1.Полевые транзисторы-это..

А)полупроводниковые приборы, усилительные свойства которых обусловлены потоком основных носителей, протекающим через проводящий канал и управляемым электрическим полем.

Б)полупроводниковый прибор, который содержит два взаимодействующих р-п-перехода и предназначен для генерации, усиления и преобразование сигналов электромагнитной природы.

В)полупроводниковый прибор с одним р-п-переходом и двумя омическими контактами, к которым присоединяются два вывода.

Г)полупроводниковый прибор с двумя устойчивым состояниями, имеющй три (или более) выпрямляющих перехода, который может переключаться из закрытого состояния в открытое, и наоборот.

Д)двухэлектродный прибор диодного типа, имеющий три р-п-перехода

2. Полевой транзистор состоит:

А)база, исток, затвор

Б)коллектор, сток, база

В)база, эмиттер,  исток

Г)сток, исток, затвор

Д)исток,сток,база

3.Униполярный транзистор – это:

А)транзистор с туннельным эффектом

Б) транзистор в котором регулирование тока производится изменением проводимости канала

В)транзистор с закрытым p-n переходом

Г)транзисторы со встроенным каналом

Д)транзисторы с индуцированным каналом

4.Полевые транзисторы делятся:

А) транзисторы с управляющим р-n переходом и Транзисторы с изолированным затвором

Б))п-р-п транзисторы и р-п-р-транзисторы

В)плоскостные и точечные

Г)все ответы верны

Д)все ответы неверны

5)С помощью чего в полевых транзисторах с изолированным затвором электрод затвора изолирован от полупроводникового канала?

А)с помощью п-канала

Б)с помощью слоя диэлектрика из двуокиси кремния SiO2

В) с помощью оксидного слоя на металлическом аноде

Г)нет верного ответа

Д)правильны ответы Б и В

6).Сколько типов может быть у полевых транзисторов с изолированным затвором ?

А)1

Б)3

В)6

Г)4

д)2

7)Что такое Исток?

А) Электрод, из которого в канал входят основные носители заряда

Б) Электрод, через который из канала уходят основные носители заряда

В) Электрод, служащий для регулирования поперечного сечения канала

Г)канал п-типа

Д)канал р-типа

8)Что такое Сток?

А) Электрод, служащий для регулирования поперечного сечения канала

Б) канал п-типа

В) Электрод, из которого в канал входят основные носители заряда

Г) ) Электрод, через который из канала уходят основные носители заряда

Д)канал р-типа

9)Что такое Затвор?

А) Электрод, служащий для регулирования поперечного сечения канала

Б) Электрод, через который из канала уходят основные носители заряда

В) Электрод, из которого в канал входят основные носители заряда

Г)канал п- типа

Д)канал р -типа

10)Какие области можно выделить на ВАХ полевого транзистора

А)линейную и насыщения

б)нормальный активный и насыщения

в)линейную и отсечки

г)инверсный активному и нормальный активный

д)отсечки и насыщения

11)В линейной области полевой транзистор используется в качестве

А)усилительного элемента

Б)сопротивление

В)запирающего напряжения

Г)порогового напряжения

Д)нет правильного ответа

12)В области насыщения полевой транзистор используется в качестве

А)сопротивления

Б)порогового напряжения

В)запирающего напряжения

Г)эммитера

Д)усилительного элемента

13) Условные обозначения транзисторов с изолированным затвором следующие:   Укажите схему полевого транзистора с индуцированным каналом п-типа

1)А

2)б

3)в

4)г

5)д

6)е

14) Условные обозначения транзисторов с изолированным затвором следующие:   Укажите схему полевого транзистора со встроенным каналом р-типа

1)А

2)б

3)в

4)г

5)д

6)е

15) Условные обозначения транзисторов с изолированным затвором следующие:   Укажите схему полевого транзистора с индуцированным каналом п-типа

1)А

2)б

3)в

4)г

5)д

6)е

16) Условные обозначения транзисторов с изолированным затвором следующие:   Укажите схему полевого транзистора со встроенным каналом п-типа

1)А

2)б

3)в

4)г

5)д

6)е

1. Тиристор это прибор со сколькими p-n переходами

А) 2

Б) 1

В) 2 и более

Г) 4

+Д) 3 и более

2. Формула для анализа тока проходящего через динистор

+А) I=I/1-(α1- α2)

