4. Заключение

Традиционные методы механического и химико-механического полирования не позволяют достичь требуемого уровня шероховатости поверхности, так как минимальный диаметр абразивной частицы в этом случае должен быть равен диаметру молекул вещества.

Необходимый уровень шероховатости поверхности позволяет обеспечить метод ионно-плазменного полирования, особый интерес представляет методы ионно-лучевого полирования.

Современное состояние данной области и экспериментальные результаты свидетельствуют о перспективности применения методов ионно-лучевого полирования для обработки оптических материалов из ситалла с целью уменьшения шероховатости поверхности. Исходя из физического принципа, используемого при ионно-лучевом полировании, можно получать поверхности с высокой степенью химической чистоты не привнося нарушений в поверхностный слой.

Наиболее перспективными на сегодняшний день являются метод ионно-лучевой полировки с ионной планаризацией рельефа в едином вакуумном цикле.

Список источников

1. Е.А. Митрофанов, М.Э. Яковлев. Исследование микротвердости упрочняющих тонкопленочных покрытий из карбида кремния. «Вакуумная техника, материалы и технология». Материалы Х Международной научно-технической конференции. Под редакцией доктора технических наук, профессора С.Б. Нестерова. М.: НОВЕЛЛА. 2015, с.11-15.

2. Оптические кристаллические материалы: Каталог. НИТИОМ ВНЦ «ГОИ им. С. И. Вавилова». – Л., 1991.

3. Лаймен Дж. Пути обеспечения малых размеров элементов СБИС – Электроника, 1999, №14.

4. Ивановский Г.Ф., Петров В. И. Ионно-плазменная обработка материалов – М.: Радио и связь, 1986.

5. Качалов Н. А. Технология полировки и шлифовки кварцевого стекла – М.: Издательство АН СССР, 1978.

6. Бутяев В.И. Высокопроизводительное полирование пластин диэлектриков – Синтетическое алмазы, 2006, №3.

7. Курбань В.И., Скрипко Т.Т. и др. Механизмы процесса полирования алмазными пастами – Синтетические алмазы, 2001, №3.

8. Жаке П. Электролитическое и химическое полирование – Пер. с англ./ Под ред. Н. В. Осетровой. – М.: Металлургиздат, 2001.

9. Johnson G. F. and K. A. Ingersoll. Ion Polishing with the Aid of a Planarising film. – Applied Optics, 2007, v. 22, #8.

10. Carter G. Some Problems and Prospects in High erosion Yield Sputtering. – Vacuum, 1999, №1 – 10 – 11.

11. Вишнева Т. И., Ержанов Р. Ж., Зайцева Н. А. Обработка поверхности подложек для газофозной эпитаксии – Электронная техника. – Сер. Материалы, 1986, вып. 12 (185).

12. Jufan ZHANG, Bo WANG, Shen DONG. Application of atmospheric pressure plasma polishing method in machining of silicon ultra-smooth surfaces. Front. Electr. Electron. Eng. China 2008, 3(4): 480–487.

13. Jufan ZHANG, Bing LI, Bo WANG, Shen DONG. Surface Quality Improvement of Atmospheric Pressure Plasma Polishing (APPP) in Machining of Silicon Ultra-Smooth Surfaces. Journal of Advanced Mechanical Design, Systems, and Manufacturing. Vol. 6, No. 4, 2012.

14. F. Frost, R. Fechner, B. Ziberi, J. Vollner, D. Flamm, A. Schindler. Large area smoothing of surfaces by ion bombardment: fundamentals and applications. J. Phys.: Condens. Matter 21 (2009) 224026 (20pp).

15. А.И. Стогний, Н.Н. Новицкий, О.М. Стукалов. Ионно-лучевое полирование наноразмерного рельефа поверхности оптических материалов. Письма в ЖТФ, 2002, том 28, вып. 1

16. Н.Н. Андрианова, А.М. Борисов, В.В. Боровская. Исследование процесса ионно-лучевой полировки поверхности оптических деталей приборов. Прикладная физика, (2):36–39, 2012

17. Yilong Wu, Weiguo Liu, Lingxia Hang. Research on RF-generated Plasma Polishing. Physics Procedia 32 (2012) 590 – 597 1875-3892 © 2012 Published by Elsevier B.V. Selection and/or peer review under responsibility of Chinese Vacuum Society (CVS), doi: 10.1016/j.phpro.2012.03.605 18th International Vacuum Congress.

18. Yuan Tian, Weiguo Liu, Lingxia Hang. Influence of Oxygen Flow Rate on the Variation of Surface Roughness of Fused Silica during Plasma Polishing Process. Physics Procedia 18 (2011) 107–111 1875-3892 © 2011 Published by Elsevier B.V. Selection and/or peer-review under responsibility of Selection and/or peer-review under responsibility of Lanzhou Institute of Physics, China. doi:10.1016/j.phpro.2011.06.067 The Fourth International Conference on Surface and Interface Science and Engineering.

24