1. Напряжение включения

2. полярность напряжения

3. прямой ток тиристора

4. обратный ток тиристора

5. прямое напряжение

18.Основными параметрами транзистора являются

1. ток катода, мощность

2. мощность и ток

3. ток, напряжение, мощность, габаритные размеры, коэффициент усиления по напряжению

4. сопротивление, напряжение стабилизации, обратное напряжение

температура, размер корпуса, количество выводов

Е) допустимые напряжения на переходах, максимальный ток коллектора, максимальная мощность коллектора, коэффициент усиления по току

19.Какой транзистор может работать только в режиме обогощения?

A) МДП-транзистор со встроенным каналом;

B) МДП-транзистор с индуцированным каналом n-типа;

C) МДП-транзистор с индуцированным каналом р-типа;

D) полевой транзистор с упавляющим р-n -переходом

E) интегральный биполярный транзистор.

20.IGBT транзистор - гибридный полупроводниковый прибор. В IGBT транзисторе используются два способа управления электрическим током. Определите эти способы?

A) управление магнитным полем и управление инжекцией носителей зарядов;

B) управление электрическим полем и управление инжекцией основных носителей зарядов;

C) управление электрическим полем и управление инжекцией неосновных носителей зарядов;

D) управление электрическим полем и управление экстракцией носителей зарядов;

E) управление электрическим полем и управление инжекцией носителей зарядов.

21.На основании какого материала изготовливается транзистор с барьером Шоттки?

A) на основе кремния;

B) на основе германия;

C) на основе арсенида-галлия;

D) только на основе арсенида;

E) только на основе галлия.

22.Какой элемент используется в качестве диэлектрика в МОП-транзисторе?

A) SiO₂;

B) GeO₂;

C) GaAs;

D) Ga;

E) As.

23.Рассчитать длину пинч-резистора 1 с R=200 кОм при напряжении на клеммах, равном нулю. Примем b=20 мкм; Δb_c=0.75 мкм; напряжение U=-2 В; R_s=17 кОм; d_k=2.4 мкм; ω=0.3 мкм; Δd_кр=0.24 мкм; d_э=1.7 мкм.

A) 153 мкм;

B) 253 мкм;

C) 353 мкм;

D) 453 мкм;

E) 553 мкм.

24.Рассчитать геометрически размеры конденсатора биполярной структуры (площадь перехода S_k и L₁) квадратного конденсатора емкостью C=55 пФ (при напряжении на переходе U=0) с напряжением пробоя U≥30 B, d_k=2.4 мкм; C₀=220 пФ/мм², U_пр≈40 B,

A) S_k =0.15 мм²; L₁≈400 мкм;

B) S_k =0.25 мм²; L₁≈500 мкм;

C) S_k =0.35 мм²; L₁≈600 мкм;

D) S_k =0.45 мм²; L₁≈700 мкм;

E) S_k =0.55 мм²; L₁≈800 мкм.

25.Что такое режим обеднение в МДП-транзисторах?

A) это процесс уменьшения числа носителей в канале;

B) это процесс увеличения числа носителей в канале;

C) это процесс уменьшения числа носителей в истоке;

D) это процесс уменьшения числа носителей в стоке;

E) это процесс уменьшения числа носителей в затворе.

26.Сколько элементов содержит ГБИС?

A) до10⁹ элементов на кристалл;

B) более 10⁹ элементов на кристалл;

C) до 10⁶ элементов на кристалл;

D) до 10⁷ элементов на кристалл;

E) до 10³ элементов на кристалл.

27.Сколько элементов содержит СБИС (сверхбольшие ИС)?

A) до10⁹ элементов на кристалл;

B) более 10⁹ элементов на кристалл;

C) до 10⁶ элементов на кристалл;

D) до 10⁷ элементов на кристалл;

E) до 10³ элементов на кристалл.

28.Сколько элементов содержит УБИС (ультрабольшие ИС)?

A) до10⁹ элементов на кристалл;

B) более 10⁹ элементов на кристалл;

C) до 10⁶ элементов на кристалл;

D) до 10⁷ элементов на кристалл;

E) до 10³ элементов на кристалл.