Б) I=I/2

В) I=I/(α1- α2)

Г) I=I/α2

Д) I=I/α1

3. Когда будет закрыт динистор

А) Если огромный ток большенапряжения

Б) Если малый ток меньше сопротивления

+В) Если малый ток больше сопротивления

Г) Если сопротивлениебольше тока

Д) Нет правильного ответа

4. Когда будет открыт динистор

А) Огромный ток, большое сопротивление

+Б) Огромный ток, маленькое сопротивление

В) Малый ток, маленькое напряжение

Г) Огромный ток, большоенапряжение

Д) Нет правильного ответа

5. Динистор. От чего зависит α1 иα2

+А) От напряжения между катодом и анодом

Б) От напряжения накатоде

В) От напряжения на аноде

Г) От сопротивления

Д) Нет правильного ответа

6. На сколько видов делятся тиристоры

А) 1

Б) 3

+В) 2

Г) 6

Д) 4

7. Сколько устойчивых состояний имеет тиристор

+А) 2

Б) 1

В) 3

Г) 6

Д) 4.

7. Какие электроды имеет тиристор

А) Анод и катод

Б) Анод и управляющий электрод

В) Катод и управляющий электрод

+Г) Анод, Катод и Управляющий Электрод.

Д) Нет правильного ответа

8. Сколько электродов имеет тиристор

А) 2

Б) 1

+В) 3

Г) 6

Д) 4.

9. Чем управляется тиристор

+А) Током

Б) Напряжением

В) Сопротивлением

Г) Током и напряжением

Д) Сопротивлением и током

10. Прибор с одним управляющим электродом называют

+А) Триодным тиристором или тринистором

Б) Симистором

В) Динистором

Г) Диодным тиристором

Д) Нет правильного ответа

11. Прибор без управляющих электродов называется

+А) Диодным тиристором или динистором

Б) Симистором

В) Триодным тиристором

Г) Триаком

Д) Нет правильного ответа

12. Симметричныйтринистор называется

+А) Симистором или триаком

Б) Динистором

В) Триодным тиристором

Г) Диодным тиристором

Д) Нет правильного ответа

13. (ВАХ) с участком отрицательного дифференциального сопротивления имеет

+А) Тиристор

Б) Тринистор

В) Транзистор

Г) Симистор

Д) Динистор

14. Полупроводниковый прибор с двумя устойчивыми состояниями, имеющий три или больше взаимодействующих выпрямляющих перехода

А) варикап

Б) транзистор

В) стабилитрон

+Г) тиристор

Д) фоторезистор

15.КПД современных тиристоров достигает?

А) 50%

Б) 75)

+В) 90%

Г) 99%

Д) 25%

16.Двухэлектродный прибор диодного типа, имеющий три p-n перехода

А) тринистор

+Б) динистор

В) симистор

Г) тиристор

Д) транзистор

17. Тиристор на схемах обозначается как

А) а Б) б В) в + Г) г Д) нет правильного обозначения

18. На каком из графиков представлена вольт-амперная характеристика (ВАХ) тиристора?

А) а Б) б В) в Г) г

19. Анодом тиристора называют электрод присоединенный к

А) внутреннему п-слою

Б) внешнему п-слою

В) внутреннему р-слою

+Г) внешнему р-слою

20. Современные тиристоры изготавливают для токов 

А) до 100мкА                     Б) 100мкА-1мА                + В) 1мА-10кА                       Г) 10кА-100кА

21. Для включения тиристора на управляющий электрод подаётся электрический импульс (в)

А) силой выше определенного значения и любой длительности; Б) любой силы и определенной длительности; +В) определенной силы и длительности; Г) любой величины и длительности.

22. Структура симистора изображена на схеме

А) а +Б) б В) в Г) г

23. Полупроводниковый прибор, предназначенный для коммутации в цепях переменного тока и используемый для создания реверсивных выпрямителей

+А) симистор

Б) динистор

В) тринистор

Г) транзистор

Д) тиристор

24. На каком их графиков представлена вольт-амперная характеристика (ВАХ) симистора?

А) а Б) б +В) в Г) г

25. Катодом тиристора называют электрод присоединенныйк

а) внутреннему п-слою

+б) внешнему п-слою

в) внутреннему р-слою

г) внешнему р-слою

26. Сколько слоев имеет полупроводниковая структура симистора ?

