4.4 Проектирование формирователя длительности импульсов

Принципиальная схема формирователя длительности импульсов приведена на рисунке 4.4, в соответствии с этой схемой производится расчет и выбор элементов формирователя длительности импульсов.

Рисунок 4.4 - Схема электрическая принципиальная формирователя длительности импульсов. Для реализации логических элементов берется ранее выбранная микросхема. Резистор R₁ ограничивает входной ток логического элемента на допустимом уровне, его сопротивление определяется по формуле

(4.7)

Подставляем значение в формулу (4.7)

Диод VD₁ необходим для отсечки отрицательной полуволны прямоугольного напряжения, поступающего на логические элементы. Выбирается диод, имеющий максимальное; обратное напряжение и номинальный прямой ток.

Резистор R₁ и конденсатор С₁ времязадающую цепочку, которая определяет длительность открывающего импульса. Длительность открывающего импульса берется из паспортных данных и задается емкость конденсатора, после чего рассчитывается сопротивление резистора R₂ по формуле (4.2).

Для реализации логических элементов берем раннее выбранную микросхему серии К561ЛА7 и К561ЛА10, выбираем резистор R1 марки МЛТ-0,125-10 Ом ±5%

Диод марки D223 выбираем с параметрами: постоянное прямое напряжения 1В, постоянный обратный ток 1 мкА, средне выпрямленный ток 50 мкА, конденсатор С1 марки К 7363-1мкф ±10%.

4.5 Проектирование распределителя импульсов

Принципиальная схема распределителя импульсов приведена на рисунке 4.5, в соответствии с этой схемой производится выбор элементов составляющих схему.

Для реализации логических элементов берется ранее выбранная микросхема.

Рисунок 4.5 - Схема электрическая принципиальная распределителя импульсов

Для реализации логических элементов берем раннее выбранную микросхему серии К561ЛА7.

4.6 Проектирование выходного формирователя

Принципиальная схема выходного формирователя приведена на рисунке 4.6, в соответствии с этой схемой производится расчет и выбор элементов выходного формирователя.

Рисунок 4.6 - Схема электрическая принципиальная выходного формирователя

Транзистор n-р-n типа выбирается с необходимыми параметрами.

Резистор R₁ ограничивает ток базы на допустимом уровне. Его сопротивление определяется на основе максимально возможного напряжения на базе транзистора по формуле (4.3).

Диод VD₁ препятствует появлению напряжения обратной полярности на переходе коллектор-эмиттер транзистора. Диод VD₂ предназначен для того, чтобы не допустить появление обратной полярности на управляющем электроде тиристора. Эти диоды выбираются с максимально обратным напряжением и номинальным прямым током.

Резистор R₂ ограничивает ток управляющего электрода тиристора на допустимом уровне, его сопротивление определяется, исходя из максимально возможного значения напряжения в цепи управляющего электрода по формуле

(4.8)

где U_УЭ - напряжение в цепи управляющего электрода тиристора, В;

I_УЭ - максимальный ток управляющего электрода тиристора, А.

Подставляем значения в формулу (4.8)

Резистор R₃ и конденсатор С₁ представляют собой R-C фильтр.

Транзистор VT1 выбран ранее КТ 201, резистор R1 марки МЛТ-0,125 500 кОм ±5%[4], диоды VD1,VD2 выбираем марки D223, резистор R2 марки МЛТ-0,125 75 Ом ± 5%, резистор R3 марки МЛТ-0,125 10 Ом ± 5%.выбираем конденсатор С1 серии К7363-1 мкф ±10.