- •Содержание
- •Задание на курсовую работу
- •1. Практическая часть.
- •1.1 Выбор гти.
- •1.2 Выбор делителя частоты.
- •1.3 Выбор логического элемента 3-и.
- •1.4 Расчет таймера кр1006ви1.
- •1.7 Расчет схемы гпн.
- •1.5 Расчет одновибратора.
- •1.6 Выбор инвертора.
- •1.12 Расчет семисегментного индикатора.
- •3. Спецификация
1.12 Расчет семисегментного индикатора.
АЛС324А-индикатор цифровой одноразрядный полупроводниковый, предназначен для отображения информации в виде цифр от 0 до 9 и десятичного знака.
Сегменты индикаторов имеют общий катод. По справочным данным:
постоянное прямое напряжение ( на каждом сегменте или децимальной точке при прямом токе 20 мА) не более 2.5 В,
предельный постоянный прямой ток через сегмент 25 мА.
Рисунок 17 – Схема семисегментного индикатора АЛС324А.
Для того, чтобы обеспечить питание сегмента нам потребуется поставить цепочку, состоящую из транзистора VT3 и ограничивающий резистор R3.
При расчете резистора
R3
Uп
сегмента примем равным 2 В, а ток 20 мА.
Отсюда R3=
В качестве R3 возьмем С1-4 1 Вт, 100 Ом, 5%, Резистор углеродистый.
В качестве транзистора VT3 возьмем КТ201А.
Для того, чтобы транзистор VT3 открывался, нам потребуется больший ток, чем мы получаем на выходе из дешифратора DD6. Для этого поставим преобразователи логического уровня из КМОП в ТТЛ, собранные на микросхеме К561ПУ4 и после логический элемент 2И-НЕ, собранный на микросхеме К155ЛА8.
3. Спецификация
Обозначение |
Наименование |
Кол |
Примечание |
DD1.1,DD1.2 |
Микросхема К561ЛН2 |
1 |
|
DD2 |
Микросхема счетчик-делитель на 8 К561ИЕ9 |
1 |
|
DD3 |
Микросхема К561ЛА9 |
1 |
|
DD4 |
Микросхема двоично-десятичный счетчик К561ИЕ14 |
3 |
|
DD5 |
Микросхема дешифратор К561ИД5 |
3 |
|
DD6 |
Семисегментный индикатор АЛС324А |
3 |
|
DD7 |
Таймер КР1006ВИ1 |
1 |
|
DD8.1-DD8.3 |
Микросхема К561ЛА7 |
1 |
|
DD9 |
Микросхема компаратор 140УД20 |
1 |
|
DD10.1-DD13.3 |
Микросхема К561ПУ4 |
4 |
|
DD14.1-DD19.1 |
Микросхема К155ЛА8 |
6 |
|
Датчик |
LA 55-P |
1 |
|
|
|
|
|
|
Резисторы |
|
|
R1 |
С2-29в 0.25 Вт 3 МОм 1% |
1 |
|
R2 |
С1-4 1 Вт, 430 Ом, 5% |
1 |
|
R3 |
С1-4 1 Вт, 100 Ом, 5%, |
21 |
|
R4 |
0 Ом |
1 |
|
R5 |
С2-29в 0.125Вт 10 кОм 0.5% |
1 |
|
R6 |
С1-4 1 Вт, 20 Ом, 5% |
1 |
|
R7 |
С1-4 1 Вт, 1.2 кОм |
1 |
|
R8 |
С1-4 1 Вт, 1.5 МОм, 5% |
1 |
|
|
|
|
|
|
Конденсаторы |
|
|
C1,С2 |
К50-68, 100 мкФ, 350 В |
2 |
|
C3 |
К50-35, 47мкф х 40 В |
1 |
|
C4 |
ECAP (К50-35), 1 мкФ |
1 |
|
C5 |
Кер. чип. конд. 0603 X7R 1мкФ 16В 10%, GRM188R71C105KA12D |
1 |
|
C6 |
Кер.ЧИП конд. 0.01 мкФ 250В X7R 10% 0805 (10нф), GRM21BR72E103K |
1 |
|
|
|
|
|
|
Транзисторы |
|
|
VT1 |
КТ809А |
1 |
|
VT2 |
КП103И |
1 |
|
VT3 |
КТ201А |
21 |
|
Список используемой литературы
1. В.Л. Шило - Популярные цифровые микросхемы
2. Перельман Б.Л, Шевелев В.В. – Отечественные микросхемы и зарубежные аналоги
3.Е.А.Зельдин – Импульсные устройства на микросхемах
4.Н.В. Пароль, С.А. Кайдалов – Знакосинтезирующие индикаторы и их применение
5. http://esxema.ru/
6. http://www.chipinfo.ru/
7. http://tec.org.ru/
