- •Датчики и элементы автоматики
- •Казань 2003
- •Введение.
- •Лабораторная работа № 1. Исследование параметров и характеристик полупроводниковых терморезисторов
- •Основные параметры и характеристики птр.
- •Методика снятия вах птр.
- •Задание.
- •Вопросы для подготовки к работе.
- •Лабораторная работа №2. Исследование переходных процессов в цепях с полупроводниковыми терморезисторами.
- •Лабораторная работа №3. Исследование индуктивных и индукционных преобразователей
- •1. Общие сведения об индуктивных и индукционных преобразователях.
- •2. Индуктивные преобразователи.
- •4. Вопросы для самопроверки.
- •5. Описание лабораторной установки.
- •Лабораторная работа № 4. Исследование емкостного датчика
- •1. Общие сведения
- •2. Описание лабораторной установки.
- •3. Порядок выполнения работы.
- •4. Оформление отчета.
- •Контрольные вопросы.
- •Лабораторная работа 5. Исследование потенциометрических преобразователей.
- •1.Общие сведения.
- •2.Проволочные потенциометры.
- •3. Анализы работы потенциометрических преобразователей.
- •3.1 Работа в режиме холостого хода.
- •3.2 Работа в наружном режиме.
- •3.3. Погрешности потенциометрических преобразователей.
- •4. Расчет потенциометрических датчиков.
- •5. Описание лабораторной установки.
- •Лабораторная работа № 6 исследование характеристик фотоэлектрических преобразователей.
- •1. Общие сведения.
- •2. Описание лабораторной установки.
- •3. Задание.
- •4. Порядок выполнения работы.
- •5. Оформление отчета.
- •Контрольные вопросы.
- •Лабораторная работа №7. Исследование датчиков холла
- •1. Общие сведения.
- •1.2. Датчики Холла.
- •2. Описание лабораторной, работы.
- •3. Порядок, выполнения работы.
- •Контрольные вопросы:
- •Литература.
- •Содержание
- •Датчики и элементы автоматики лабораторный практикум Учебное пособие
2. Описание лабораторной установки.
Лабораторная работа представляет собой установку, в состав которой входят:
источник света с регулируемой величиной освещенности. (рег. R1)
три типа фотоэлементов (вакуумный фотоэлемент, фоторезистор, фотодиод)
блок коммутации позволяющий подключать миллиамперметр, вольметр и регулируемое напряжение питания к соответствующим фотоэлементам (перекл. П1)
блок питания.
Функциональная схема лабораторной установки представлены на рис. 6.10.
Рис. 6.10 Функциональная схема лабораторной установки.
Перед выполнением работы следует ознакомится с внешним видом, описанием работы и органами управления лабораторной установки.
3. Задание.
Снять семейство вольт-амперных и световых характеристик фотоэлемента. Рассчитать удельную чувствительность в заданной рабочей точке.
Снять семейство вольт-амперных и световых характеристик фоторезисторов. Рассчитать удельную чувствительность и темновую кратность сопротивления.
Снять вольт-амперные характеристики фотодиода в вентильном и диодном режимах.
4. Порядок выполнения работы.
4.1. Требования безопасности.
пройти инструктаж по техники безопасности:
расписаться в соответствующем журнале.
4.2. Экспериментальная часть:
включить лабораторную установку (перекл. сеть в положение вкл.).
выбрать тип исследуемого элемента переключателем П1.
для снятия вольт-амперных характеристик, задать значение освещенности L резистором R1. Меняя значения напряжения на фотоэлементах резисторами R2-R4, снять показания миллиамперметра и вольтметра.
для снятия световых характеристик, фиксируем величину приложенного напряжения (Uфэ, Uфр, Uфд)
меняя величину освещенности L снимаем показания миллиамперметра.
для снятия вольт-амперной характеристики диода в вентильном режиме фиксируем величину освещеннолсти L и меняя величину сопротивления нагрузки R5 снимаем показания миллиамперметра и вольтметра.
5. Оформление отчета.
Отчет должен содержать:
а) цель работы.
б) функциональную схему лабораторной установки.
в) краткое описание каждого типа фотоэлемента.
г) таблицы с экспериментальными данными и графическими зависимости
;
для всех типов фотоэлементов.
