сопротивление «охладитель –окружающая среда» из соотношения
=
0,8 – 0,0084 – 0,015 = 0,777°С/Вт.
4. Расчёт параметров радиатора
При выборе параметров радиатора предполагаем его выполненным из алюминия, т. е. = 2,08 Вт/К (табл. 6.2) с горизонтальным расположением = 1 (табл. 6.3).
Для упрощённой оценки площади охлаждения радиатора используем формулу (5.8), где под площадью охлаждения понимаем площадь лишь одной половинки радиатора, имеющей тепловой контакт с одной из торцевых сторон тиристора, но при этом тепловое сопротивление «охладитель – окружающая среда» увеличивается в два раза, т. е.
см2
Таким образом, общая площадь для двух частей радиатора составит 1321,2 см2 при толщине основания = 16 мм.
Теперь по результатам расчёта можно выбирать типовой охладитель по государственному стандарту.