29.Логические элементы в микроэлектронике подразделяется на два вида – это:

A) комбинационные и последовательные;

B) комбинационные и параллельные;

C) параллельные и последовательные;

D) параллельно-последовательные и параллельные;

E) параллельно-последовательные и последовательные.

30.Что такое цифровая интегральная микросхема?

A) это микросхема, разработанная на основе базовых (в том числе матричных) кристаллов;

B) это микросхема определенного функционального назначения;

C) это микросхема предназначенная для преобразования и обработки сигналов, изменяющихся по закону дискретной функции;

D) это микросхема предназначенная для преобразования и обработки сигналов, изменяющихся по закону непрерывной функции;

E) это микросхема, разработанная на основе стандартных и (или) специально созданных элементов и узлов по функциональной схеме заказчика и предприятия.

№6

1.Как называется процесс введения примесных атомов в твердое тело путем бомбардировки его поверхности ускоренными ионами?

A) легирование полупроводников;

B) эпитаксия;

C) высокотемпературное легирование;

D) ионная имплатанция;

E) радиационно-стимулированная диффузия.

2.Какой транзистор может работать только в режиме обеднения, то есть при разной полярности входного напряжения?

A) МДП-транзистор со встроенным каналом;

B) МДП-транзистор с индуцированным каналом n-типа;

C) МДП-транзистор с индуцированным каналом р-типа;

D) полевой транзистор с упавляющим р-n -переходом

E) интегральный биполярный транзистор.

3.Фотодиод предназначен для…

А) преобразования тепла в электрический ток;

B) освещения шкалы прибора;

C) преобразования светового потока в электрический параметр;

D) получения фотографии;

E) для контроля температуры.

4.Элемент имеет надпись на корпусе "КТ201Б", это…

А) диод;

B) тиристор;

C) транзистор;

D) резистор;

E) варистор.

5.Как называется процесс введения примесей или структурных дефектов с целью направленного изменения?

A) легирование полупроводников;

B) эпитаксия;

C) высокотемпературное легирование;

D) ионная имплатанция;

E) радиационно-стимулированная диффузия.

6.В режиме насыщения у транзисторного ключа напряжение между коллектором и

эмиттером…

А) равно источнику питания;

B) очень мало;

C) равно напряжению сети;

D) равно входному напряжению;

E) отсутствует.

7.Тиристор – это полупроводниковый прибор, применяемый для…

А) усиления аналоговых сигналов;

B) для регулирования выпрямленного напряжения;

C) для стабилизации тока анода;

D) для нагрева корпуса аппарата;

E) для преобразования спектра.

8.Интегральная микросхема – это…

А) маленькое изображение схемы на дисплее компьютера;

В) наклейка на плате электронного блока;

С) полупроводниковый прибор, содержащий внутри определенное сочетание элементов, предназначенных для выполнения какой-либо функции;

D) интеграл от функции, описывающей логику функционирования схемы;

Е) цифровая запись изображения схемы.

9.Светодиод внутри своей структуры содержит…

А) полупроводник одного типа;

B) маленькую лампочку различного цвета;

С) полупроводниковый р-п переход, аналогичный обычному диоду;

D) маленькую спираль накаливания;

E) p-i-n структуру.

10.Как называется фотомеханический способ изготовления печатной формы плоской печати на заданной поверхности?

A) фотолитография;

B) электронолитография;

C) ренгенолитография ;

D) ионная литография;

E) лазерная литография.

11.Как называется высокоразрешающий метод создания топологии микроструктур с использованием электронных пучков в качестве электронного пучка?

A) фотолитография;

B) электронолитография;

C) ренгенолитография;

D) ионная литография;

E) лазерная литография.

12.Как называется процесс наращивания монокристаллических слоев вещества на подложку (кристалл), при котором кристаллографическая ориентация наращиваемого слоя повторяет кристаллографическую ориентацию подложки?

A) легирование полупроводников;

B) эпитаксия;

C) высокотемпературное легирование;

D) ионная имплатанция;

E) радиационно-стимулированная диффузия.

