2.3. Экспериментальная часть

Магнитные свойства полученных пленок мультиферроиков:

В таблице приведены данные о магнитных свойствах некоторых твердых раствора.

Соединение	Магнитные свойства
	Температура (К)	Коэрцитивная Сила (Тл)	Остаточная удельная намагниченность, (emu/g)	Спонтанная намагниченность	Изменение намагниченности в поле (8Тл)
Gd0,2Bi0,8FeO3 La0,15Gd0,05Bi0,8FeO3 La0,05Gd0,15Bi0,8FeO3 La0,10Gd0,10Bi0,8FeO3 La0,2Bi0,8FeO3	T = 5 K	0,064 0,115 0,120 0,168 0,841	0,805 0,659 0,521 0,353 0,163	0,127 0,567 0,476 0,332 0,159	19,595 15,197 10,770 6,479 7,996
Gd0,2Bi0,8FeO3 La0,15Gd0,05Bi0,8FeO3 La0,05Gd0,15Bi0,8FeO3 La0,10Gd0,10Bi0,8FeO3 La0,2Bi0,8FeO3	T = 30 K	0,057 0,282 0,235 0,406 0,837	0,468 0,351 0,355 0,243 0,162	0,382 0,338 0,345 0,242 0,159	11,670 7,870 6,593 3,274 0,779
Gd0,2Bi0,8FeO3 La0,15Cd0,05Bi0,8FeO3 La0,05Gd0,15Bi0,8FeO3 La0,10Gd0,10Bi0,8FeO3 La0,2Bi0,8FeO3	T = 100 K	0,405 0,432 0,422 0,572 0,991	0,387 0,343 0,309 0,228 0,156	0,322 0,338 0,305 0,223 0,156	4,473 3,620 2,870 1,843 0,772
Gd0,2Bi0,8FeO3 La0,15Gd0,05Bi0,8FeO3 La0,05Gd0,15Bi0,8FeO3 La0,10Gd0,10Bi0,8FeO3 La0,2Bi0,8Feo3	T = 300 K	0,729 0,580 0,445 0,602 0,755	0,308 0,281 0,260 0,200 0,146	0,241 0,275 0,251 0,192 0,136	0,508 0,402 0,378 0,284 0,192

3.Применение

Пленки феррита висмута как материалы, проявляющие свои магнитоэлектрические свойства при комнатных температурах, могут использоваться в сенсорах магнитного поля, в производстве высокодобротных магнитооптических устройств обработки и хранения информации, магнитных сенсоров, емкостных электромагнитов, невзаимных сверхвысокочастотных фильтров, элементах магнитной памяти, а также в интегральной СВЧ технике.

Эффект движения магнитных доменных границ под действием электрического поля может найти применение в устройствах памяти, запись информации в которых осуществляется не перемагничиванием элемента памяти, а смещением доменной стенки (концепция памяти на доменных границах, NEC Corporation, IBM). Вместо общепринятых в настоящее время методов управляемого перемещения доменных границ посредством импульсов магнитного поля или спинового тока (и то и другое приводит к значительным потерям энергии) в данной работе предлагаются методы воздействия на микромагнитную структуру электрическим полем[32].

Предсказанный эффект зарождения в магнитной наночастице под действием электрического поля от точечного электрода вихревого или антивихревого распределения намагниченности (в зависимости от электрической полярности), позволяет рассматривать данную систему как прототип электрически переключаемого элемента магнитной памяти с двумя логическими состояниями.