д) выводы по работе.
Контрольные вопросы.
Внешний фотоэффект.
Внутренний фотоэффект.
Фотоэффект в запирающем слое.
Сравнительная характеристика фотоэлементов, фоторезисторов и фотодиодов.
Лабораторная работа №7. Исследование датчиков холла
Цель работы: Изучение принципа действия и назначения датчиков Холла; определение статической характеристики. Работа выполняется в течение одного занятия. Перед выполнением работы необходимо по настоящим указаниям ознакомиться с физическими основами работы гальваномагнитных полупроводниковых приборов.
1. Общие сведения.
Гальваномагнитные эффекты.
Под
гальваномагнитным полупроводниковым
прибором понимают устройство, в котором
используется два гальваномагнитных
эффекта - эффект Холла и эффект изменения
сопротивления в магнитном поле. Сущность
этих явлений можно уяснить с помощью
рис.7.1, на котором изображена прямоугольная
полупроводниковая пластина, к узким
боковым граням которой с помощью
электродов подводится электрический
ток
.
Посередине широких боковых граней
пластины друг против друга находятся
еще два электрода. Вольтметр
подключен к контактам, подводящим
ток, а вольтметр
- ко второй паре контактов, расположенных
на широких гранях пластины. Поместим
полупроводниковую пластину в воздушный
зазор электромагнита. Если через
обмотку электромагнита ток не течет,
то вольтметр
покажет напряжение равное
,
где
- активное сопротивление пластины.
Индекс 0 - означает, что сопротивление
пластины измерено в
отсутствии
магнитного поля
.
Другой
прибор
не покажет напряжение; поскольку
контакты, к которым он присоединен,
находятся на линии равного потенциала.
Если через обмотку электромагнита
пропустить ток, то полупроводниковая
пластина окажется в магнитном поле с
индукцией
.
Вектор
при этом направлен перпендикулярно
плоскости пластины. Тогда вольтметр
покажет высокое напряжение, т.е.
сопротивление
увеличится
на некоторую величину
;
прибор
отметит некоторое напряжение
.
Исследование влияния напряженности и
полярности магнитного поля на холловское
напряжение и на изменение сопротивления
показывает, что независимо от вида
полупроводникового материала эти
эффекты характеризуются следующими
свойствами:
а)
Напряжение Холла
меняет знак при изменении полярности
магнитного поля. При этом одинаковым
(по абсолютной величине) значениям
индукции соответствуют примерно
одинаковые абсолютные значения напряжения
Холла. В первом приближении напряжение
Холла, пропорционально величине
и выражается следующей формулой:
(7.1)
где
- толщина пластины в направлении вектора
магнитной индукции;
- постоянная Холла, величина характерная
для каждого полупроводникового материала
и зависящая, вообще говоря, от
.
б)
Величина,
- на которую увеличивается сопротивление
пластины при включении магнитного поля,
не зависит от направления тока в обмотке
электромагнита. Для сопротивления
в магнитном поле с индукцией
существует приближенная зависимость:
(7.2)
В малых
магнитных полях функция,
зависящая только от абсолютной величины
,
пропорциональна
.
Таким образом, гальваномагнитными
называют такие преобразователи, принцип
действия которых основан на использовании
физических явлений, возникающих при
воздействии магнитного поля на движущийся
заряд.
В настоящее время известно четыре гальваномагнитных эффекта - два поперечных и два продольных. Поперечный эффект Холла состоит в возникновении поперечной разности потенциалов (э.д.с. Холла), пропорциональной магнитной индукции и току, протекающему по проводнику. Эффект Эттингаузена - в появлении поперечной разности температур. Эффект изменения сопротивления в магнитном поле - в изменении продольного сопротивления проводника и эффект Нериста - в появлении продольной разности температур.
Из указанных эффектов в технике широкое применение нашли только Холла и эффект Гаусса (магнитосопротивления).
Рис. 3.
Как правило, в большинстве гальваномагнитных преобразователей одновременно в той или иной мере возникают несколько или все четыре гальваномагнитных эффекта. Вместе с тем специфические особенности преобразователей, способствующие наиболее яркому проявлению того или иного эффекта, позволяют разделить их на преобразователи Холла, и преобразователи, основанные на изменении внутреннего сопротивления.
