2 Исходные данные для расчета.

Таблица 1 – Исходные данные для расчета усилителя.

Uвых mах,В	Rн, Ом	fнм, Гц	Eпит, В	Мн
2.5	270	60	12	1.3

Исходные данные для расчета усилителя приведены в таблице 1.

Uвых mах – максимальное значение выходного напряжения, измеряется в В;

Rн – сопротивление нагрузки, измеряется в Ом;

fнм – частота нагрузки, измеряется в Гц;

Eпит – напряжение на источнике питания, измеряется в В;

Мн – допустимое значение коэффициента частотных искажений.

3 Расчет усилителя.

3.1Выбор типа транзистора.

Для выбора типа транзистора воспользуемся формулами:

Uкэ доп (1.1…1.3)* Eпит (1)

где Uкэ доп – наибольшее допустимое значение между коллектором и эмиттером, измеряется в В.

Iк доп > 2Iнм (2)

где I к доп – наибольший допустимый ток коллектора, измеряется в А;

Iнм – наибольшая возможная амплитуда тока в нагрузке, измеряется в А.

Подставим значения из таблицы 1, в формулы (1) и (2), для расчета Uкэ доп и Iк доп :

Uкэ доп 1.1*12= 13.2 В;

Iк доп = 0.019 А = 19 мА;

Из справочника выбираем транзистор структуры p-n-p. Транзистор выбираем из справочника, так чтобы Uкэ доп и Iк доп не превышали допустимых значениях выбираемого транзистора. Выбираем транзистор ГТ305А с параметрами, указанными в таблице 2.

Таблица 2 – Основные параметры транзистора ГТ305А.

Uкэ, В	Iк, мА	βmin	βmax
15	40	20	50

3.2 Расчет режима транзистора и построение нагрузочной прямой.

Режим работы транзистора определяется нагрузочной прямой на семействе выходных ВАХ для схемы с общим эмиттером.

Нагрузочная прямая строится по двум точкам: 0 – точка покоя и 1 – определяется значением напряжения источника питания Eпит. Координатами точки 1 являются ток коллектора Iк=0 и напряжением питания Eпит = 12 В. Координатами точки 0 является точка пересечения тока покоя Iко и напряжения покоя Uкэо, которые определяются по формулам:

Iко = (1.05…1.2)*Iвых = (1.05…1.2)*Iн max = (1.05…1.2)* , (3)

Uкэо = Uвых mах + ∆Uкэ = Uкм + ∆Uкэ, (4)

где Iко - тока покоя,А

Uкэо - напряжения покоя,В

∆Uкэ – напряжение на коллекторе, соответствующее области нелинейных начальных участков выходных характеристик, равное 1В для маломощных транзисторов.

Подставив данные в формулу (3) и (4), получим:

Iко = 1.2* = 1.2* = 0.011 = 11мА;

Uкэо = Uвых mах + ∆Uкэ = 2.5 + 1 = 3.5В;

Построим нагрузочную прямую на графике, изображающем семейство выходных характеристик.

Рисунок 4 – Семейство выходных вольт - амперных характеристик транзистора.

По рисунку 4 находим токи:

I = 15.5 мА, Iк max = 14.2м А, Iк m = 3.2мА, Iко = 11мА, Iк min = 7.8мА.

Напряжения:

∆Uкэ = 1 В, Uкэ mах = 12В, Uкэо =12В, , Uк m = 2.5В.