13.Для превращения усилителя в генератор необходимо обеспечить следующие условия:

A) большой коэффициент усиления;

B) отрицательную обратную связь;

C) баланс фаз и амплитуд;

D) высокую частоту усиления;

E) высокую мощность.

14.Биполярный транзистор содержит:

A) исток, эмиттер, коллектор

B) база, коллектор, затвор

C) сток, коллектор, затвор

D) база, эмиттер, коллектор

Е) сток, исток, затвор

15.Какая операция обозначена знаком & в выражении 1?1=1

1. операция ИЛИ-НЕ

2. операция И

3. операция ИЛИ

4. исключающие ИЛИ

5. операция НЕ

16.На резисторе нанесено обозначение 1Е3, это означает

А) резистор сопротивлением 1,3 кОм

В) резистор изготовлен в соответствии с рядом Е13

С) допуск изготовления 10 %

Д) резистор сопротивлением 1,3 Ом

Е) температурный коэффициент резистора равен 13

17.Элемент имеет надпись на корпусе "КД213Б", это…

A) транзистор;

B) германиевый диод;

C) резистор;

D) кремниевый диод;

E) конденсатор.

18.Элемент имеет надпись на корпусе "КР140УД8", это…

A) транзистор;

B) логическая микросхема;

C) аналоговая микросхема;

D) тиристор;

E) резистор.

19.Элемент имеет надпись на корпусе "1К8И", это…

A) конденсатор;

B) транзистор;

C) резистор величиной 1,8 Мом;

D) резистор величиной 1,8 кОм;

E) резистор величиной 18 кОм.

20.Биполярный транзистор – это прибор предназначенный для…

А) усиления тока;

B) для стабилизации напряжения;

C) для индикации;

D) для нагрева радиатора;

E) для воспроизведения звука.

21.В биполярном транзисторе наибольшую величину имеет…

А) ток базы;

B) ток анода;

C) ток катода;

D) ток эмиттера;

E) ток коллектора.

22.Положительным свойством полевого транзистора является…

А) малый вес;

B) большое входное сопротивление;

C) высокий уровень шума;

D) большая яркость;

E) наличие магнитного поля.

23.Индикатор на жидких кристаллах дает наилучшее изображение…

А) на морозе;

B) в темноте;

C) при ярком свете;

D) при сильной жаре;

E) при ударе.

24.Индикатор на светодиодах дает наилучшее изображение…

А) на морозе;

B) в темноте;

C) при ярком свете;

D) при сильной жаре;

E) при ударе.

25.Определите формулу коэффициента усиления полевого транзистора?

A) , при U_зи =const;

B) , при U_cи=const;

C) , при U_зи=const;

D) , при I_c =const;

E) , при U_cи=const.

26.Определите коэффициент инжекции определяющий эффективности эмиттера биполярного транзистора?

A) χ= (I_рэ+ I_nэ)/(I_рэ);

B) χ = (I_рэ+ I_nэ)/(I_рэ);

C) χ =(I_рэ)/( I_рэ+ I_nэ);

D) χ = (I_рэ)·( I_рэ+ I_nэ);

E) χ = (I_рэ- I_nэ)/(I_рэ).

27.Определите диодную модель n-p-n модель транзистора?

A)

B)

C)

D)

E) Правильные ответы В) и С).

28.Определите полный ток коллекторной цепи?

A) I_к =α ∙I_э + I_кбо;

B) I_к =α ∙I_э + I_эбо;

C) I_к =α ∙I_б + I_кбо;

D) I_к =α ∙I_э - I_кбо;

E) I_к =α ∙I_к - I_кбо.

29.Определите диодную модель р-n-p модель транзистора ?

A)

B)

C)

D)

E) Правильные ответы А) и С).

30.Определите формулу внутреннего дифференциального сопротивления полевого транзистора?

A) , при U_зи =const;

B) , при U_cи=const;

C) , при U_зи=const;

D) , при I_c =const;

E) , при U_cи=const.

№7

1.Однополупериодный выпрямитель содержит…

A) один диод;

B) два диода;

C) четыре диода;

D) два диода и стабилитрон;

E) три диода.

