3. Контрольные вопросы:
1. Что такое собственное или фундаментальное поглощение? Каковы
типы оптических переходов?
2. Чем определяется плотность состояний электронов в разрешенной
зоне?
3. Чем различаются спектры поглощения для разрешенных и
запрещенных прямых межзонных переходов?
4. Метод определения спектра поглощения полупроводника по спектру
его пропускания.
5. Методика определения ширины запрещенной зоны полупроводника по спектру поглощения.
Принятые обозначения
– квазиимпульс;
волновой
вектор;
волновые векторы электрона в начальном и конечном состояниях;
волновой вектор, которым обладает квант излучения;
радиусы-векторы, определяющие положения электрона и дырки; –скалярные эффективные массы;
операторы Лапласа в координатах электрона и дырки ;
энергия экситона;
радиусы-векторы центра тяжести электронно-дырочной пары
положения электрона относительно дырки
эффективная
масса экситона;
приведенная масса;
постоянная;
главное квантовое число;
энергия экситона;
энергия
ионизации донорной примеси;
длина волны падающего света;
подвижность;
– коэффициент поглощения;
;
длина волны соответствующая углу поворота барабана;
– энергия фотона;
Библиографический список:
1.Практикум по полупроводникам и полупроводниковым приборам/ Под ред. Шалимовой К. В. – М.: Высшая школа, 1968. - 246.
2.Киреев П. С. Физика полупроводников/ П. С. Киреев.-М.: Высшая школа, 1969г. – 586.
3. Шалимова К. В. Физика полупроводников. Учебник для студентов вузов, обучающихся по специальности «Полупроводниковые и микроэлектронные приборы». Изд. 2-е, перераб. И доп./ К.В. Шалимова.-М.: Энергия, 1976г. – 416 с.