Экзаменационный билет № 13

1. Представление БТ четырехполюсником. Н-параметры..

2. Принцип действия тиристора. Способы включения тиристоров.

Утверждено на заседании

кафедры ___Радиоэлектроники и телекоммуникаций_______________________

Протокол № 3 от „ 31” марта 2015 года

Заведующий кафедрой РТ ____________________ ___ Гимпилевич Ю.Б. _

(подпись) (фамилия инициалы)

Экзаменатор ___________________ ___ Гусев В.А.______

( подпись) (фамилия инициалы)

Форма № Н-5.05

Севастопольский государственный университет

Образовательно-квалификационный уровень _бакалавр_______________________________

Направление подготовки ___11.03.04 – Электроника и наноэлектроника_________________

Специальность_____________________________________Семестр__6___________________

(название)

Учебная дисциплина __Актуальные проблемы твердотельной электроники_________________

Экзаменационный билет № 14

1. Влияние высокого легирования эмиттера на коэффициент усиления.

2. Принцип действия МДП транзистора с встроенным каналом. Передаточная и выходная характеристики.

Утверждено на заседании

кафедры ___Радиоэлектроники и телекоммуникаций_______________________

Протокол № 3 от „ 31” марта 2015 года

Заведующий кафедрой РТ ____________________ ___ Гимпилевич Ю.Б. _

(подпись) (фамилия инициалы)

Экзаменатор ___________________ ___ Гусев В.А.______

( подпись) (фамилия инициалы)

Форма № Н-5.05

Севастопольский государственный университет

Образовательно-квалификационный уровень _бакалавр_______________________________

Направление подготовки ___11.03.04 – Электроника и наноэлектроника_________________

Специальность_____________________________________Семестр__6___________________

(название)

Учебная дисциплина __Актуальные проблемы твердотельной электроники_________________

Экзаменационный билет № 15

1. Приборные граничные частоты f_, f_, f_т, f_max БТ.

2. Принцип действия МДП транзистора с индуцированным каналом. Пороговое напряжение.

Утверждено на заседании

кафедры ___Радиоэлектроники и телекоммуникаций_______________________

Протокол № 3 от „ 31” марта 2015 года

Заведующий кафедрой РТ ____________________ ___ Гимпилевич Ю.Б. _

(подпись) (фамилия инициалы)

Экзаменатор ___________________ ___ Гусев В.А.______

( подпись) (фамилия инициалы)

Форма № Н-5.05

Севастопольский государственный университет

Образовательно-квалификационный уровень _бакалавр_______________________________

Направление подготовки ___11.03.04 – Электроника и наноэлектроника_________________

Специальность_____________________________________Семестр__6___________________

(название)

Учебная дисциплина __Актуальные проблемы твердотельной электроники_________________