Vmos/mesfet/phempt

FinFET

Идея FET известна уже много лет. Наиболее ранние публикации по этой теме - это идеи Лилиенфилда (1926 г) и Хейла (1935г). - один из наиболее широко используемых типов полевых транзисторов. Это была первая конфигурация полевого транзистора, которая в дальнейшем будет совершенствоваться, что позволит использовать ее во многих областях электроники.

MOSFET - полевой транзистор на основе MOS (Metal Oxide Semiconductor - металл-окисел-полупроводник) технологии имеет много преимуществ как с точки зрения высокого входного сопротивления, так и рабочих характеристик в целом. (Vertical Metal Oxide Semiconductor) - это разновидность мощного полевого транзистора типа MOSFET, он используется в областях, где требуются средние уровни мощности. Термин Vmos также используется, чтобы описать форму V-углубления, которая вертикально внедряется в материал подложки транзистора. Разработка и внедрение транзисторов данной конфигурации дали существенные преимущества по сравнению с применением биполярных транзисторов в различных областях от мощных источников питания до усилителей и переключателей средней мощности. Они также нашли применение как быстродействующие переключатели в интегральных схемах. или UMOSFET - полевой транзистор на основе МОП технологии, также разновидность мощного полевого транзистора типа MOSFET, по конфигурации он похож на VMOS. Это - немного более поздняя разработка по сравнению с VMOS, в которой усовершенствован тот же самый основной принцип со структурой в виде «канавки» ("trench"). Эти транзисторы применяются там, где требуются достаточно высокие мощности в устройствах питания, а также как мощные транзисторы в радиотехнических устройствах. UMOSFETs в состоянии обеспечить полезную функцию во многих относительно мощных заявлениях, и в электроснабжении и как транзисторы власти RF.или Trenchgate MOS - это также технология "trench", но она обеспечивает значительное улучшение по мощности по сравнению с предыдущими МОП технологиями. Устройства TrenchMOS позволяют разработчикам электроники разработать устройства с более благоприятными условиями теплообмена при более высоких скоростях управления током при тех же самых размерах чипа.Fet или MESFET - MESFET (MEtal-Semiconductor Field Effect Transistor - металл-полупроводниковый полевой транзистор) - высокоэффективная конфигурация полевого транзистора, который используется, главным образом, в области микроволновой техники и усилителях радиодиапазона. Как правило, он изготавливается на основе арсенида галлия (аббревиатура - GaAsFET или MESFET - англ.). Эти устройства во многом схожи с FET или JFET, однако значительно их превосходят в области СВЧ, особенно для усилителей СВЧ диапазона. Основное различие между MOSFET и MESFET состоит в применении в MESFET диода с барьером Шоттки вместо оксидного слоя для изоляции затвора от канала./PHEMPT (High Electron Mobility transistor/ Pseudomorphic High Electron Mobility Transistors - транзистор с высокой подвижностью электронов/транзистор с высокой подвижностью электронов с псевдоморфным слоем), также называемый HFET или MODFET. Имеет чрезвычайно высокие характеристики в микроволновом диапазоне частот. HEMT обладает сочетанием очень низкого уровня шумов при работе на сверх высоких частотах. Соответственно, он используется при разработке высокоэффективных СВЧ устройств, где требуется обеспечить низкий уровень шумов. Следующая поколение HEMT известно как PHEMT, которые весьма активно используются в беспроводной связи и малошумящих усилителях. Транзисторы PHEMT нашли широкое применение благодаря работе при больших мощностях, низких шумах и высоких характеристиках. Это позволяет широко использовать транзисторы PHEMT типа в системах спутниковой связи различного назначения, включая прямую трансляцию телевизионных каналов через спутник, предусилителях, используемых со спутниковыми антеннами. Они также широко используются в общих системах спутниковой связи, а также радарах и микроволновых системах радиосвязи. Технология PHEMT также используется в быстродействующих аналоговых и цифровых интегральных схемах, где требуется чрезвычайно высокая скорость передачи данных.(Fin - ребро) - объемные (3D) полевые транзисторы с несколькими, как правило, тремя затворами, расположенными вокруг кремниевого канала в объемной структуре. Ширина ребер может составлять 10 - 15 нм, высота в идеальном варианте может быть в два или более раз больше. Используется во многих технологиях изготовления интегральных схем для уменьшения размеров элементов и снижения энергопотребления - преимуществ, необходимых для смартфонов, планшетов, мощных процессоров.