А) 2

Б)3

В)4

+Г)5

Д)6

27. На сколько типов делятся тиристоры по способу управления?

+А) 2

Б) 3

В)4

Г)5

28. К неуправляемому тиристору относится

+А) диодный тиристор

Б) триодный тиристор

В) симметричный тиристор

29. К управляемому тиристору относится:

А) диодный тиристор

+Б) триодный тиристор

В) симметричный тиристор

30. Пропускает ток в обоих направлениях

А) динистор

Б) тринистор(триодный тиристор)

+В) симистор

Г) биполярный транзистор

Д)полевой транзистор

31. Скорость нарастания прямого тока в современных тиристорах достигает

А)10^6 А/с

Б)10^7 А/с

В)10^8 А/с

+Г) 10^9 А/с

Д) 10^10 А/с

АбдрахмановАлихан РЭТ 210 энерго

1.Емкость которую измеряют между выводами варикапа при заданном обратном напряжении:

а)температурная

б)номинальная *

в)добротная

г)минимальная

д)полная

2.Емкость диода при максимально допустимом обратном напряжении:

а)минимальная *

б)полупроводниковая

в)максимальная

г)номинальная

д)частичная

3. Функция, зависящая как от приложенного к варикапу напряжения, так и от частоты сигнала в регулируемом контуре:

а)коэффициент емкости

б)сопротивление

в)проводимость

г)ток

д)добротность *

4.Полупроводниковые диоды, в которых используется барьерная емкость p-n-перехода:

а)полевой транзистор

б)биполярный транзистор

в)варикап *

г)туннельный диод

д)диод Шотке

5. Варикапы представляют собой диоды, которые используются при...

а)прямом напряжении

б)максимальном напряжении

в)минимальном значении сопротивления

г)резонансе

д)обратном напряжении *

6. Отношение максимальной ёмкости варикапа к его минимальной ёмкости при двух заданных значениях обратного напряжения:

а)коэффициент перекрытия по ёмкости *

б)коэффициент перекрытия по сопротивлению

в)температурный коэффициент

г)коэффициент перекрытия по напряжению

д)номинальный коэффициент

7. При каком напряжении варикап имеет максимальное значение емкости:

а)максимальном

б)минимальном

в)нулевом *

г)резонансном

д)2 В

8. Какие две составляющие имеет емкость р-n перехода варикапа:

а)емкостную и диффузиозную

б)емкостную и барьерную

в)барьерную и дисперсионную

г)барьерную и диффузиозную *

д)емкостную и дисперсионную

9. Из какого обычно материала изготавливают варикапы:

а)кремний *

б)натрий

в)металл

г)арсенид натрия

д)плутоний

10. По какой формуле определяется барьерная емкость p-n-перехода варикапа:

а)C=eSd

б)C=feSd

в)C=eUd

г)C=ee(нулевое)Sd *

д)C=Ue(нулевое)Sd

11. Температурный коэффициент ёмкости это:

а) относительное изменение ёмкости варикапа, приходящееся на один градус изменения температуры окружающей среды *

б) относительное изменение сопротивления варикапа, приходящееся на один градус изменения температуры окружающей среды

в) абсолютное изменение ёмкости варикапа, приходящееся на один градус изменения температуры окружающей среды

г) относительное изменение ёмкости диода, приходящееся на один градус изменения температуры окружающей среды

д) абсолютное изменение сопротивления варикапа, приходящееся на один градус изменения температуры окружающей среды

12. Сколько элементов содержит условное обозначение варикапа:

а)1

б)2

в)3

г)4

д)5 *

1. Биполярный транзистор – это:

1. Полупроводниковый прибор, имеющий 2 электрода и 1-м или несколько р-н переходов

2. П/п диод, р-н переход которого работает в режиме лавинного пробоя

3. п/п прибор, имеющий 3 электрода и 2 взаимодействующих р-н перехода

4. п/п прибор с 2-мя устойчивыми состояниями, имеющий 3(или более)выпрямляющих перехода

5. двухэлектродный прибор диодного типа, имеющий 3 р-н перехода

2. Сколько режимов работы биполярного транзистора существует:

1. 4

2. 6

3. 3

4. 2

5. 5

3. В активном режиме:

