- •6) Операционный усилитель
- •7) Биполярные транзисторы
- •8) Применение операционного усилителя
- •10)Усилительные каскады на биполярных и полевых транзисторах
- •12)Режимы работы усилительных каскадов Частотные характеристики усилителей и их коррекция
- •14)Преобразователи произвольных кодов.
- •15),17)Выпрямители
- •15)Однофазные выпрямители
- •1) Однополупериодная
- •2 ) Двухполупериодная с выводом центральной точки
- •3) Мостовая цепь (двухполупериодная)
- •17)Трёхфазные схемы выпрямления
- •16) Основные законы и правила алгебры логики
- •20)Дешифраторы
- •22)Шифраторы.
- •21) Выпрямители с умножением напряжения.
- •23)Сглаживающие фильтры
- •24)Триггеры. Классификация. Rs-триггеры.
- •25)Параметрические стабилизаторы напряжения
- •26) Счётчики
- •3) Пп резистор
- •11)Полевые транзисторы.
- •32) Запоминающие устройства
- •28) Регистры.
- •30)Микропроцессоры.
- •19) Управляемые выпрямители
- •18)Комбинационные и последовательностные схемы. Синтез логических схем.
- •5) Полупроводниковые диоды
- •2) Схемы замещения
- •9)Бп в режиме ключа. Способы повышения быстродействия транзисторных ключей
18)Комбинационные и последовательностные схемы. Синтез логических схем.
Комбинационные это такие у которых уровень выходного сигнала зависит от выходного сигнала.
Последовательностные –уровень выходного сигнала зависит не только от выходных сигналов но и от состояния, кот. они занимали ранее и обладают памятью.
Реализация логических схем на элементов И-Не
Элемент «И»( конъюнктор)
Элемент «ИЛИ»( дизъюнктор)
Элемент «НЕ»( инвертор)
Элемент «И-НЕ»
Элемент «ИЛИ-НЕ»
Элемент «Исключающее ИЛИ»
Логика
на элем. И-Не показывает более устойчивое
состояние микросхемы реализуемые на
полупровод. элем. Наиболее надежны для
И-Не конфигурации. Схема на элементов
И-Не составляется в последовательности
в кот. составляется схема на элементов
И, Не, Или затем элементы заменяются
элементами схемы И-Не осуществляется
проверка правильности реализации
выходного сигнала.
Комбинационная структурная схема
Последовательностная структурная схема
Генератор тактовых импульсов создает сигналы, кот. делятся: синхронные(не тактируемые); асинхронные(тактируемые).
5) Полупроводниковые диоды
-наз. прибор с одним n-p переходом и двумя выводами, кот. пропускают ток в одном направление. Две группы диодов: плоскостные и точечные. Точечные - это выпрямительные и высокочастотные. Плоскостные – делятся на выпрямительные, стабилитроны, туннельные, варикапы, фотодиоды, светодиоды.
Вольтамперная характеристика п/п диода
Условные графические обозначения: а–выпрямительные; б – стабилитроны; в – двухсторонний стабилитрон; г – туннельный диод;
д – обращенные диоды; е – варикап; ж – фотодиодов; з – светодиод
Выпрямительные диоды используются для выпрямления переменного тока в постоянный, т.к. пропускают в прямом направлении только положительные п/п переменного синусодного тока. Конструктивно точечный диод представляет собой монокристалл п/п в который вставлена заостренная стальная проволока. На последний стадии изготовления через диод пропускают ток высокого значения и п/п n-типа стравляясь с проволокой создает n-p переход. Данный процесс наз. формовкой, т.к. зона контакта не велика, то через диоды нельзя пропускать значительные токи.
Высокочастотные диоды применяют для выпрямления токов, модуляции и детектирования сигналов с частотами до нескольких сотен мегагерц.
Стабилитроны предназначены для стабилизации напряжения на нагрузке при изменении питающего напряжения или сопротивления нагрузки, для фиксации уровня напряжения.
Схема параметрического стабилизатора. Вольт-амперная характеристика стабилитрона
Кремневые диоды для этой цели называют стабисторами. В отличие от стабилитронов они имеют малое напряжение стабилизации (0,7 В), ток стабисторов – от 1мА до нескольких десятков мА
Варикапы – п/п диод у которого изменяется емкость n-p перехода под действием обратных токов и напряжений.
Вольт-фарадная характеристика варикапа
Фотодиод – полупроводниковый фотоэлектрический прибор с внутренним фото-эффектом, отображающим процесс преобразования световой энергии в электрическую. Внутренний фотоэффект заключается в том, что под действием энергии светового излучения в области p-n-перехода происходит ионизация атомов основного вещества и примеси, в результате чего генерируются пары носителей заряда – электрон и дырка
Светодиоды (электролюминесцентные диоды) преобразуют энергию электрического поля в нетепловое оптическое излучение, называемое электролюминесценцией. Основой светодиода является р-n-переход, смещаемый внешним источником напряжения в проводящем направлении. При таком смещении электроны из n-области полупроводника инжектируют в р-область, где они являются неосновными носителями, а дырки – во встречном направлении.
Туннельный диод – это полупроводниковый диод, в котором используется явление туннельного пробоя при включении в прямом направлении. Характерной особенностью туннельного диода является наличие на прямой ветви вольтамперной характеристики участка с отрицательным дифференциальным сопротивлением.
Вольт-амперная характеристика туннельного диода
