- •Содержание конспекта лекций
- •Введение
- •Тема №1: Основные законы теории твердого тела лекция №1: особенности строения твердых тел
- •1 Краткая историческая справка
- •2 Классификация твердых тел по проводимости
- •3 Понятие ковалентной связи
- •Лекция №2: Основы зонной теории твердого тела
- •1 Энергетические диаграммы уединенного атома и твердых тел
- •2 Обобщение некоторых выводов зонной теории для объяснения электропроводности и классификации твердых тел
- •3 Электроны в твердом теле
- •1 Структура полупроводников
- •2 Дефекты кристаллической решетки
- •3 Поверхность кристалла
- •Тема №2: Основы теории полупроводников Лекция №4: Электрофизические свойства полупроводников
- •1 Электроны и дырки в кристаллической решетке полупроводника
- •2 Собственные и примесные полупроводники
- •3 Носители заряда и их распределение в зонах проводимости
- •1 Рекомбинация носителей заряда
- •2 Законы движения носителей заряда в полупроводниках
- •Лекция №6: Эффект внешнего поля
- •1 Общие сведения об эффекте поля
- •2 Эффект поля в собственном полупроводнике
- •3 Эффект поля в примесном полупроводнике
- •1 Структура p-n-перехода
- •2 Равновесное состояние p-n-перехода
- •3 Неравновесное состояние p-n-перехода
- •4 Вольт-амперная характеристика p-n-перехода
- •1 Контакты полупроводник—металл
- •2 Граница полупроводник—диэлектрик
- •3 Гетеропереходы
- •1 Барьерная емкость электронно-дырочного перехода
- •1.1 Барьерная емкость как проявление токов смещения
- •1.2 Общее соотношение для барьерной емкости электронно-дырочного перехода
- •1.3 Частные соотношения для барьерной емкости различных электронно-дырочных переходов
- •1.4 Ширина области объемного заряда. Зарядная емкость перехода
- •2 Диффузионная емкость
- •1 Туннельный (зенеровский) пробой
- •2 Лавинный пробой
- •3 Тепловой пробой
- •3.1 Вах с учетом тепловыдепения в p-n-переходе
- •3.2 Расчет пробивного напряжения при тепловом пробое
- •3.3 Особенности теплового пробоя в реальных диодах
- •4 Поверхностный пробой
- •1 Поглощение света
- •2 Фоторезистивный эффект
- •3 Люминесценция полупроводников
- •1 Э.Д.С., возникающая в полупроводнике при его освещении
- •1.1 Воздействие света на p-n-переход
- •1.2 Основные характеристики и параметры
- •2 Спонтанное и индуцированное излучение
- •1 Эффекты Пельтье и Зеебека
- •2 Гальваномагнитный эффект Холла
- •1. Работа выхода
- •1.1 Электроны в металле
- •1.2 Выход электронов из металла
- •2 Виды электронной эмиссии
- •2.1 Термоэлектронная эмиссия
- •2.2 Электростатическая электронная эмиссия
- •2.3 Вторичная электронная эмиссия
- •2.4 Электронная эмиссия под ударами тяжелых частиц
- •1 Электрические явления в газе, понятие о плазме
- •2 Рис.5.12 Схема для снятия вольтамперной характеристики ионного прибора Вольтамперная характеристика газового разряда
2 Лавинный пробой
Лавинный пробой связан с образованием лавины носителей заряда под действием сильного электрического поля (но меньшем чем при туннельном пробое) при котором носители приобретают энергии, достаточные для образования новых электронно-дырочных пар в результате ударной ионизации атомов полупроводника.
Неосновные носители, попадающие в поле области объемного заряда, приобретают энергию, достаточную для разрыва валентной связи. При столкновении с решеткой кристалла они выбивают из связи валентные электроны. В результате этого также возникает парный заряд, увеличивающий ток через переход. Сопротивление перехода начинает падать, ток резко возрастает.
Рис. 3.18. Лавинный пробой:
а — схема размножения дырок; б — обратная ветвь ВАХ диода в режиме лавинного пробоя
Этот процесс можно представить себе так же, как ударную ионизацию газа. Электрон и дырка (аналог положительного иона в газе), ускоренные полем на длине свободного пробега, могут разорвать одну из валентных связей атома полупроводника, расположенного в области перехода. В результате рождается новая пара электрон-дырка и процесс может повторяться под действием этих новых носителей (рис. 3,18 а). Тогда суммарный обратный ток через переход окажется больше, чем в отсутствие такой ионизации. При достаточно большой напряженности поля, когда одна исходная пара носителей в среднем порождает несколько более одной новой пары, ионизация может приобрести лавинный характер подобно самостоятельному разряду в газе. При этом ток будет ограничиваться только внешним сопротивлением.
Для того чтобы носители заряда успели приобрести за время движения в переходе достаточную энергию, время их дрейфа должно быть относительно велико. Поэтому ударная ионизация наблюдается только в достаточно широких переходах, т.е. в переходах на относительно высокоомном материале.
Для количественной оценки увеличения тока из-за процесса ударной ионизации в р-n-переходе вводят коэффициенты лавинного умножения Мn и Мр, показывающие, во сколько раз увеличивается ток данных носителей в результате ударной ионизации. В связи с предположением о равенстве коэффициентов ионизации автоматически получается равенство и коэффициентов лавинного умножения: Мn = Мр= М.
Ход характеристики в области ионизации вплоть до пробоя описывается с помощью полуэмпирической формулы
(3.30)
где М - коэффициент лавинного умножения;
Uм-напряжение лавинного пробоя, при котором М = ∞.
Параметром р-n-перехода, характеризующим явление пробоя, является пробивное напряжение — это напряжение, при котором происходят неограниченное возрастание тока (рис. 4).
Рис. 3.19. Вольт-амперная характеристика диода при лавинном пробое
Напряжение Uм при лавинном пробое зависит от удельного сопротивления областей, зависимость эта полуэмпирическая и имеет вид:
(3.31)
где ρσ имеет размерность ом·см, а а и m — эмпирические коэффициенты, причем значения этих коэффициентов различны для германиевых и кремниевых переходов.
Для германиевых сплавных переходов:
Uм.Ge = 100ρ0,8 (р+-n-переход),
Uм.Ge = 55,0ρ0,8 (n+-р- переход). (3.32)
Uм.Si = 96,0ρ0,78 (р+-n-переход),
Uм.Si = 48,0ρ0,78 (n+-р- переход).
Из приведенных выражений следует, что пробивное напряжение увеличивается с ростом удельной проводимости, то есть при меньших концентрациях легирующих примесей напряжение лавинного пробоя имеет большую величину.
Напряженность поля пробоя, полученная экспериментально для очень тонких (единицы микрон) переходов (ρ ≈ 0,15 — 0,20), составляет около (2,5 – 3,0)·105 В/см. С увеличением толщины перехода напряженность поля пробоя падает до (0,8 – 1,2) 105 В/см, составляя в среднем в широкой области удельных сопротивлений около 10 В/см.
Как при туннельном, так и при лавинном пробое неограниченное возрастание тока приводит к тепловому пробою перехода, разрушению перехода и полному выходу из строя диода или триода.
С этой точки зрения целесообразно во всех случаях работы перехода в пиковых режимах ставить последовательно с переходом токоограничивающее сопротивление. Величина этого сопротивления должна выбираться такой, чтобы при пиковых значениях напряжения ток в цепи не превосходил допустимого значения.