1. Оба перехода включены в прямом направлении

2. Эмиттерный переход включен в прямом направлении, коллекторный-в обратном

3. Коллекторный режим включен в прямом направлении,эмиттерный –в обратном

4. Оба перехода включены в обратном направлении

5. Эмиттерный переход включен в прямом направлении, коллекторный-не включен

4. В режиме насыщения:

1. Оба перехода включены в прямом направлении

2. Эмиттерный переход включен в прямом направлении, коллекторный-в обратном

3. Коллекторный режим включен в прямом направлении,эмиттерный –в обратном

4. Оба перехода включены в обратном направлении

5. Эмиттерный переход включен в прямом направлении, коллекторный-не включен

5. В инверсном активному режиме:

1. Оба перехода включены в прямом направлении

2. Эмиттерный переход включен в прямом направлении, коллекторный-в обратном

3. Коллекторный режим включен в прямом направлении,эмиттерный –в обратном

4. Оба перехода включены в обратном направлении

5. Эмиттерный переход включен в прямом направлении, коллекторный-не включен

6. В режиме отсечки:

1. Оба перехода включены в прямом направлении

2. Эмиттерный переход включен в прямом направлении, коллекторный-в обратном

3. Коллекторный режим включен в прямом направлении,эмиттерный –в обратном

4. Оба перехода включены в обратном направлении

5. Эмиттерный переход включен в прямом направлении, коллекторный-не включен

7. Коллекторный режим включен в прямом направлении,эмиттерный –в обратном в режиме:

1. Активном

2. Насыщения

3. Инверсном

4. Отсечки

5. Пассивном

8. Эмиттерный и коллекторный переходы включены в прямом направлении в режиме:

1. Активном

2. Насыщения

3. Инверсном

4. Отсечки

5. Пассивном

9. Эмиттерный переход включен в прямом направлении, коллекторный-в обратном в режиме:

1. Активном

2. Насыщения

3. Инверсном

4. Отсечки

5. Пассивном

10. Эмиттерный и коллекторный переходы включены в обратном направлении в режиме:

1. Активном

2. Насыщения

3. Инверсном

4. Отсечки

5. Пассивном

11. Биполярный транзистор изготавливают из:

1. Кремния, германия, арсенида галлия

2. Кремния, бронзы, германия

3. Германия, серебра, олова

4. Олова, алюминия, меди

5. Серебра, германия, меди

12. Биполярные транзисторы предназначены для:

1. Коммутации цепей переменного тока

2. Для выпрямления тока высокой частоты

3. Работы в импульсных режимах

4. Генерации, усиления и преобразования сигналов электромагнитной природы

5. Работы на частотах до 10кГц

13. Лавинные транзисторы предназначены для:

1. Формирования мощных импульсов наносекундного диапозона

2. Стабилизации постоянного напряжения

3. Регуляции оптического излучения

4. Выпрямления больших токов

5. Коммутации цепей переменного тока

14. Отличие двух эмиттерного модуляторного транзистора:

1. Очень высокий коэффициент передачи тока

2. Очень низкий коэффициент передачи тока

3. Малое входное сопротивление

4. Большое входное сопротивление

5. Конструктивное объединение двух транзисторных структур

15. Транзистор Дармингтона(сплавной) обладает:

1. Очень высокий коэффициент передачи тока

2. Очень низкий коэффициент передачи тока

3. Малое входное сопротивление

4. Большое входное сопротивление

5. Конструктивное объединение двух транзисторных структур

16. формула для нахождения:

1. Коэффициента передачи тока

2. Статического Коэффициента передачи тока

3. Дифференциального входного сопротивления

4. Входного сопротивления

5. Коэффициента усиления

17. формула для нахождения:

1. Коэффициента передачи тока

2. Статического Коэффициента передачи тока

3. Дифференциального входного сопротивления

4. Входного сопротивления

5. Коэффициента усиления

18. Значение частоты для низкочастотных биполярных транзисторов:

1. От 30 до 300 МГц

2. Более 300 МГц

3. От 3 МГц до 30 МГц

4. Не более 3 МГц

5. Не более 1 МГц

19. Значение частоты для высокочастотных биполярных транзисторов:

1. От 30 до 300 МГц

2. Более 300 МГц

3. От 3 МГц до 30 МГц

4. Не более 3 МГц

5. Не более 1 МГц

20. Значение частоты для сверхвысокочастотных биполярных транзисторов:

1. От 30 до 300 МГц

2. Более 300 МГц

3. От 3 МГц до 30 МГц

4. Не более 3 МГц

5. Не более 1 МГц

21. Значение частоты для среднечастотных биполярных транзисторов:

1. От 30 до 300 МГц

2. Более 300 МГц

3. От 3 МГц до 30 МГц

4. Не более 3 МГц

5. Не более 1 МГц

22. Сколькими способами можно включить биполярный транзистор в схему:

A. 4

B. 3

C. 5

D. 6

E. 2

23. Какая схема включения изображена на рисунке

:

A. С общим коллектором

B. Cобщим резистором

C. С общей базой

D. С общим эмиттером

E. С общей отсечкой

24. Какая схема включения изображена на рисунке

:

A. С общим коллектором

B. Cобщим резистором

C. С общей базой

D. С общим эмиттером

E. С общей отсечкой

25. Какая схема включения изображена на рисунке

:

A. С общим коллектором

B. Cобщим резистором

C. С общей базой

D. С общим эмиттером

E. С общей отсечкой

26. Что из перечисленного не относится к основным параметрам биполярного транзистора:

A. Входное сопротивление

B. Выходная проводимость

C. Н-параметр

D. Циклическая частота

E. Максимально допустимый ток

27. Биполярные транзисторы используют как:

A. Усилители, каскады усиления

B. Делители напряжения

C. Делители тока

D. Выпрямители тока

Е. Преобразователи

28. Где изображен биполярный транзистор:

A.

B.

C.

D.

E.

29. На каком рисунке изображена ВАХ биполярного транзистора:

A.

B.

C.

D.

E.

30. Максимально допустимый ток коллектора I_{к макс}:

A. Более 500 А

B. До 100 А и более

C. Менее 10 мА

D. 220 мкА

E. 1 ГА

1)Полупроводниковые диоды, в которых вследствие туннельного эффекта проводимость при обратном напряжении значительно больше, чем при прямом, а пиковый ток и ток впадины приблизительно равны:

а)варикап

б)туннельные

в)стабилитроны

г)диоды Шотки

+д)обращенные

2)Условное графическое обозначение обращенного диода:

+а)

б)

в)

г)

д)

3)время переключения обращенного диода не превышает:

+а)1нсек

б)3сек

в)5нсек

г)10сек

д)3нсек

4)достоинства обращенного диода:

а) малое рабочее напряжение

б) быстродействие

в) высокая крутизна характеристики

г) высокая экономичность

+д)все ответы верны

5)где применяются обращенные диоды:

а)в смесителях

б)в детекторах

в)а и б

г)в вычислительных устройствах

+д)все ответы верны

6)пределы максимального обратного рабочего напряжения:

а)от 0,5 до 0,9 В

б)от 1 до 3 В

+в) от 0,1 до 0,7 В

г)от 0,1 до 0,4 В

д)от 1 до 5 мВ

7)Какой диод имеет при малых напряжениях (десятки мВ) проводимость в обратном направлении больше, чем в прямом:

а)светодиоды

б)фотодиоды

в)варикап

+г)обращенные

д)СВЧ диоды

8)Обращенные диоды являются разновидностью:

+а)туннельных

б)лавинных

в)варикапов

г)Фотодиодов

д)правильного ответа нет

9)Пределы величины туннельного тока обращенного диода:

+а) 1Р = — 0,5 — 0,01 ма

б)1Р=­— 0,1 — 0,04 ма

в) 1Р= ­— 0,2 — 0,03 ма

г) 1Р= ­— 0,1 — 0,1ма

д) 1Р=­— 0,5 — 0,02 ма

10)Концентрация примесей обращенного диода по сравнению с туннельным:

+а)меньше

б)больше

в)равна

г)в зависимости от температуры

д)правильного ответа нет

Операционные усилители

1. В каком диапазоне частот работают современные операционные усилители?

А) от нуля до десятков мегагерц

Б) от нуля до десятков герц

В) отминус бесконечности до плюс бесконечности мегагерц

Г) отминус бесконечности до нуля мегагерц

Д) от десятков доплюс бесконечности мегагерц

2. Операционные усилители первоначально предназначались?

