Физическая реализация dram
п
амять
на ферритовых сердечниках, которые
представляют собой тор с обмотками,
изготовленный из специальных материалов
— ферритов. Эта память была в определенной
степени энергонезависимой. Намагниченность
сердечников сохранялась до 1 месяца.
Память типа DRAM конструктивно выполняют и в виде отдельных микросхем в корпусах типа DIP, SOIC, BGA, и в виде модулей памяти типа: SIPP, SIMM, DIMM, RIMM.
На многих модулях SIMM и подавляющем числе DIMM устанавливалась SPD (Serial Presence Detect) — небольшая микросхема памяти EEPROM, хранящяя параметры модуля (ёмкость, тип, рабочее напряжение, число банков, время доступа и т. п.), которые программно были доступны как оборудованию, в котором модуль был установлен (применялось для автонастройки параметров), так и пользователям и производителям.
Различные корпуса DRAM. Сверху вниз: DIP, SIPP, SIMM (30-контактный), SIMM (72-контактный), DIMM (168-контактный), DIMM (184-контактный, DDR) |
модуль SDRAM в 72-контактном корпусе SO-DIMM |
модуль DDR2 в 204-контактном корпусе SO-DIMM |
|
|
|
|
|
|
DIP |
|
|
16 |
|
Суммарный объем до 4 Мб |
SIPP Single Inline Package |
|
|
30 |
|
|
SIMM Single Inline Memory Module |
FPM |
|
30 |
29 Мгц |
256К-32Мбайт |
FPM |
|
72 |
|||
EDO |
50 Мгц/70 нс |
||||
DIMM Dual Inline Memory Module |
SDRAM Synchronic |
|
168 |
100 и 133Мгц 60 нс |
|
|
ESDRAM Enhanced |
|
200 Мгц |
|
|
|
DDR DRAM (SDRAM II)
|
|
|
|
|
|
SLDRAM |
|
400 Мгц |
|
|
|
RIMM, RDRAM, Rambus DDR |
|
800 Мгц |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Типы dram Страничная память
Страничная память (англ. page mode DRAM, PM DRAM) являлась одним из первых типов выпускаемой компьютерной оперативной памяти. Память такого типа выпускалась в начале 1990-х годов, но с ростом производительности процессоров и ресурсоёмкости приложений требовалось увеличивать не только объём памяти, но и скорость её работы.
Быстрая страничная память
Быстрая страничная память (англ. fast page mode DRAM, FPM DRAM) появилась в 1995 году. Принципиально новых изменений память не претерпела, а увеличение скорости работы достигалось путём повышенной нагрузки на аппаратную часть памяти. Данный тип памяти в основном применялся для компьютеров с процессорами Intel 80486 или аналогичных процессоров других фирм. Память могла работать на частотах 25 и 33 МГц с временем полного доступа 70 и 60 нс и с временем рабочего цикла 40 и 35 нс соответственно.