5. Выбор упч и детектора
Исходные данные:
Промежуточная частота: 465 кГц
Диапазон принимаемых частот: 30 Гц…4,3 кГц.
Полоса пропускания: 8,7 кГц.
Динамический диапазон на выходе: 10 дБ.
В качестве УПЧ и амплитудного детектора будем использовать ИМС К157ХА2. Описание ИМС дано в приложении Б. Данная микросхема применяется в паре с микросхемой К157ХА1 и обеспечивает глубину регулировки АРУ на входе не менее 42 дБ. при 6 дБ. на выходе.
На выходе детектора стоит фильтр. Рассчитаем его верхнюю частоту:
6. Выбор унч
В качестве УНЧ будем использовать усилитель мощности К174УН4А. Описание ИМС дано в приложении В.
7. Выбор оконечного устройства
Для воспроизведения звукового сигнала будет использоваться динамический громкоговоритель 5ГДШ-1.
Тип |
Rном, Ом |
Fрез, Гц |
Д-он част. Гц |
Пас порт ная мощ ность, Вт |
Крат коврем. мощ ность, Вт |
5ГДШ-1 |
4 |
80 |
80…12500 |
3 |
5 |
Таблица 7.1 – параметры динамического громкоговорителя 5ГДШ-1
8. Построение результирующих характеристик
Построение результирующих характеристик произведем в MathCad 14.
Нормированные характеристики находятся по формулам:
f0=6,2 МГц – середина заданного диапазона.
АЧХ пресселектора:
fmin
fmax
fзк
Рисунок 8.1 – АЧХ преселектора
9. Заключение
В данном курсовом проекте, согласно техническому заданию, был спроектирован стационарный радиовещательный приемник, предназначенный для приема сигналов КВ диапазона.
Радиовещательный приемник был спроектирован по схеме супергетеродинного приемника, которая состоит из преселектора, в который входит входная цепь, УРЧ и контур УРЧ, преобразователя частоты, ФСС, УПЧ, детектора и УНЧ. В качестве нагрузки выбран громкоговоритель 5ГДШ-1.
Приемник имеет следующие характеристики:
Параметры |
Получено |
По заданию |
|
Чувствительность |
36 мкВ |
определить |
|
Избирательность, дБ |
|
||
- по соседнему каналу |
40 |
40 |
|
- по зеркальному каналу |
44 |
40 |
|
- по каналу прямого прохождения |
более 90 |
50 |
|
В результате далее будут представлены структурная, принципиальная схемы устройства.
Список использованных источников
Бобров Н. В. и др. Расчет радиоприемников. М.,: Воениздат , 1971. -496 с.
Проектирование радиоприёмных устройств. Под редакцией А.П. Сиверса. М., Советское радио 1976. 486 с.
Поляков В.Т. Радиолюбителям о технике прямого преобразования. – М.: Патриот, 1990.-267 с., ил.
Пушкарёв В.П. Устройства приёма и обработки сигналов: учебное методическое пособие. Томск: Томский межвузовский центр дистанционного образования, 2007. – 174с.
Атаев Д.И., Болотников В.А. Аналоговые интегральные микросхемы для бытовой радиоаппаратуры: Справочник. М., Издательство МЭИ, 1991. 240 с.
Кононович Л. М. Современный радиовещательный приёмник. М., Радио и связь, 1986. 144с.
Дьяконов М.Н. Справочник по электрическим конденсаторам. –М.: Радио и связь., 1983. – 576с., ил.
В.В. Дубровский. Резисторы: справочник –М.: Радио и связь., 1991. -528 с., ил.
Нефедов А.В. Интегральные микросхемы и их зарубежные аналоги. Справочник. –М.: ИП РадиоСофт, 2000. – 640с.Ж: ил.
М.К. Белкин. Справочник по учебному проектированию приёмо -усилительных устройств. 2-е издание переработанное и дополненное. - К.:Выща ш. Головное изд-во, 1988. – 472 с.