А) для выполнения усилений в электрических цепях

Б) для выполнения математических операций над аналоговыми сигналами

В)для выполнения математических операций над цифровыми сигналами

Г)для выполнения усиления над цифровыми или аналоговыми сигналами

Д) ответы а и б верны

3. Идеальный операционный усилитель должен обладать каким из следующих свойств?

А) Бесконечно большой коэффициент усиления по напряжению при разомкнутой петле обратной связи.

Б) Бесконечно большое входное и нулевое выходное сопротивления

В) Отсутствие линейных и нелинейных искажений

Г) Равенство нулю выходного напряжения при нулевом и синфазном входном напряжении

Д) все ответы верны

4. Параметры, описывающие качество ОУ:

А) точностные, динамические, эксплуатационные и надежностные

Б) точностные, статистические, эксплуатационные и надежностные

В)динамические,точностные,надежностныеи качество

Г)эксплуатационные, динамические, точностные и бытовые

Д)динамические, эксплуатационные и надежностные

5. К точностным параметрам ОУ относятся:

А) входной ток, частота единичного усиление, напряжение смещение нуля и др.

Б) разность входных токов по инвертирующему и неивертирующему входам, время установления и др.

В) частота единичного усиления, частота среза, входной ток и др.

Г) коэффициент усиления, коэффициент ослабления синфазного сигнала

Д) частота среза, частота единичного усиления, время установления и др

6. Для каких параметров сигнала можно разделить параметры характеризующие быстродействие ОУ?

А) среднего и высокого

Б) низкочастотного и высокочастотного

В) малого и большого

Г) малого и среднего

Д) низкого и среднего

7. К первой группе динамических параметров относятся:

А) выходное напряжение, мощностная полоса пропускания

Б) частота среза, частота единичного усиления, время установления

В) частота единичного усиления, выходное напряжение

Г) мощностная полоса пропускания, частота среза

Д) время установления, выходное напряжение, частота среза

8. Ко второй группе динамических параметров относятся

А) выходное напряжение, мощностная полоса пропускания

Б)мощностная полоса пропускания, частота среза

В)время установления, выходное напряжение, частота среза

Г)частота единичного усиления, выходное напряжение

Д)частота среза, частота единичного усиления, время установления

9. Интегральные ОУ общего назначения представляют собой

А) универсальные, многофункциональные усилители

Б) специфические, маленькие усилители

В) усилители, в которых сниженная мощность

Г) многофункциональные и устаревшие усилители

Д) обычный ОУ

10. Чем отличаются реальные схемы современных ОУ друг от друга?

А) схемами каскадов

Б) технологией их изготовления

В) параметрами

Г) ответы а, б и в верны

Д) верны лишь ответы а и в

11. Какая структура положена в основу ОУ?

А) двухкаскадная структура

Б) четырехкаскадная структура

В) трёхкаскадная структура

Г) пятикаскадная структура

Д) используют структуры всех видов

На рисунке дана схема измерения коэффициента усиления ОУ. Что в этой схеме обозначается буквами ДК?

А) входной каскад

Б) промежуточный каскадный усилитель

В) выходной каскад

Г) дифференциальный усилитель

Д) ответы а и д верны

13. Для чего предназначен дифференциальный усилитель в ОУ?

А) для подавление синфазных помех

Б) он не используется в операционных усилителях

В) для того чтобы усиливать синфазные помехи

Г) в качестве промежуточных каскадов

Д) для смещение напряжение

14. Что предназначаются для выполнения различных операций, как с аналоговыми так и с цифровыми электрическими сигналами?

А) Операционные усилители

Б) Интегральные микросхемы

В) Интегральные усилители

Г) Дифференциальные усилители

Д) Иместрирующий усилитель

15. Полупроводниковый прибор, предназначенный дляусиление напряжения и обеспечивающий выполнение различный операций по преобразованию аналоговых электрических сигналов это

А) Операционный усилитель

Б) Дифференциальный усилитель

В) Операционный преобразователь

Г) Интегральный усилитель

Д)Интегральные микросхемы

16. Типовой ОУ это

А) дифференциальный усилитель с очень высоким коэффициентом усиления

Б) дифференциальный усилитель с очень низким коэффициентом усиления

В)интегральный усилитель с очень высоким коэффициентом усиления

Г)интегральный усилитель с очень низким коэффициентом усиления

Д)прибор с очень высоким коэффициентом усиления

17. Какой выход имеют большинство ОУ?

