4. Порядок выполнения работы

Ознакомиться с лабораторным модулем для исследования полупроводниковых приборов. Записать тип и паспортные данные используемых приборов. Подключить измерительные приборы к модулю (рис. 3.2.4). В качестве измерительных приборов использовать мультиметры с пределами измерения 20 мА и 20 В, атак же амперметр- 1 А.

Рисунок 3.2.4

Снять входную статическую характеристику транзистора I₆=f(U_6Э) при U_KЭ=0. Для этого на модуле питания включить автоматический выключатель QF1 и выключатель SA2 для подачи постоянного напряжения на модуль полупроводниковых приборов. Потенциометром RP3 установить на коллекторе транзистора напряжение U_KЭ=0. Изменяя потенциометром RP2 напряжение в цепи базы U_бэ от нуля, произвести несколько измерений тока базы I_б и соответствующего ему напряжения U_6э. По результатам измерений построить график I_б=f(U_6э) при U_KЭ=0. Результаты измерений занести в табл. 3.2.2. Определить графическим способом значение входного сопротивления транзистора-h₁₁.

Снять выходную статическую характеристику транзистора I_K=f(U_KЭ) при различных значениях I_б=const, для чего собрать схему по (рис.3.2.5).

Рисунок 3.2.5

Для этого с помощью потенциометра в цепи базы транзистора установить ток базы I_б заданного значения. Изменяя напряжение U_КЭ потенциометром RP3 в цепи коллектора напряжение от нулевого значения произвести измерения тока коллектора при нескольких значениях напряжения U_KЭ. Результаты измерений занести в табл.3.2.3. Произвести аналогичные измерения при двух других значениях тока базы. Перед каждым измерением необходимо подрегулировать ток базы транзистора. Значения тока базы, при которых снимаются выходные характеристики задаются преподавателем. Определить графическим способом значения коэффициента усиления по току h₂₁ и выходную проводимость h₂₂.

Таблица 3.2.3

Iб1 = мА	Iк1 , А
	Uкэ1 , В
Iб2= мА	Iк2 , А
	Uкэ2 , В
Iб3= мА	Iк3 , А
	Uкэ3 , В
Iб4= мА	Iк4 , А
	Uкэ4 , В
Iб5= мА	Iк5 , А
	Uкэ5 , В