А – антенна; ВЦ – входная цепь; УРЧ – усилитель радиочастоты; Ф – фильтр; СМ – смеситель; Г – гетеродин; УПЧ – усилитель промежуточной частоты; Д – детектор; УНЧ – усилитель низкой частоты; АРУ – автоматическая регулировка усиления; ОУ – оконечное устройство;
|
||||||||||||
|
|
|
|
|
РТФ КП.464.320.001 Э1 |
|||||||
|
|
|
|
|
||||||||
|
|
|
|
|
||||||||
|
|
|
|
|
Приемник радиовещательный
схема структурная |
Лит. |
Масса |
Масштаб |
||||
Изм |
Лист |
№ докум. |
Подп. |
Дата |
|
|
|
|
|
|||
Разраб. |
Ерёмич |
|
|
|||||||||
Пров. |
Болтовский |
|
|
|||||||||
Контр. |
|
|
|
Лист |
Листов |
|||||||
|
|
|
|
|
ТУСУР, РТФ, гр. 146-2 |
|||||||
Н. контр. |
|
|
|
|||||||||
Утв. |
|
|
|
|||||||||
|
|||||||||||
|
|
|
|
|
РТФ КП.464.320.001 Э3 |
||||||
|
|
|
|
|
|||||||
|
|
|
|
|
|||||||
|
|
|
|
|
Приемник радиовещательный
схема электрическая принципиальная |
Лит. |
Масса |
Масштаб |
|||
Изм |
Лист |
№ докум. |
Подп. |
Дата |
|
|
|
|
|
||
Разраб. |
Ерёмич |
|
|
||||||||
Пров. |
Болтовский |
|
|
||||||||
Контр. |
|
|
|
Лист |
Листов |
||||||
|
|
|
|
|
ТУСУР, РТФ, гр. 146-2 |
||||||
Н. контр. |
|
|
|
||||||||
Утв. |
|
|
|
||||||||
Обозначение |
Наименование |
Кол. |
Примечание |
||||||||||||
|
|
|
|
||||||||||||
|
Конденсаторы |
|
|
||||||||||||
|
|
|
|
||||||||||||
C1 |
К10-17А М47 36пФ, 5% ОЖО.460.172 ТУ |
1 |
|
||||||||||||
C2 |
КТ4-37 – М750 – 6-60пФ АДПК.673552.003ТУ-91 |
1 |
|
||||||||||||
С3 |
К10-17А Н90 0,01мкФ, 5% ОЖО.460.172 ТУ |
1 |
|
||||||||||||
С4 |
К10-17А М47 36пФ, 5% ОЖО.460.172 ТУ |
1 |
|
||||||||||||
С5 |
КТ4-37 – М750 – 6-60пФ АДПК.673552.003ТУ-91 |
1 |
|
||||||||||||
С6, С7 |
К10-17А М47 8200пФ, 5% ОЖО.460.172 ТУ |
2 |
|
||||||||||||
С8 |
К10-17А Н90 0,01мкФ, 5% ОЖО.460.172 ТУ |
1 |
|
||||||||||||
С9 |
К10-17А М47 36пФ, 5% ОЖО.460.172 ТУ |
1 |
|
||||||||||||
С10 |
КТ4-37 – М750 – 6-60пФ АДПК.673552.003ТУ-91 |
1 |
|
||||||||||||
С11, С12 |
К10-17А М47 8200пФ, 5% ОЖО.460.172 ТУ |
2 |
|
||||||||||||
С13 |
К10-17А Н90 0,01мкФ, 5% ОЖО.460.172 ТУ |
1 |
|
||||||||||||
С14 |
К10-17А М47 2200пФ, 5% ОЖО.460.172 ТУ |
1 |
|
||||||||||||
С15 |
К10-17А М1500 0,033мкФ, 5% ОЖО.460.172 ТУ |
1 |
|
||||||||||||
С16 |
К10-17А М47 2200пФ, 5% ОЖО.460.172 ТУ |
1 |
|
||||||||||||
С17 |
К10-17А М47 910пФ, 5% ОЖО.460.172 ТУ |
1 |
|
||||||||||||
С18 |
КТ4-37 – М750 – 10-100пФ АДПК.673552.003ТУ-91 |
1 |
|
||||||||||||
С19 |
К10-17А М1500 0,033мкФ, 5% ОЖО.460.172 ТУ |
1 |
|
||||||||||||
С20 |
К10-17А М47 3300пФ, 5% ОЖО.460.172 ТУ |
1 |
|
||||||||||||
С21, С22 |
К10-17А М1500 0,033мкФ, 5% ОЖО.460.172 ТУ |
2 |
|
||||||||||||
С23 |
К50-35 22 мкФ х 16В ОЖ0.464.214 |
1 |
|
||||||||||||
С24 |
К10-17А М47 560пФ, 5% ОЖО.460.172 ТУ |
1 |