А) односторонний

Б) биполярный

В) полевой

Г) разного входа и выхода

Д) какой вход такой и выход

18. Как можно получить неинвертирующий усилитель?

А) путем изъятие из цепи сопротивление

Б) путем добавление в цепь еще одно сопротивление

В) путем заземление входного сопротивление

Г) путем заземление чего либо

Д) при изменение фазы инвертирующего усилителя

1. На какие группы делятся полупроводниковые диоды?

А) Выпрямительные и специальные

B) Плоскостные и точечные

C) Сплавные, диффузионные и эпитаксиальные

D) Сплавные и точечные

E) Эпитаксиальные и плоскостные

2) Для чего предназначены выпрямительные диоды?

A) Для преобразования переменного тока в постоянный

B) Для стабилизации напряжения

C) Для коммутации в цепях переменного тока

D) Для регулирования электрической мощности

E) Для усиления сигнала

3) Как называются выпрямительные диоды большой мощности?

A) Силовыми

B) Импульсными

C) Сплавными

D) Туннельными

E) Идеализированными

4) Зависимость тока через p-n-переход от падения напряжения на полупроводниковом диоде описывается:

A) Уравнением Эберса-Молла

B) Законом Ома

C) Законом Кирхгофа

D) Н-параметром

E) Уравнением Шотки

5) Как называется низкоомная область диодов?

A) Эмиттер

B) База

C) Коллектор

D) Электрод

E) Затвор

6) Какой материал применяется для изготовления выпрямительного диода?

A) Кремний или арсенид галлия

B) Диоксид кремния

C) Криптонит

D) Амальгама кадмия

E) Адамантий

7) Какой диод используется для выпрямления малых напряжений высокой частоты?

A) Диод Шотки

B) Выпрямительный диод

C) Стабилитрон

D) Тиристор

E) Импульсный диод

8) Сколько выводов имеет полупроводниковый прибор?

A) 2

B) 3

C) 4

D) 1

E) 0

9) Конструктивно выпрямительные диоды делятся на:

A) Плоскостные и точечные

B) Сплавные и диффузионные

C) Диффузионные и эпитаксиальные

D) Плоскостные и диффузионные

E) Точечные и эпитаксиальные

10) Как называется высокоомная область полупроводникового диода?

A) База

B) Эмиттер

C) Коллектор

D) Электрод

E) Затвор

1.Петля обратной связи- это…

А) контур образованный усилительным трактом и цепью

Б) замкнутый контур образованный усилительным трактом и цепью

В) контур образованный усилительным трактом и цепью обратной связи

Г) замкнутый контур образованный усилительным трактом и цепью обратной связи

Д)замкнутый контур образованный усилительным трактом

2. коэффициент передачи тока по обратной связи определяется по формуле:

А) Т=β*(K*)

Б) K=Iвых/Iвх

В) β=Uост/Uвых

Г)K*=Uвых/Eс

Д)K*=(K*)/(1-β *K)

3. системы обратной связи различаются по следующим квалификационным признакам:

А) по способу взаимодействия сигналов поступающих от источника сигнала, по конструктированым особенностям

Б) по способу взаимодействия сигналов поступающих от источника сигнала, по конструктированым особенностям и способу организаций , по способу подключения цепи ОС к выходу и входу усилителя, по числу охватываемых ОС каскадов усиления

В) по конструктированым особенностям, по способу подключения ОС к выходу и входу усилителя, по числу ОС каскадов усиления

Г) по способу подключения ОС к выходу и входу усилителя, по числу ОС каскадов усиления, по способу взаимодействия сигналов поступающих от источника сигнала

Д)параллельная ОС, последовательная ОС, комбинированная ОС

4. Глубина положительной обратной связи:

А) 1-βK*

Б) 1+βK*

В) α*I

Г) βK*

Д) -βK*

5. глубина отрицательной обратной связи:

А) 1-βK*

Б) 1+βK*

В) α*I

Г) βK*

Д) -βK*

6. по способу взаимодействия сигналов поступающих от источника сигнала и по цепи обратной связи с выходом усилителя делятся на:

А)внутреннюю ОС, паразитную ОС, внешнюю ОС

Б) местную ОС, общую ОС, однопетлевую ОС, многопетлевую ОС

В) положительную ОС, отрицательную ОС, комбинированную ОС

Г) параллельную ОС, последовательную ОС, комбинированную ОС

Д) положительную ОС, отрицательную ОС

7. по конструктированым особенностям и способу организаций различают обратную связь:

А)внутреннюю ОС, паразитную ОС, внешнюю ОС

Б) местную ОС, общую ОС, однопетлевую ОС, многопетлевую ОС

В) положительную ОС, отрицательную ОС, комбинированную ОС

Г) параллельную ОС, последовательную ОС, комбинированную ОС

Д) положительную ОС, отрицательную ОС

8. по числу охватываемых обратной связью каскадов усиления, обратная связь может быть:

А)внутренней ОС, паразитной ОС, внешней ОС

Б) местной ОС, общей ОС, однопетлевой ОС, многопетлевой ОС

В) положительной ОС, отрицательной ОС, комбинированной ОС

Г) параллельной ОС, последовательной ОС, комбинированной ОС

Д) положительной ОС, отрицательной ОС

9. по способу подключения цепи обратной связи к выходу и входу усилителя различают:

А)внутреннюю ОС, паразитную ОС, внешнюю ОС

Б) местную ОС, общую ОС, однопетлевую ОС, многопетлевую ОС

В) положительную ОС, отрицательную ОС, комбинированную ОС

Г) параллельную ОС, последовательную ОС, комбинированную ОС

Д) положительную ОС, отрицательную ОС

10. при отрицательной обратной связи сдвиг фазы равен:

А) 0

Б) 90

В) 45

Г) 180

Д) 60

11. при положительной обратной связи сдвиг фазы равен:

А) 0

Б) 90

В) 45

Г) 180

Д) 60

12. коэффициент обратной связи определяется по формуле:

А) Т=β*(K*)

Б) K=Iвых/Iвх

В) β=Uост/Uвых

Г)K*=Uвых/Eс

Д)K*=(K*)/(1-β *K)

13. сквозной коэффициент усиления без обратной связи обозначается:

А) Т

Б) β

В)K

Г) α

Д) K*

14.Последовательная по входу ООС:

А) увеличивает коэффициент усиления по току устройства, уменьшает коэффициент усиления по напряжению

Б) не изменяет коэффициент усиления по току, уменьшает входное сопротивление

В) не изменяет коэффициент усиления по току, уменьшает коэффициент усиления по напряжению

Г) не изменяет коэффициент усиления по напряжению, не изменяет входное сопротивление

Е) увеличивает коэффициент усиления по напряжению, уменьшает входное сопротивление

15. Процесс передачи сигнала из последующих цепей в предыдущие называют:

А) обратной связью

Б) прямой связью

В) последовательной связью

Г) параллельной связью

Д) правильного ответа нет

16. Какая Обратная связь возникает вследствие емкостных, индуктивных и других паразитных связей между последующими и предыдущими цепями усилителя?

А) внутренняя

Б) паразитная

В) внешняя

Г) главная

Д) правильного ответа нет

17. Какая Обратная связь возникает в усилительных элементах вследствие особенностей их физических свойств и конструкций?

А) внутренняя

Б) паразитная

В) внешняя

Г) главная

Д) правильного ответа нет

18. Какая Обратная связь вводится в схему усилителя преднамеренно для улучшения или изменения его свойств в качественных показателей?

А) внутренняя

Б) паразитная

В) внешняя

Г) главная

Д) правильного ответа нет

19. Если обратная связь охватывает один каскад, её называют:

А) местной

Б) общей

В) внутренней

Г) внешней

Д) однопетлевой

20. Если обратная связь охватывает два и более каскадов, её называют:

А) местной

Б) общей

В) внутренней

Г) многопетлевой

Д) однопетлевой

21. Если усилитель имеет только одну (местную или общую) цепь обратной связи, она называется:

А) местной

Б) общей

В) внутренней

Г) внешней

Д) однопетлевой

22. Обратная связь:

А) местная, многопетлевая

Б) общая

В) внутренняя

Г) многопетлевая

Д) однопетлевая

23. Обратная связь:

А) местная

Б) общая

В) внутренняя

Г) многопетлевая

Д) однопетлевая

Классификация аналоговых электронных приборов (АЭП)

По элементарной базе: