- •Введение
- •Распорядок и правила безопасности при проведении лабораторных работ
- •2. Общие указания по работам и оформлению отчёта
- •3. Описание лабораторных работ
- •3.1. Изучение явления контактной коррозии металлов
- •3.2. Определение удельного электрического сопротивления и температурного коэффициента удельного электрического сопротивления металлов
- •3.3. Знакомство с диэлектрическими материалами и измерение диэлектрической проницаемости и тангенса угла диэлектрических потерь
- •3.4. Снятие основных кривых намагничивания и петель гистерезиса ферромагнитных и ферримагнитных материалов
- •Температурного коэффициента удельного электрического
- •Сопротивления и оценка теплоёмкости полупроводящего
- •Материала – эком
- •3.5. Определение удельного электрического сопротивления,
- •3.6. Определение электрической прочности воздуха и трансформаторного масла и знакомство с условиями возникновения частичных разрядов в твёрдом диэлектрике
- •3.7. Определение твёрдости материалов
- •4. Основные понятия и определения
- •4.1. Общие пояснения
- •4.2. Удельное электрическое сопротивление
- •4.3. Контактное сопротивление
- •4.4. Температурный коэффициент
- •4.5. Теплоотдача
- •4.6. Теплоёмкость
- •4.7. Диэлектрическая проницаемость
- •4.8. Диэлектрические потери
- •Построение векторной диаграммы для параллельной схемы замещения
- •4.9. Электрическая прочность диэлектриков
- •4.10. Частичные разряды в диэлектриках
- •4.11. Начальная кривая намагничивания
- •4.12. Петля магнитного гистерезиса и её характерные точки
- •4.13. Твёрдость материалов
- •4.14.Электрохимическая коррозия металлов
- •Список литературы
- •Сведения о полупроводящих материалах п2.1. Электропроводность полупроводников и слабопроводящих материалов
- •П2.2 Резистивные материалы
- •Сведения о титане
- •Сведения о твёрдости материалов
3.4. Снятие основных кривых намагничивания и петель гистерезиса ферромагнитных и ферримагнитных материалов
Цель работы
Целью работы является изучение магнитных свойств, исследование с помощью осциллографа процессов намагничивания и и размагничивания, экспериментальное получение основной кривой намагничивания магнитных материалов и построение зависимости магнитной проницаемости материала от напряженности магнитного поля.
Методы измерений
Основной характеристикой магнитного материала является петля гистерезиса. Существует два метода снятия петли гистерезиса магнетиков - статический и динамический. Статический метод позволяет исследовать кривые намагничивания с помощью баллистического гальванометра.
Динамический метод позволяет произвести измерение магнитной индукции в образцах. Магнитную индукцию удобно определять с помощью ЭДС, возникающей при изменении магнитного потока Φ в катушке, намотанной на образец. В соответствии с законом электромагнитной индукции значение ЭДС – «Е» пропорционально скорости изменения магнитного потока «Ф»:
(1)
Пусть катушка плотно охватывает образец, и индукция «В» в образце однородна. В этом случае
,
(2)
где N2 число витков в измерительной катушке, а S площадь витка.
Подставляя это значение Φ в формулу (1), после интегрирования найдём
(3)
Таким образом, для определения B нужно проинтегрировать ЭДС, наведённую меняющимся магнитным полем в измерительной катушке, намотанной на магнитопровод из исследуемого магнитного материала.
Для интегрирования сигнала применяют разного рода интегрирующие схемы. Простейшая из них состоит из соединённых последовательно резистора R и конденсатора C (рис. 3.6). Схема выполняет своё назначение, если сопротивление R резистора заметно превышает ёмкостное сопротивление конденсатора (если выходной сигнал много меньше входного). При выполнении этого условия ток в цепи пропорционален входному напряжению, а напряжение на ёмкости C:
(4)
Этот вывод тем ближе к истине, чем меньше характерное время процесса (например, его период) по сравнению с постоянной времени τ = RC.
Обозначив параметры интегрирующей ячейки через R и C, выразим индукцию B с помощью формул (3) и (4) через
(5)
Описание лабораторной установки. Применяемая в работе схема приведена на рисунке 3.6.
Рис. 3.6. Схема лабораторной установки
Подлежащий исследованию сердечник из магнитного материала снабжается намагничивающей и измерительной обмотками. Необходимое значение намагничивающего тока устанавливается регулятором. Напряжение с шунта r, установленного в цепи тока намагничивания, подается на пластины горизонтального отклонения электронного осциллографа; отклонение луча по горизонтали в каждый данный момент будет пропорционально намагничивающему току и соответственно напряженности поля Н. Благодаря интегрирующей цепочке RC мгновенное значение падения напряжения на конденсаторе С пропорционально мгновенному значению индукции в образце. Это напряжение подается на пластины вертикального отклонения осциллографа, и на экране получается изображение кривой гистерезисного цикла.
В работе исследуются магнитопроводы двух трансформаторов. Трансформатор Т1 имеет магнитопровод из листов горячекатаной электротехнической стали. Трансформатор Т2 имеет кольцевой магнитопровод из феррита.
В таблице 1 приведены параметры магнитопроводов и катушек этих трансформаторов.
Таблица 1
Параметры трансформаторов с исследуемыми магнитопроводами
|
Трансформатор Т1 |
Трансформатор Т2 |
Материал магнитопровода |
Электротехническая сталь |
Феррит маргацево-цинковый |
Размеры магнитопровода |
высота 56 мм |
диаметр внешний 28 мм |
|
ширина 64 мм |
Диаметр внутренний 16 мм |
|
толщина 24 мм |
толщина 9 мм |
|
ширина сердечника 16 мм |
|
Сечение магнитопровода |
S=384 мм2 |
S=54 мм2 |
Длина магнитной линии |
l=152 мм |
l=69 мм |
Число витков |
N1 = 180, N2 = 1980 |
N1 = 10, N2 = 33 |
Параметры RC-цепочки |
R = 100 кОм, С = 4 мкФ |
R = 4,7 кОм, С = 0,075 мкФ |
Частота измерения |
50 Гц |
5 кГц |
Сопротивление шунта r |
10,2 Ом |
10,2 Ом |
На панели установки размещены (рис 3.7):
Исследуемые образцы 6, осциллограф 1, регулятор тока в первичной обмотке трансформатора 2, переключатель объектов измерения 3, , тумблеры «Питание генератора» 4 и «Сеть» 5.
Рис. 3.7 Панель установки для исследования магнитных материалов
Методические указания
В начале измерений необходимо убедиться в нулевом положении регулятора тока 2. Затем включается питание установки тумблером «Сеть»5 и включается питание осциллографа кнопкой, расположенной на панели осциллографа 1. В исходном положении экран включённого осциллографа показан на рис. 3.8.
Рис 3.8. Исходное положение экрана осциллографа
Включается питание генератора тумблером «Питание генератора» 4 и переключателем 3 выбирается исследуемый образец (Т1 или Т2). Для каждого образца необходимо произвести переключения в осциллографе.
В положении переключателя 3 «Т1»:
- нажать кнопку ЗАП/ВЫЗ на осциллографе
- выбрать ячейку памяти «М1» последовательным нажатием кнопки F3 (поз. 9 на рис 3.7);
- нажать кнопку «Вызов» (поз. 10 на рис 3.7);
- нажать кнопку «Измерения» на осциллографе (поз. 8 на рис 3.7).
После проведения этих операций в правой части экрана появятся окна измеряемых напряжений (см. рис 3.9). При измерениях регистрируются амплитуды сигналов в вольтах - Vamp, отображаемые в верхней клетке правой части экрана: 1-амплитуда по оси «х» - Ux, 2- амплитуда по оси «у» - Uy. Этим амплитудам соответствуют координаты конечной точки петли гистерезиса (см. рис 3.9)
Рис 3.9 Экран осциллографа при измерениях
При включённом генераторе и нулевом положении регулятора тока в центре экрана осциллографа светится точка. При этом в верхней клетке правой части экрана значения напряжений по обеим осям равны нулю. При увеличении тока с помощью регулятора 3 на экране появляется петля гистерезиса. Необходимо выставить такое положение регулятора, при котором значения напряжений минимальны, но не равны нулю. Эти напряжения записываются как первый результат.
В работе следует снять не менее 10 показаний, постепенно увеличивая ток в первичной обмотке трансформатора. При этом большее количество точек должно приходиться на начальные петли гистерезиса (3-4 точки) и на область насыщения. При последнем измерении надо зарисовать предельную петлю гистерезиса.
Напряженность поля, магнитная индукция в сердечнике и магнитная проницаемость материала рассчитываются по формулам:
B =
0
H
По полученным данным необходимо построить основную кривую намагничивания и зависимость (H). Отметить на рисунке с предельной петлей гистерезиса индукцию насыщения, коэрцитивную силу и остаточную индукцию.
Значения коэрцитивной силы, индукции насыщения, остаточной индукции, начальной и максимальной магнитной проницаемости сравниваются со справочными значениями.
После проведения измерений на образце Т1 необходимо отключить питание генератора тумблером 4 и переключить режим измерения с Т1 на Т2
В положении переключателя 3 «Т2»:
- нажать кнопку ЗАП/ВЫЗ на осциллографе
- выбрать ячейку памяти «М2» последовательным нажатием кнопки F3 (поз. 9 на рис 3.7);
- нажать кнопку «Вызов» (поз. 10 на рис 3.7);
- нажать кнопку «Измерения» на осциллографе (поз. 8 на рис 3.7).
Повторить и обработать измерения в том же порядке, что и для образца Т1.
Контрольные вопросы:
Какие материалы относятся к магнитным?
Каково магнитное строение у ферромагнетиков?
Каково магнитное строение у ферримагнетиков?
Что такое «электротехническая сталь»?
Что такое «феррит»?
Что такое «Начальная кривая намагничивания» и «Основная кривая намагничивания»?
Что такое «начальная магнитная проницаемость» и «максимальная магнитная проницаемость»?
Что такое магнитный гистерезис?
Что означает насыщение ферромагнетика?
Что такое «индукция насыщения»?
Что такое коэрцитивная сила?
Что такое остаточная индукция?
В чем причина образования остаточной магнитной индукции в ферромагнетиках.
Чем отличаются магнитомягкие и магнитотвердые материалы?
Где применяются магнитомягкие и магнитотвердые материалы?
Какие Вы знаете виды магнитных потерь?
В чем различие потерь на вихревые токи и потерь на перемагничивание?
Как связана петля гистерезиса с затратами энергии на перемагничивание ферромагнетиков?
Что такое «температура Кюри»?