|
||||||||||||
С25 |
К50-35 4.7 мкФ х 16В ОЖ0.464.214 |
1 |
|
||||||||||||
С26 |
К10-17Б М1500 0.015мкФ, 5% ОЖО.460.172 ТУ |
1 |
|
||||||||||||
С27 |
К10-17Б М47 4700пФ, 5% ОЖО.460.172 ТУ |
1 |
|
||||||||||||
С28 |
К50-6 1 мкФ х 50В ОЖ0.464.031 |
1 |
|
||||||||||||
С29 |
К50-35 47 мкФ х 16В ОЖ0.464.214 |
1 |
|
||||||||||||
С30 |
К50-35 220 мкФ х 16В ОЖ0.464.214 |
1 |
|
||||||||||||
С31 |
К50-35 1000 мкФ х 16В ОЖ0.464.214 |
1 |
|
||||||||||||
С32 |
К50-35 47 мкФ х 16В ОЖ0.464.214 |
1 |
|
||||||||||||
|
|
|
|
||||||||||||
|
|
|
|
||||||||||||
|
|
|
|
|
РТФ КП.464.320.001 ПЭ3 |
||||||||||
|
|
|
|
|
|||||||||||
|
|
|
|
|
|||||||||||
|
|
|
|
|
Приемник радиовещательный |
Лит. |
Масса |
Масштаб |
|||||||
Изм |
Лист |
№ докум. документа |
Подп. |
Дата |
|
|
|
|
|
||||||
Разраб. |
Ерёмич |
|
|
||||||||||||
Пров. |
Болтовский |
|
|
||||||||||||
Т. контр. |
|
|
|
Лист |
Листов |
||||||||||
|
|
|
|
Перечень элементов |
ТУСУР, РТФ, гр. 146-2 |
||||||||||
Н. контр. |
|
|
|
||||||||||||
Утв. |
|
|
|
||||||||||||
Обозначение |
Наименование |
Кол. |
Примечание |
|||||
|
|
|
|
|||||
|
Микросхемы |
|
|
|||||
|
|
|
|
|||||
DA1 |
Микросхема К157ХА1А ТУ 11-БК0.348.412-09ТУ-85 |
1 |
|
|||||
DA2 |
Микросхема К157ХА2 ТУ 11-БК0.348.412-09ТУ-85 |
1 |
|
|||||
DA3 |
Микросхема К174УН4 ТУ 11-БК0.348.032ТУ-85 |
1 |
|
|||||
|
|
|
|
|||||
|
Катушки индуктивности |
|
|
|||||
|
|
|
|
|||||
L1 |
6,6мкГн |
1 |
Мотается вручную на каркас ВЧ5 |
|||||
L2 |
5,7мкГн |
1 |
Мотается вручную на каркас ВЧ5 |
|||||
L3 |
6,6мкГн |
1 |
Мотается вручную на каркас ВЧ5 |
|||||
L4, L5 |
120мкГн |
2 |
Мотается вручную на каркас КВ14 |
|||||
|
|
|
|
|||||
|
Резисторы |
|
|
|||||
|
|
|
|
|||||
R1 |
С1-4 0.25 Вт, 5% 330 кОм АЛЯР 434110.005ту |
1 |
|
|||||
R2 |
С1-4 0.25 Вт, 5% 10 кОм АЛЯР 434110.005ту |
1 |
|
|||||
R3 |
СП5-21 47кОм, строенный |
1 |
|
|||||
R4 |
С1-4 0.25 Вт, 5% 49 кОм АЛЯР 434110.005ту |
1 |
|
|||||
R5 |
С1-4 0.25 Вт, 5% 1 МОм АЛЯР 434110.005ту |
1 |
|
|||||
R6 |
С1-4 0.25 Вт, 5% 330 кОм АЛЯР 434110.005ту |
1 |
|
|||||
R7 |
С1-4 0.25 Вт, 5% 1 МОм АЛЯР 434110.005ту |
1 |
|
|||||
R8 |
С1-4 0.25 Вт, 5% 10 кОм АЛЯР 434110.005ту |
1 |
|
|||||
R9 |
С1-4 0.25 Вт, 5% 49 кОм АЛЯР 434110.005ту |
1 |
|
|||||
R10 |
С1-4 0.25 Вт, 5% 1 МОм АЛЯР 434110.005ту |
1 |
|
|||||
R11 |
С1-4 0.25 Вт, 5% 330 кОм АЛЯР 434110.005ту |
1 |
|
|||||
R12 |
С1-4 0.25 Вт, 5% 1 МОм АЛЯР 434110.005ту |
1 |
|
|||||
R13 |
С1-4 0.25 Вт, 5% 10 кОм АЛЯР 434110.005ту |
1 |
|
|||||
R14 |
С1-4 0.25 Вт, 5% 49 кОм АЛЯР 434110.005ту |
1 |
|
|||||
R15 |
С1-4 0.25 Вт, 5% 62 кОм АЛЯР 434110.005ту |
1 |
|
|||||
R16 |
С1-4 0.25 Вт, 5% 68 кОм АЛЯР 434110.005ту |
1 |
|
|||||
R17 |
CA6H 47 кОм, Acptechnologies |
