Заключение
В курсовой работе рассмотрены:
1. Технологические основы сверхрешеточных структур;
2. Классификация полупроводниковых сверхрешеток;
3.Применение сверхрешеток в наноэлектронных
устройствах.
Описываются методы получения
сверхрешеточных структур:
- молекулярно-лучевая эпитаксия;
- рост из газовой фазы;
- жидкостная эпитаксия;
- метод горячей стенки.
Методы формирования сверхрешеток
находят широкий круг применения в
наноиндустрии. Без развития старых и
открытия новых методов невозможно
развитие нанотехнологий. Каждый метод
имеет свои плюсы и минусы, и в зависимости
от требований и условий, выбирается
оптимальный метод.
Список использованных источников
1.
Воскресенский Д.И. Устройства СВЧ и
антенны. Москва: Радиотехника, 2006, 378 с.
2.
Джуринский К.Б. Миниатюрные коаксиальные
радиокомпоненты для микроэлектроники
СВЧ. Москва: Техносфера, 2006 , 216 с.
3.
Карлинер М. М. Электродинамика СВЧ: Курс
лекций. 2е изд. Новосибирск: НГУ, 2006, 267с.