2.Двухполупериодный выпрямитель со средней точкой содержит…

A) четыре диода;

B) три диода;

C) два диода;

D) один диод;

E) стабилитрон.

3.Мостовая схема выпрямителя содержит…

A) два диода;

B) четыре диода;

C) один диод;

D) два светодиода;

E) два стабилитрона.

4.Частота пульсаций на выходе однополупериодного выпрямителя равна…

A) частоте сети;

B) удвоенной частоте сети;

C) половине частоты сети;

D) учетверенной частоте сети;

E) 50 Гц.

5.Частота пульсаций на выходе двухполупериодного выпрямителя равна…

A) половине частоты сети;

B) частоте сети;

C) удвоенной частоте сети;

D) учетверенной частоте сети;

E) 100 Гц.

6.Конденсатор фильтра, подсоединенный к выходу выпрямителя, служит для…

А) уменьшения выходного напряжения выпрямителя;

B) увеличения выходного напряжения;

C) сглаживания пульсаций и увеличения выходного напряжения;

D) стабилизации выходного напряжения;

E) увеличения внутреннего сопротивления.

7.Основным параметром усилителя напряжения является…

A) коэффициент усиления по мощности;

B) коэффициент шума;

C) коэффициент усиления по напряжению;

D) выходное напряжение;

E) потребляемая мощность.

8.Элемент имеет надпись на корпусе "КС133", это :

1. стабилитрон

2. транзистор

3. логическая микросхема

4. аналоговая микросхема

5. резистор

9.В усилителе, работающем в классе "В", рабочая точка выбирается из условия усиления…

A) всего сигнала;

B) верхней половины одной из полуволн сигнала;

C) одной полуволны сигнала;

D) минимального сигнала;

E) частоты сигнала.

10.Усилитель работает в классе "А". При одинаковых параметрах рабочей точки, какая из схем обладает более высоким входным сопротивлением?

A) схема на транзисторе n-p-n, с общим эмиттером и смещением рабочей точки фиксированным напряжением и резистором в цепи эмиттера;.

B) схема на транзисторе p-n-p, с общим эмиттером и смещением рабочей точки фиксированным током;

C) схема на транзисторе n-p-n, с общим эмиттером и смещением рабочей точки фиксированным напряжением;

D) схема на транзисторе p-n-p, с общим эмиттером смещением рабочей точки фиксированным напряжением;

E) схема на транзисторе n-p-n, с общим коллектором.

11.Определите условное обозначение транзистора n-типа со встроенным каналом?

А)

B)

C)

D)

E)

12.В полевых транзисторах используются управление током с помощью электрического поля и определите какими способами осуществляется это управление?

A) только с помощью р-n перехода;

B) с помощью р-n перехода и с помощью изолированного электрода;

C) только с помощью изолированного электрода;

D) с помощью изолированного затвора;

E) с помощью изолированного стока и истока.

13.В МДП-транзисторе технологическом путем можно создать канал, соединяющий исток со стоком. И как называется такой транзистор?

A) транзистор с индуцированным каналом р-типа;

B) транзистор с индуцированным каналом n-типа;

C) транзистор со встроенным каналом;

D) транзистор с управляющим р-n переходом;

E) ответы А) и В).

14.Определите условное обозначение транзистора р-типа со встроенным каналом?

А)

B)

C)

D)

E)

15.Многоэмиттерном транзисторе число эмиттера достигает...

A) от 3 до 8

B) от 3 до 9

C) от 3 до 10

D) от 3 до 11

E) от 3 до 12

16.Определите формулу крутизны полевого транзистора?

A) , при U_зи =const;

B) , при U_cи=const;

C) , при U_зи=const;

D) , при I_c =const;

E) , при U_cи=const.

17.Светодиод – это оптоэлектронный прибор, работающий на…

A) обратной ветви ВАХ;

B) прямой ветви ВАХ;

C) на переменном токе;

D) на выходе аппаратуры;

E) на входе устройства.

18.Транзистор – это электронный прибор, содержащий…

A) два p-n перехода;

B) три вывода;

C) полупроводник р – типа;

D) полупроводник n – типа;

E) анод и катод.