1 |
|
|||||
R18 |
С1-4 0.25 Вт, 5% 220 Ом АЛЯР 434110.005ту |
1 |
|
|||||
R19 |
С1-4 0.25 Вт, 5% 2,2 кОм АЛЯР 434110.005ту |
1 |
|
|||||
|
|
|
|
|||||
|
|
|
|
|
РТФ КП.464.320.001 ПЭЗ Лист |
|||
|
|
|
|
|
||||
Изм |
Лист |
№ докум. |
Подп. |
Дата |
||||
Обозначение |
Наименование |
Кол. |
Примечание |
|||||
|
|
|
|
|||||
R20 |
PTV09A-4225F-B502 5 кОм, Bourns |
1 |
|
|||||
R21 |
С1-4 0.25 Вт, 5% 1,8 кОм АЛЯР 434110.005ту |
1 |
|
|||||
|
|
|
|
|||||
|
Варикапы |
|
|
|||||
|
|
|
|
|||||
VD1,VD2,VD3,VD4,VD5,VD6 |
Варикап 2В117А ТТ0.466.002 |
6 |
|
|||||
|
|
|
|
|||||
|
Разъёмы питания |
|
|
|||||
|
|
|
|
|||||
Х1 |
PW20-M-R |
1 |
|
|||||
|
|
|
|
|||||
|
Фильтры пьезокерамические |
|
|
|||||
|
|
|
|
|||||
ZQ1 |
ФП1П1-60,02 Аврора-Биниб
|
1 |
|
|||||
|
|
|
|
|||||
|
|
|
|
|||||
|
|
|
|
|||||
|
|
|
|
|||||
|
|
|
|
|||||
|
|
|
|
|||||
|
|
|
|
|||||
|
|
|
|
|||||
|
|
|
|
|||||
|
|
|
|
|||||
|
|
|
|
|||||
|
|
|
|
|||||
|
|
|
|
|||||
|
|
|
|
|||||
|
|
|
|
|||||
|
|
|
|
|||||
|
|
|
|
|||||
|
|
|
|
|||||
|
|
|
|
|||||
|
|
|
|
|||||
|
|
|
|
|||||
|
|
|
|
|||||
|
|
|
|
|||||
|
|
|
|
|||||
|
|
|
|
|||||
|
|
|
|
|||||
|
|
|
|
|||||
|
|
|
|
|
РТФ КП.464.320.001 ПЭЗ Лист |
|||
|
|
|
|
|
||||
Изм |
Лист |
№ докум. |
Подп. |
Дата |
||||
Приложение А. Микросхема К157ХА1
Микросхема К157ХА1 предназначена для работы в составе преселектора и преобразователя частоты радиоприемного устройства на частотах не более 25 МГц. Микросхема выпускается в двух вариантах К157ХА1А и К157ХА1Б. ИМС К157ХА1А используется в диапазоне частот до 15 МГц, К157ХА1Б — до 25 МГц и имеет в своем составе однокаскадный усилитель радиочастоты по схеме с ОЭ и преобразователь частоты. Усилитель радиочастоты выполнен на транзисторе VT1 (рисунок П.А.1) по схеме с параллельной отрицательной связью по напряжению и может быть подключен к источнику питания или к цепям системы автоматической регулировки усиления. Смеситель преобразователя частоты выполнен на основе дифференциального каскада на транзисторах VT2 … VT6 без коллекторных нагрузок. На транзисторах VT3, VT4, VT6 выполнен гетеродин, а на транзисторах VT2, VT5 — смеситель. Преобразованный сигнал снимается с выводов 10, 12, а напряжение автоматической регулировки усиления подается на вывод 13. Электрическая принципиальная схема ИМС К157ХА1 показана на рисунке П.А.1. Назначение выводов микросхемы К157ХА1 показано на рисунке П.А.2.
Рисунок
П.А.1
- электрическая
принципиальная схема ИМС К157ХА1
Рисунок П.А.2 - назначение выводов микросхемы К157ХА1
Типовая схема включения микросхемы приведена на рисунке П.А.3. В типовой схеме включения входной радиосигнал подводится к выводу 1, а преобразованный сигнал промежуточной частоты выделяется селективной нагрузкой, подключенной к выводам 10, 12. Контур гетеродина присоединен к ИМС к выводу 5 и через разделительный конденсатор С7 к общей шине. Если требования по ослаблению канала прямого прохождения не могут быть выполнены, то для дополнительного его подавления к выводу 11 должен быть подключен режекторный фильтр L1, С2, настроенный на промежуточную частоту. Цепь RЗ, С8 устанавливается при появлении паразитных колебаний.
Рисунок П.А.3 - типовая схема включения микросхемы К157ХА1
Электрические параметры ИМС К157ХА1 (температура окружающей среды 25 ± 100С):
Таблица 1 - электрические параметры ИМС К157ХА1
Предельные эксплуатационные данные ИМС К157ХА1:
Таблица 2 - предельные эксплуатационные данные ИМС К157ХА1
Примечания. При разработке усилителя ВЧ и преобразователя на основе интегральной микросхемы К157ХА1 необходимо учитывать следующее:
1) при апериодической нагрузке для получения оптимальных шумовых характеристик схемы внутреннее сопротивление источника сигнала должно составлять 0.5…1,0 кОм;
2) эквивалентное сопротивление гетеродинного контура L2С9, приведенное к выводам 5 и 8 микросхемы, рекомендуется выбирать в пределах 4...10 к0м. Уменьшение этого сопротивления приводит к ухудшению условий возбуждения, а его увеличение — к нарушению стабильности частоты;
3) для стабилизации напряжения гетеродина и изменения частоты генерации расстояние между конденсаторами С5 и С6 и выводами 6, 8 должно быть минимальным. Чтобы напряжение гетеродина не влияло на выход смесителя (выводы 10 и 12) и на вход УПЧ, обе половины первичной обмотки трансформатора смесителя должны быть симметричны по отношению к среднему выводу;
4) цепочка R4, С8 служит для подавления паразитных колебаний, частота которых определяется индуктивностью рассеяния обмотки связи гетеродинного контура с микросхемой. При выборе элементов R4 и С4 следует учитывать ее шунтирующее действие на основной частоте гетеродина;
5) эквивалентное сопротивление контура смесителя (между выводами 10 и 12) выбирается около 10 кОм, с учетом подключенной нагрузки (фильтра ПЧ) с сопротивлением 1,2 кОм;
6) параметры режекторного контура L1С2 нужно выбирать такими, чтобы они обеспечивали эффективное подавление частоты 465 кГц, т.е. его сопротивление на этой частоте должно быть значительно меньше сопротивления нагрузки УРЧ, равного приблизительно 240 Ом. В то же время на частотах, наиболее близких к промежуточной, в диапазоне длинных (408 кГц) и средних (525 кГц) волн контур не должен заметно шунтировать нагрузку УРЧ. Если избирательность по каналу прямого прохождения обеспечивается преселектором, то режекторный фильтр не используется.
