- •Глава 8. Физическая оперативная память
- •8.1. Принцип действия динамической памяти (dram)
- •8.2. Назначение сигналов интерфейса микросхемы памяти
- •8.3. Выполнение операций с микросхемами памяти
- •8.4. Различия между памятями sdr, ddr, ddr2 , ddr3, ddr4
- •8.5. Организация модулей памяти
- •8.6. Микросхема spd в модулях памяти
- •8.9. Память fb-dimm
- •8.7. Типы модулей оперативной памяти
- •8.8. Встроенная терминация. Внешняя калибровка формирователя. Рассеиваемая мощность
- •8.10. Топологии подсистемы памяти
- •8.11. Структура и топология подсистем памяти с микросхемами оперативной памяти ddr4
- •8.12. Сравнительная характеристика основных типов оперативной памяти
- •8.13. Контрольные вопросы
8.2. Назначение сигналов интерфейса микросхемы памяти
Линии адреса - предназначены для выбора адреса ячейки памяти. По одним и тем же линиям адрес передается двумя порциями – сначала адрес строки, затем адрес столбца.
Линии признака типа передаваемого адреса - RAS (от row address strobe - строб адреса строки) и CAS (от column address strobe - строб адреса столбца).
Линии данных предназначены для передачи данных при выполнении операции «чтение» и «запись».
Линия признака выполняемой операции (Write Enable - Разрешение Записи). Низкий уровень сигнала WE готовит микросхему к считыванию состояния линий данных и записи полученной информации в соответствующую ячейку, а высокий, наоборот, заставляет считать содержимое ячейки и выдать его значения в линии данных.
Такое решение сокращает количество выводов микросхемы, что в свою очередь уменьшает ее габариты. Причины этого?
В силу ограниченной скорости распространения сигналов, длины проводников, подведенных к различным ножкам микросхемы, должны не сильно отличаться друг от друга, иначе сигнал от одного вывода будет опережать сигнал от другого;
длины проводников не должны быть очень велики - в противном случае задержка распространения сигнала "съест" все быстродействие;
любой проводник действует как приемная и как передающая антенна, причем уровень помех резко усиливается с ростом тактовой частоты. Паразитному антенному эффекту можно противостоять множеством способов (например, путем перекашивания сигналов в соседних разрядах), но самой радикальной мерой было и до сих пор остается сокращение количества проводников и уменьшение их длины.
всякий проводник обладает электрической емкостью. А емкость и скорость передачи данных - несовместимы! Вот только один пример: "…первый трансатлантический кабель для телеграфа был успешно проложен в 1858 году,… когда напряжение прикладывалось к одному концу кабеля, оно не появлялось немедленно на другом конце и вместо скачкообразного нарастания достигало стабильного значения после некоторого периода времени. Когда снимали напряжение, напряжение приемного конца не падало резко, а медленно снижалось. Кабель вел себя как губка, накапливая электричество. Это свойство называется емкостью".
Таким образом, совмещение выводов микросхемы увеличивает скорость обмена с памятью, но не позволяет осуществлять чтение и запись одновременно.
Столбцы и строки матрицы памяти тем же самым способом совмещаются в единых адресных линиях. В случае квадратной матрицы количество адресных линий сокращается вдвое, но и выбор конкретной ячейки памяти отнимает вдвое больше тактов, ведь номера столбца и строки приходится передавать последовательно. Причем, возникает неоднозначность, что именно в данный момент находится на адресной линии: номер строки или номер столбца? А, быть может, и вовсе не находится ничего? Решение этой проблемы потребовало двух дополнительных выводов, сигнализирующих о наличии столбца или строки на адресных линиях и окрещенных RAS (от row address strobe - строб адреса строки) и CAS (от column address strobe - строб адреса столбца) соответственно. В спокойном состоянии на обоих выводах поддерживается высокий уровень сигнала, что говорит микросхеме: никакой информации на адресных линиях нет и никаких действий предпринимать не требуется.
