Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
Билеты для АПБс по КиОЭ и ВиПЭ.docx
Скачиваний:
1
Добавлен:
01.07.2025
Размер:
57 Кб
Скачать
☆

Экзаменационный билет № 13

Направление подготовки 210106 «Промышленная электроника»

Специальность 210106 «Промышленная электроника»

Кафедра ЭиМЭ

Дисциплина СД.01 «Квантовая и оптическая электроника»

Часов по ГОС ВПО (ОС МГТУ) 120час.

Экзаменатор: доц., к.т.н. Леванов В.В.

  1. Понятие инверсной населенности в свете статистики Больцмана. Механизм и способы создания инверсной населенности.

  1. Назначение, условное обозначение, конструкция, параметры и принцип действия фоторезисторов. Применение фоторезисторов.

  2. Найти длину оптического кабеля, при которой оптическая мощность вводимого излучения уменьшится в 10 раз, если коэффициент затухания составляет 0,2 дБ/км.

  3. . Фотоумножитель содержит 5 динодов. Каким будет его анодный ток, если коэффициент вторичной эмиссии для всех динодов одинаков и равен двум, квантовый выход катода равен единице, а катод поглощает монохромное излучение с длиной волны 0,5мкм и мощностью 6мВт?

__________Леванов В.В.

Министерство образования и науки Российской Федерации

Федеральное агентство по образованию

ГОУ ВПО «МГТУ»

УТВЕРЖДАЮ

Зав. кафедрой, д.т.н., проф.

С.И.Лукьянов 17.05. 2013

Экзаменационный билет № 12

Направление подготовки 210106 «Промышленная электроника»

Специальность 210106 «Промышленная электроника»

Кафедра ЭиМЭ

Дисциплина СД.01 «Квантовая и оптическая электроника»

Часов по ГОС ВПО (ОС МГТУ) 120час.

Экзаменатор: доц., к.т.н. Леванов В.В.

  1. Понятие накачки, обоснование ее необходимости и способы осуществления.

  1. Основные характеристики и параметры фоторезисторов. Способы защиты от их отказа.

  1. Уменьшение оптической мощности Р(х) при прохождении расстояния x выражается законом Бугера- Ламберта через коэффициент поглощения α. Найти соотношение между α, измеряемым в [м-1] и коэффициентом поглощения, выраженном в [дБ/км/].

  2. Физическая сущность фотоэдектронной эмиссии.

__________________Леванов В.В.

Министерство образования и науки Российской Федерации

Федеральное агентство по образованию

ГОУ ВПО «МГТУ»

УТВЕРЖДАЮ

Зав. кафедрой, д.т.н., проф.

С.И.Лукьянов

17.05. 2013

Экзаменационный билет № 11

Направление подготовки 210106 «Промышленная электроника»

Специальность 210106 «Промышленная электроника»

Кафедра ЭиМЭ

Дисциплина СД.01 «Квантовая и оптическая электроника»

Часов по ГОС ВПО (ОС МГТУ) 120час.

Экзаменатор: доц., к.т.н. Леванов В.В.

1. Спонтанное и вынужденное излучения. Уширение спектральных линий, связанное со спонтанными переходами. Примеры спонтанного излучения.

2. Назначение, условное обозначение, принцип действия, конструкция и параметры фотодиодов с p-n переходом. Применение фотодиодов.

3. На каком расстоянии от фотодиода, имеющего площадь активной поверхности 1 см2 и величину квантового выхода 10% должен находится светодиод, излучающей на длине волны с λмах=0,555нм при силе света в одну канделу, чтобы ток фотодиода имел импульсный характер c частотой импульсов 10Гц?

4. Определить время пролёта электрона от катода до анода вакуумного диода при анодном напряжении 100В и расстоянии между анодом и катодом 4мм.

__________________Леванов В.В.

Министерство образования и науки Российской Федерации

Федеральное агентство по образованию

ГОУ ВПО «МГТУ»

УТВЕРЖДАЮ

Зав. кафедрой, д.т.н., проф.

С.И.Лукьянов

17.05. 2013