20. Опишите устройство, вах, параметры вакуумных фотоэлементов.

Вакуумный фотоэлемент состоит из откачанной стеклянной или кварцевой колбы с двумя электродами. Внутренняя поверхность баллона почти вся покрыта светочувствительным слоем. Последний состоит из подложки в виде, например, топкого слоя серебра, нанесенного на поверхность баллона, которая затем подвергается обработке кислородом в парах цезия. Так получают фотоэлементы с кислородно-цезиевым сложным катодом.

21. Опишите устройство, вах, параметры газонаполненных фотоэлементов.

Газонаполненные фотоэлементы — это фотоэлементы, в которых баллон наполнен газом. При этом сила тока возрастает, потому что вырванные из катода электроны, летящие с большой скоростью к аноду, встречают на своем пути атомы газа, ионизируют их, а образовавшиеся электроны и ионы, двигаясь к электродам фотоэлемента, увеличивают начальный ток.

22. Опишите устройство, принцип работы, достоинства и

недостатки фотоэлектронных умножителей.

Фотоэлектронный умножитель (ФЭУ) представляет собой  электровакуумный прибор в котором поток электронов излучаемый катодом под действием оптического излучения (фототок) усиливается в результате вторичной электронной эмиссиив умножительной системе:  ток в цепи анода, являющегося коллектором вторичных электронов, значительно превышает первоначальный фототок (обычно в 10⁵ раз и выше). Фотоэлектронный умножитель (ФЭУ) состоит из катодной камеры, умножительной диодной системы, анода и дополнительных электродов размещенных в вакуумном корпусе. Достоинства: - высокий порог чувствительности и малая инерционность

28. Опишите однотактные усилители мощности.

Однотактные усилители постоянного тока.

Схема двухкаскадного УПТ с непосредственной связью коллектора транзистора Т₁ с базой транзистора Т₂ показана на рис. 4.25. Так как каждый отдельный каскад УПТ выполнен по схеме ОЭ, то для них справедливы все положения анализа начального режима и режима усиления, рассмотренные для однокаскадного усилителя. Но непосредственная связь между каскадами определяет особенности режима их согласования. Делитель напряжения R₁R₂ обеспечивает смещение на базу транзистора Т₁. При данной полярности источника питания Е_к на коллекторе транзистора устанавливается соответствующий начальному режиму относительно высокий положительный потенциал, который приклады­вается к базе транзистора Т₂. Уровень этого потенциала значительно превышает требуемое напряжение смещения на базу транзистора Т₂. Поэтому, если его не скомпенсировать, то токи I_б1 и I_к2 возрастут настолько, что транзистор Т₂ может оказаться в режиме насыщения.

Рис. 4.25

Компенсация коллекторного напряжения U_к1 в приведенной схеме осуществляется напряжением на резисторе R_э2, направленным встречно и задаваемым таким, чтобы

U_э2 = U_э1+( U_к1- U_б2) ,

где U_б2 – требуемое напряжение смещения на базу транзистора Т₂, обеспечивающее необходимый базовый ток I_б2= U_б2/R_вх2. В свою очередь, ток I_б2 обеспечивает начальный режим работы второго каскада.

Поскольку через эмиттерные сопротивления R_э1 и R_э2 проходят также составляющие коллекторных токов за счет полезного сигнала, в схеме действует отрицательная обратная связь и по току полезного сигнала (применение шунтирующих конденсаторов здесь принци­пиально невозможно). Это снижает коэффициент усиления УПТ.