Приложение Б. Микросхема К157ХА2
Микросхема К157ХА2 предназначена для усиления и детектирования сигналов промежуточной частоты и имеет в своем составе апериодический усилитель, детектор амплитудно-модулированных сигналов и систему автоматической регулировки усиления.
Микросхема KI57XA2 представляет собой усилитель промежуточной частоты с системой автоматической регулировки усиления (рисунок П.Б.1). Первый каскад УПЧ выполнен на транзисторах Т1, Т2. Коэффициент усиления этого каскада определяется режимом транзистора Т3, включенного в цепь управления системы АРУ. Основное усиление сигнала в УПЧ обеспечивается каскадами, выполненными на транзисторах Т6, Т9 … Т11. Детектор АМ-сигнала выполнен на транзисторах Т12, Т13. На транзисторе Т14 выполнен усилитель, а транзистор Т3 используется в качестве регулируемого элемента системы АРУ.
Рисунок П.Б.1 - электрическая принципиальная схема ИМС К157ХА2
Назначение выводов микросхемы представлено на рисунке П.Б.2.
Рисунок П.Б.2 - Назначение выводов микросхемы К157ХА2
Типовая схема включения микросхемы К157ХА2 приведена на рисунке П.Б.3. Для обеспечения устойчивой работы и улучшения характеристик УПЧ в его состав рекомендуется включить одиночный колебательный контур или полосовой фильтр. Одиночный контур включается между выводами 14, 3 и 5 (рисунок П.Б.4). Волновое сопротивление части контура, подключаемого к выводам 3, 14, выбирается из условий получения требуемой полосы пропускания с учетом шунтирования контура сопротивлением микросхемы (между выводами 3,14).
Рисунок П.Б.3 - Типовая схема включения микросхемы К157ХА2
Рисунок П.Б.4 - Схема подключения одиночного колебательного контура
Входные (выводы 2, 1) и выходные (выводы 9, 10) цепи интегральной микросхемы необходимо тщательно экранировать от электрических и магнитных полей и разносить их одну от другой. При разработке печатной платы и монтаже необходимо стремиться к тому, чтобы площадь петель, образованных входными и выходными токами микросхемы, была минимальной. Элементы схемы включения следует заземлять в одной точке с выводом 3.Особое внимание надо обращать на длину проводников, соединяющих выводы 9 и 10 с конденсатором С6, и площадь контура, образованную выводами 9, 10 и этим конденсатором.
Номинальное напряжение питания микросхемы плюс +5 В. Допустимые отклонения напряжения источника питания от номинального ±10 %. Электрические параметры микросхемы и предельно допустимые режимы эксплуатации микросхемы К157ХА2 приведены в таблицах ниже.
Таблица 1 - Электрические параметры ИМС К157ХА2
Таблица 2 - Предельные эксплуатационные данные ИМС К157ХА2
Приложение В. Микросхема К174УН4А
Микросхема служит в качестве усилителя мощности низкой частоты с выходной мощность до 1 Вт на нагрузку 4 Ом. Предназначена для применения в переносных телевизорах и радиопремнаках. Содержат 32 интегральных элемента. Конструктивно оформлены в корпусе типа 201.9-1. Масса не более 1,5 гр.
