43. Максимальные и максимально допустимые параметры бт.

Максимальными параметрами транзисторов называется такие параметры режима его работы, при которых его работа не допустима, т.к. прибор может выйти из строя. Максимальные допустимые параметры – параметры режима работы, при котором гарантирована стабильная и надежная работа прибора.

Для обеспечения надежной работы аппаратуры режимы работы транзисторов должны выбираться таким образом, чтобы ток и напряжение не выходили за пределы области допустимых режимов, которая определяется следующими параметрами: максимально допустимый постоянный ток коллектора ; максимально допустимое постоянное обратное напряжение коллектор–эмиттер; максимально допустимое постоянное обратное напряжение эмиттер–база; максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора. Обычно в справочнике приводятся значения этих параметров для температуры корпуса, при которой обеспечивается максимальная мощность рассеивания. При увеличении температуры вышерассеиваемая мощность рассчитывается по формуле:

где – температура перехода;– температура корпуса;– тепловое сопротивление переход–корпус.

44. Составной бт (схема Дарлингтона).

Составной транзистор используется для увеличения коэффициента передачи по току.

- схема Дарлингтона. R1, R2 предназначены для того, чтобы выравнивать напряжение на Б-Э. Диод VD – для защиты от высоких обратных напряжений, которые возникают при работе составного транзистора на индуктивную нагрузку.

h21э=h21э1*h21э2

h21э=Iэ2/Iб1

45. Классификация, система обозначения и условное графическое обозначение бт.

По мощности, рассеиваемой коллектором, транзисторы бывают: малой мощности ; средней мощности; большой мощности.

По частотному диапазону в зависимости от граничной или максимальной рабочей частоты транзисторы делятся на низкочастотные ; средней частоты; высокочастотные; сверхвысокочастотные.

Для маркировки биполярных транзисторов используется буквенно-цифровая система условных обозначений согласно. Обозначение биполярных транзисторов состоит из шести или семи элементов.

Первый элемент – буква русского алфавита или цифра, указывающая исходный материал: Г(1) – германий, К(2) – кремний, А(3) – арсенид галлия.

Второй элемент – буква, указывающая на тип транзистора: Т – биполярный, П – полевой.

Третий элемент – цифра, указывающая на частотные свойства и рассеиваемую мощность транзистора.

Четвертый, пятый, (шестой) элементы – цифры, указывающие порядковый номер разработки.

Шестой (седьмой) элемент – буква русского алфавита, условно определяющая классификацию по параметрам транзисторов, изготовленных по единой технологии.

В интегральных схемах при реализации полупроводниковых диодов используются входящие в состав полупроводниковых интегральных микросхем транзисторные структуры в диодном включении

46. Устройство и принцип действия полевого транзистора с управляющим p-n-переходом. Определение напряжения отсечки и насыщения в полевом транзисторе с управляющим p-n-переходом. Статические характеристики, условное графическое обозначение.

Принцип работы полевого транзистора с управляющим p-n-переходом основан на изменении сопротивления активного слоя (канала) путем расширения p-n-перехода при подаче на него обратного напряжения. Наиболее характерной чертой полевых транзисторов является высокое входное сопротивление, т.к. ток затвора мал, поэтому они управляются напряжением. На подложке из кремния р-типа создаётся тонкий слой полупроводника n-типа, выполняющий функции канала, сопротивление которого регулируется электрическим полем. Нижний p-n-переход (канал-подложка) служит для установки начальной толщины канала. Прикладывая к затвору обратное напряжение Uз.и, можно изменять ширину верхнего p-n-перехода. При этом изменяется толщина канала, а следовательно, и его электропроводность. Изменяется величина тока стока Iс, протекающего по каналу под воздействием приложенного напряжения Uз.и. При некотором обратном напряжении затвора можно добиться полного перекрытия канала. Это напряжение называется напряжением отсечки.

При подаче на сток положительного напряжения сток – исток U_си>0 в канале возникает ток стока Iс, вследствие чего вдоль канала появляется падение напряжения. Величина падения напряжения зависит от координаты х, т.е. от расстояния до истока. Совместное воздействие напряжения Uх и напряжения затвора Uзи изменяет ширину канала, которая становится переменной. Ширина канала будет минимальна у стока и максимальна у истока.

Напряжение насыщения - напряжение, при котором происходит перекрытие канала.

Основными характеристиками полевого транзистора являются: выходные (стоковые) – I_с = f(U_си) при U_зи = const и характеристики передачи (cток-затворные) – I_с = f(U_зи) при U_си = cоnst.

- ВАХ ПТ включенных по схеме с ОИ.

-крутизна

внутреннее(дифференциальное) сопротивление.

- статический коэффициент усиления. Все 3 параметры связаны уравнением µ = SR_i

Полевой транзистор с управляющим переходом с n-и p-каналом.

47. Устройство, особенности работы МДП-транзистора со встроенным каналом. Режимы обеднения и обогащения в транзисторе со встроенным каналом и его статические характеристики, условное графическое обозначение.

В МДП-транзисторе со встроенным каналом n-типа уже имеется технологическим путем созданный канал, и при U_зи = 0 и U_си > 0 протекает ток стока. При увеличении положительного напряжения на затворе область канала обогащается электронами, и ток стока возрастает. При увеличении отрицательного напряжения на затворе канал обедняется, и ток стока уменьшается. Таким образом МДП-транзисторы со встроенным каналом работают в режимах обогащения и обеднения.

Основными характеристиками полевого транзистора являются: выходные (стоковые) – I_с = f(U_си) при U_зи = const и характеристики передачи (cток-затворные) – I_с = f(U_зи) при U_си = cоnst. -крутизна

-внутреннее(дифференциальное) сопротивление.

- статический коэффициент усиления. Все 3 параметры связаны уравнением µ = SR_i

Полевой транзистор со встроенным n-и p-каналом.

48. Устройство, особенности работы МДП-транзистора с индуцированным каналом. Физические процессы образования канала в транзисторе с индуцированным каналом и его статические характеристики, условное графическое обозначение.

В транзисторах с индуцированным каналом на подложке n- или p-типа методом диффузии создаются области истока и стока, не имеющие между собой соединения и с противоположным относительно подложки типом электропроводности. Поверхность подложки покрывается слоем диэлектрика (двуокись кремния), на которую наносится металлический электрод, являющийся затвором. В результате получается структура металл-диэлектрик-полупроводник.

В МДП-транзисторе с индуцированным каналом n-типа при напряжении на затворе U_зи = 0 канал отсутствует и при U_си > 0 ток стока будет равен нулю. При увеличении положительного напряжения на затворе, начиная с некоторого значения U_зи пор наступает инверсия электропроводности и происходит образование канала. Это напряжение называется пороговым. В справочниках обычно в качестве порогового приводятся значения U_зи, при которых ток стока I_с = 10 мкА. При U_зи > U_зи пор в МДП-транзисторах с n-каналом увеличение напряжения на затворе будет приводить к уменьшению сопротивления канала за счет обогащения поверхности канала электронами, ток стока при этом будет увеличиваться. Отсюда видно, что МДП-транзистор с индуцированным каналом работает только в режиме обогащения.

Основными характеристиками полевого транзистора являются: выходные (стоковые) – I_с = f(U_си) при U_зи = const и характеристики передачи (cток-затворные) – I_с = f(U_зи) при U_си = cоnst. -крутизна

-внутреннее(дифференциальное) сопротивление.

- статический коэффициент усиления. Все 3 параметры связаны уравнением µ = SR_i

Полевой транзистор с индуцированным n-и p-каналом.