- •(Сборник лекций) Бийск 2006
- •Проблемы современной микроэлектроники.
- •Оптоэлектроника.
- •Приборы с зарядовой связью.
- •Устройство активной зоны пзс
- •Характерные временные интервалы в пзс.
- •1) Время тепловой генерации заряда.
- •2) Время перетекания заряда между соседними электродами. (Динамическое время)
- •3) Время установления потенциала.
- •Ввод информации в пзс
- •В ывод информации из пзс
- •Оптический способ ввода информации в пзс.
- •Перемещение носителя информации в активной зоне пзс.
- •Пзс в системах обработки информации.
- •Специализированные зу на пзс
- •Архитектура зу с последовательно-параллельной организацией.
- •Акустооптический эффект
- •Оптическое волокно Краткое описание принципов работы
- •Элементы и приборы акустоэлектроники
- •Акустоэлектроника изучает:
- •3. Акустоэлектрические преобразователи
- •5.1 Конструкции пьезокерамических элементов.
- •4. Резонансные явления в устройствах функциональной акустоэлектроники.
- •Колебательных систем:
- •6. Пьезокерамические трансформаторы.
- •6.1 Основные типы и конструкции пт
- •Табл 6.1 Основные характеристики пт напряжения
- •Пьезофильтры
- •11.2 Амплитудные (ам) модуляторы
- •12. Конструкции акустических линий задержки.
- •12.1 Улз на объемных волнах.
- •Краткая характеристика акустических волн в твердых телах
- •Поверхностные акустические волны
- •Линия задержки на пав с разьюстированным преобразователем.
- •9. Отражательные решетки
- •Резонаторы на пав
- •Рис Резонаторы на пав: а) одновходовой, б) двухвходовой; 1- отражательная решетка,
- •Качество отражательной решетки определяет значение добротности резонатора на пав:
- •Схемы подключения резонаторов.
- •10. Акустоэлектрический эффект.
- •Свч генератор на основе диода Ганна
- •Магнитоэлектроника.
- •Магнитодиоды
- •Магнитодиодный усилитель
- •Углеродные нанотрубки: их свойства и применение.
Пзс в системах обработки информации.
В 1970-1975 гг. ПЗС предполагали использовать как устройства обработки информации. На основе ПЗС можно реализовать линии задержки цифрового или аналогового сигнала ( устройства динамической памяти).
Рис. Линия задержки на ПЗС. N – количество ячеек.
Максимальное число ячеек N определяется отношением времени тепловой регенерации электронно-дырочных пар т к динамическому времени D.
Число ячеек может достигать N = 103 – 104. Длина линии задержки на ПЗС может достигать 10 мм.
Если
необходимо увеличить длину линии
задержки, то есть сделать число элементов
больше, чем это позволяет отношение
, то прибегают к регенерации сигнала.
Рис. Линия задержки на ПЗС с регенератором.
Комбинация цепей вывода сигнала, транзисторного усилителя и ввода называется регенератором сигнала. В схеме усилителя может быть предусмотрена коррекция формы импульса, очистка импульсного сигнала от шумов.
Специализированные зу на пзс
На основе ПЗС можно реализовать запоминающие устройства с последовательным вводом-выводом информации.
Последовательный характер обращения информации в ЗУ на ПЗС определяет их невысокое быстродействие. Существующие серийные ЗУ на ПЗС с последовательной выборкой по способу организации памяти можно разбить на три класса: ЗУ с серпантинно-петлевой организацией; ЗУ с последовательно-параллельной организацией; ЗУ с произвольной выборкой и строчной адресацией.
Серпантинно-петлевая архитектура ЗУ
Рис. Схема ЗУ с серпантинно-петлевой организацией.
ЗУ представляет собой цепь последовательно соединенных ПЗС-регистров сдвига, управляемых синхронно общими тактовыми импульсами и замкнутыми в кольцо посредством петли обратной связи. Между регистрами предусмотрены устройства регенерации. Информация на входе и выходе имеет одну и же частоту, равную тактовой частоте управления. Число элементов между регенераторами выбирается исходя из эффективности передачи заряда и минимальной тактовой частоты. Максимальное время выборки из памяти определяется общим числом элементов в цепи и максимальной тактовой частотой. Основным достоинством такой организации является схемотехническая простота. Серпантинно-петлевая организация не обеспечивает высокой плотности упаковки элементов из-за встречного направления движения заряда в соседних регистрах и необходимости включения большого числа схем регенерации, увеличивающих плотность кристалла примерно на 25%.
Архитектура зу с последовательно-параллельной организацией.
Рис. Схема ЗУ с последовательно-параллельной организацией.
Информация вводится в верхний последовательный регистр сдвига, заполняет его и в параллельной форме сдвигается в первую строку матрицы параллельных регистров, а затем продвигается к нижнему последовательному регистру сдвига , откуда последовательной форме поступает на выход. Передача информации в параллельной форме по внутренней матрице позволяет значительно уменьшить количество передач при обращении того же объема информации , что и в последовательных ЗУ с серпантинно-петлевой организацией.
Недостатком такой организации является усложнение управления, поскольку необходимы две системы тактовых импульсов.
Данная организация позволяет создать ЗУ с очень высокой плотностью упаковки элементов, площадь которых ограничивается лишь шириной каналов переноса.