Назначение выводов:
Рисунок П.В.1 – назначение выводов
Принципиальная схема микросхемы представлена на рисунке П.В.2:
Рисунок П.В.2 – принципиальная схема К174УН4А
Типовая схема включения представлена на рисунке П.В.3:
Рисунок П.В.3 – типовая схема включения К174УН4А
Электрические параметры приведены в таблице 1:
Номинальное напряжение питания |
9 В ± 10% |
Ток потребления при Uп = 9 В, Uвх = 0 В |
10 мА |
Коэффициент усиления при Uп = 9 В, fвх = 1 кГц, Uвх = 0,1 В |
4...40 |
Нестабильность коэффициента усиления напряжения при Uп = 9 В, fвх = 1 кГц, Т=+25...+55°С |
20 % |
Коэффициент гармоник при Uп = 9 В, fвх = 1 кГц: К174УН4А при Рвых = 1,0 Вт, Uвых = 2,0 В |
2 % |
Входное сопротивление при Uп = 9 В, fвх = 1 кГц |
10 кОм |
Выходная мощность при Uп = 9 В, Rн = 4 Ома, Кг Ј 2 % : К174УН4А |
1,0 Вт |
Диапазон рабочих частот при Uп = 9 В |
30...20 000 Гц |
Коэффициент полезного действия при Uп = 9 В, Rн = 4 Ома: К174УН4А при Pвых = 1,0 Вт |
50 % |
Таблица 1 - электрические параметры К174УН4А
Предельно допустимые режимы эксплуатации приведены в таблице 2:
Напряжение питания: в предельном режиме: |
8,1...9,9 В 5,4...10 В |
Выходное напряжение: К174УН4А в предельном режиме |
2,0 В 2,25 В |
Амплитуда тока в нагрузке: К174УН4А в предельном режиме |
840 мА 900 мА |
Тепловое сопротивление: кристалл-корпус кристалл-среда |
60°С/Вт 135°С/Вт |
Температура кристалла |
+125 °С |
Температура окружающей среды |
-25...+55°С |
Таблица 2 - предельно допустимые режимы эксплуатации К174УН4А
На рисунке П.В.4 приведена амплитудно-частотная характеристика ИМС К174УН4А
Рисунок П.В.4 - амплитудно-частотная характеристика ИМС К174УН4А
На рисунке П.В.5 приведена зависимость выходной мощности от напряжения питания для ИМС К174УН4А
Рисунок П.В.5 - зависимость выходной мощности от напряжения питания для ИМС К174УН4А
Рисунок П.В.6 – зависимость коэффициента гармоник от частоты для ИМС К174УН4А
Рисунок П.В.7 - зависимость коэффициента гармоник от выходной мощности для ИМС К174УН4А
При проведении монтажных операций допускается не более двух перепаек выводов микросхем. Температура пайки 235 ± 5°С, расстояние от корпуса до места пайки на более 1,5 мм, продолжительность пайки не более 6 с. При эксплуатации микросхемы должна быть предусмотрена защита от случайного увеличения напряжения питания. Эксплуатация микросхем допускается только с применением теплоотвода.
Для устранения высокочастотной генерации необходимо уменьшать индуктивность проводов, соединяющие вывод 7 с источником питания, использовать только короткие провода, экранировать провод, соединяющий вход микросхемы с генератором сигналов.
Регулировка коэффициента усиления напряжения на низких частотах может быть проведена изменением емкостей конденсаторов С2 и С4. Ослабление усиления на верхней граничной частоте 20кГц - не более 3 дб. Допускается регулировка коэффициента усиления напряжения с помощью изменения сопротивления резистора обратной связи R2 (в пределах 240 Ом…2,7 кОм) и емкости конденсатора С2. Допустимое значение статического потенциала 200 В.
Приложение Г. Описание варикапа 2В133А:
Приложение Д. Параметры каркаса намоточного ВЧ5:
Габаритный чертеж:
Количество выводов: 4
Материал: термопласт
Приложение Е. Параметры каркаса намоточного КВ14:
Габаритный чертеж:
Количество выводов: 12
Материал: термопласт