19.Коэффициент усиления транзистора в схеме с общим эмиттером это…

A) отношение токов базы и эмиттера;

B) отношение токов коллектора и эмиттера;

C) отношение напряжения коллектора к току базы;

D) отношение тока коллектора к току базы;

E) произведение тока коллектора и тока базы.

20.Коэффициент усиления транзистора в схеме с общим эмиттером…

A) меньше единицы;

B) равен единице;

C) больше единицы;

D) зависит от количества нейтронов в базе;

E) равен нулю.

21.Входное сопротивление усилителя это…

A) Разность между выходным и входным током;

B) Отношение входного напряжения к выходному току;

C) Отношение выходного напряжения к входному току;

D) Отношение входного напряжения к входному току;

E) Отношение выходного напряжения к выходному току.

22.Выходное сопротивление усилителя это…

A) Разность между выходным и входным током;

B) Отношение входного напряжения к выходному току;

C) Отношение выходного напряжения к входному току;

D) Отношение входного напряжения к входному току;

E) Отношение выходного напряжения к выходному току.

23.Основными параметрами транзистора являются…

A) мощность и ток;

B) допустимые напряжения на переходах, максимальный ток коллектора, максимальная мощность коллектора, коэффициент усиления по току;

C) ток, напряжение, мощность, габаритные размеры, коэффициент усиления по напряжению;

D) сопротивление, напряжение стабилизации, обратное напряжение;

E) температура, размер корпуса, количество выводов.

24.Коэффициент усиления по напряжению это…

A) отношение напряжения источника питания к входному напряжению;

В) отношение входного напряжения к выходному;

C) разность между выходным и входным напряжением;

D) отношение выходного напряжения к входному;

E) произведение тока на напряжение.

25.Усилитель переменного тока обязательно содержит…

A) переменные конденсаторы;

B) переменные резисторы;

C) разделительные конденсаторы;

D) электролитические конденсаторы;

E) светодиоды.

26.В многокаскадном усилителе общее усиление равно…

A) произведению коэффициентов усиления отдельных каскадов;

B) сумме коэффициентов усиления отдельных каскадов;

C) разности коэффициентов усиления отдельных каскадов;

D) частному от деления коэффициента усиления последнего и первого каскадов.

E) усилению первого каскада.

27.Полевой транзистор с р-n переходом характеризуется…

A) коэффициентом усиления по току;

B) коэффициентом усиления по напряжению;

C) напряжением срабатывания и током;

D) начальным током и крутизной;

E) током анода.

28.Тиристор - это полупроводниковый прибор, содержащий…

A) базу, эмиттер и коллектор;

B) анод и катод;

C) затвор, сток и исток;

D) анод, катод и управляющий электрод;

E) одиночный р-п переход.

29.Как создаются анизотипные переходы?

A) в результате контакта полупроводника только с дырочной проводимостью;

B) в результате контакта полупроводника только с электронной проводимостью;

C) в результате контакта полупроводников с дырочной и электронными типами проводимости;

D) в полупроводнике р-типа с большей шириной запрещенной зоны;

E) в полупроводнике n-типа с большей шириной запрещенной зоны.

30.Принцип действия униполярных транзисторов основан на использовании только...

A) одного знака (электронов или дырок);

B) только электронов;

C) только дырок;

D) электронов и дырок;

E) попеременно электронов и дырок.

№8

1.Диффузия носителей заряда представляет собой...

A) направленное перемещение носителей в кристалле в сторону увеличения их концентрации;

B) направленное перемещение носителей в кристалле в сторону уменьшения их концентрации;

C) когда носители заряда перемещаются из слоя с меньшей концентрацией в слой с большей концентрацией;

D) правильные ответы А) и С);

E) правильного ответа нет.

2.Что такое монополярная диффузия?

A) это диффузия носителей одного заряда;

B) это диффузия носителей двух зарядов;

C) это диффузия только электронов, но не дырок;

D) это диффузия только дырок, но не электронов;

E) это биполярно-совместная диффузия электронов и дырок.