Вариант 2.

1. Какими частицами создаётся ток в полупроводниках? Выберите правильное утверждение.

А. Только электронами. Б.Электронами и положительными ионами.

В. Электронами и отрицательными ионами. Г.Ионами обоих знаков.

Д.Электронами и ионами обоих знаков.

2. Почему уменьшается сопротивление полупроводника при нагревании? Выберите правильное утверждение.

А. Изменяется межатомное расстояние.

Б.Увеличивается интенсивность колебательного движения заряженных частиц.

В. Увеличивается число свободных зарядов. Г.Увеличивается скорость движения электронов.

Д .Среди ответов А-Г нет верного.

3. Какой из графиков представляет собой вольт-амперную характеристику металла при R≠const?

I U А.

I U Б.

I U В.

I U Г.

I U Д.

4. Какой из графиков представляет собой зависимость ρ (Т) для электролита?

ρ Т А.

ρ Т Б.

ρ Т В.

ρ Т Г.

ρ Т Д.

5. Полупроводник обладает преимущественно дырочной проводимостью. Какие примеси присутствуют в полупроводнике?

А. Донорные. Б. Акцепторные. В. Примесей нет.

Г. Создана равная концентрация донорных и акцепторных примесей.

Д. Среди ответов А-Г нет верного.

6. Почему акцепторная примесь влияет только на число дырок в полупроводнике?

А. Т.к. каждый атом примеси даёт электрон проводимости.

Б. Каждый атом примеси даёт дырку.

В. При введении примеси число электронов увеличивается, а число дырок уменьшается.

Г. Число электронов уменьшается, а число дырок увеличивается.

Д. Среди ответов А-Г нет верного.

7. Какой элемент нужно использовать в качестве примеси к Si, чтобы он приобрел электронную проводимость?

А. Любой металл. Б. Любой неметалл. В. Элемент с большей валентностью.

Г. Элемент с меньшей валентностью. Д. Элемент с валентностью, равной валентности Si.

8. Почему в полупроводниковом диоде ток прямого включения очень велик?

А. Приконтактная область при прямом включении обедняется основными носителями заряда.

Б. Направление движения электронов противоположно направлению тока.

В. Приконтактная область обогащается основными носителями заряда.

Г. Уменьшается число основных носителей заряда. Д. Среди ответов А-Г нет верного.

9. Какой прибор используют для получения тепла?

А. Полупроводниковый диод. Б. Транзистор. В. Резистор. Г. Генератор.

Д. Лампа накаливания.

10. Как обозначается на схеме полупроводниковый транзистор?

А.

Б.

В.

Г.

Д.

11. Какой из графиков представляет собой ВАХ вакуумного диода?

I U А.

I U Б.

I U В.

I U Г.

I U Д.

12. Каким образом освобождаются электроны из катода в газоразрядной трубке?

А. В результате термоэлектронной эмиссии.

Б. В результате бомбардировки катода положительными ионами.

В. Под действием поля между анодом и катодом.

Г. В результате электролиза. Д. В результате ионизации ударом.

13. Что из перечисленного ниже обнаруживает зависимость силы тока от полярности приложенного напряжения?

А. Полупроводник p-типа. Б. Полупроводник n-типа.

В. Транзистор. Г. Диод.

Д. Среди ответов А-Г нет верного.

14. Сколько молекул хлора выделится при пропускании через раствор HCl тока силой 100 мА в течение 16 с?

А. 10²². Б. 5∙10²¹. В. 10¹⁹. Г. 5∙10¹⁹. Д. 1,6∙10¹⁹.

15. Почему вакуумный диод обладает односторонней проводимостью?

А. При прямом включении ток большой.

Б. При обратном включении поле анода и катода не дает электронам замкнуть цепь.

В. Т.к. внутри диода вакуум. Г. Т.к. диод можно включать только в одном направлении. Д. Среди ответов А-Г нет верного.

16. Какое минимальное по абсолютному значению количество электричества может быть перенесено током через вакуум?

А. 1,6∙10^-19 Кл. Б. 3,2∙10^-19 Кл. В. Любое сколь угодно малое.

Г. Зависит от времени пропускания тока. Д. Среди ответов А-Г нет верного.

17. Какие действия тока наблюдаются при прохождении его через сверхпроводник?

А. Тепловое, химическое и магнитное. Б. Химическое и магнитное.

В. Тепловое и магнитное. Г. Тепловое и химическое. Д. Только магнитное.