9 Блок

0901Кремний және германий диодтарының кері токтары арасындағы қатынас

1. Iкері кр>Iкері г

0902Кремний диодының германий диодынан артықшылығы

1. германий диодына қарағанда кері ток шамасы төмен

0903Германий диодының кремний диодымен салыстырғандағы кемшілігі

1. кремний диодтымен салыстарғанда кері токтың мәні жоғары

0904Германий диодының кремний диодымен салыстырғандағы артықшылығы

1. германий диодына салыстырғанда ашылу кернеуі төмен

0905Кремний диодының германий диодымен салыстырғандағы кемшілігі:

1. германий диодындағымен салыстырғанда ашылу кернеуі жоғары

0906Стабилизатордың негізгі параметрі

1. тұрақтандыру кернеуі

0907Индикациялау элементіне жататын сәуле шығаратын жартылай өткізгіштік аспап

1. светодиод

0908Температура әсерінен жартылай өткізгіште болатын заряд тасымалдаушылардың туу үрдісі

1. термогенерация

0909Реттелген немесе бейберекет қозғалыс нәтижесінде заряд тасымалдаушылардың бір-біріне қосылуы

1. рекомбинация

0910n-типті жартылай өткізгіште негізгі емес заряд тасымалдаушылар

1. кемтіктер

0911p-типті жартылай өткізгіште негізгі емес заряд тасымалдаушылар

1. электрондар

0912Өткізгіштігі әр текті екі жартылай өткізгіштердің түйіскен аймағы

1. p-n ауысу

0913Екі шығысы бар, түзеткіш жартылай өткізгіштік аспап

1. диод

0914Айнымалы токты түзетуге арналған жартылай өткізгіштік аспап

1. диод

0915Жарық әсерінен өткізгіштігі өзгеретін жартылай өткізгіштік аспап

1. фотодиод

0916Бірінші реттік сигналдардың (күшейтілген кіріс сигналдардың) көзі қалай аталады

1. датчик

0917Физикалық тегі әр түрлі өлшенетін параметрлерді электр сигналдарына айналдыратын не

1. датчик

0918Күшейткіштер күшейтілген сигналдардың тегіне қарай нешеге бөлінеді

1. 2

0919Күшейткіштер күшейтілген сигналдардың жиілігіне қарай нешеге бөлінеді

1. 3

0920Өте жіңішке жолақты күшейту үшін қандай күшейткіштер қолданылады

1. селективті

10 Блок

1001Биполяры транзистордың қолдану аясы

1. қуатты күшейту

1002Биполяры транзистордағы р-n аусыларының арасындағы аймақ

1. транзистор

2. база

3. диод

4. стержень

5. жұқа пластинка

1003Биполяры транзистордың база аймығынан өткен зарядтарды қабылдайтын сыртқы аймағы

1. транзистор

2. диод

3. эмиттер

4. стержень

5. жұқа пластинка

1004Биполяры транзисторды қосуда ортақ электродтың қайсысы екеніне қарай, қосудың мынадай тәсілдері болады

1. ортақ базамен

2. ортақ эмиттермен, ортақ коллектормен

3. ортақ коллектормен

4. Ортақ базамен, ортақ эмиттермен, ортақ коллектормен

5. ортақ базамен, ортақ коллектормен

1005Транзистордың екі p-n ауысуларының ортасындағы аймақ

1. транзистор

2. диод

3. стержен

4. жұқа пластинка

5. база

1006Биполярлы транзистор

1. өткізгіштігінің типі екі түрлі кезектесетін үш аймақтан тұратын қуатты күшейтуге арналған жартылай өткізгіштік аспап

2. өткізгіштігінің типі екі түрлі кезектесетін төрт аймақтан тұратын қуатты күшейтуге арналған жартылай өткізгіштік аспап

3. өткізгіштігінің типі екі түрлі кезектесетін екі аймақтан тұратын қуатты күшейтуге арналған жартылай өткізгіштік аспап

4. өткізгіш екі түрден тұратын аспап

5. өткізгіш үш түрден тұратын аспап

1007Транзистордың активті жұмыс істеу режимі кезіндегі кернеу төмендегідей

1. эмиттерлік ауысуда кері, коллекторлық ауысуда тура

2. эмиттерлік ауысуда тура, коллекторлық ауысуда кері

3. эмиттерлік ауысуда да, коллекторлық ауысуда кері

4. эмиттерлік ауысуда тура

5. коллекторлық ауысуда кері

1008Биполяры транзистор

1. өткізгіштігінің типі екі түрлі кезектесетін төрт аймақтан тұратын қуатты күшейтуге арналған жартылай өткізгіштік аспап

2. өткізгіштігінің типі екі түрлі кезектесетін екі аймақтан тұратын қуатты күшейтуге арналған жартылай өткізгіштік аспап

3. өкізгіштік типі кезектесіп ауысатын үш аймақтан тұрады

4. өткізгіш екі түрден тұратын аспап

5. өткізгіш үш түрден тұратын аспап

1009Биполяр транзистор немен басқарылады

1. кернеумен

2. куатпен

3. қолмен

4. токпен

5. автоматты түрде

1010База дегеніміз

1. екі n-p-n ауысуларының арасындағы аймақ

2. екі p-p-n ауысуларының арасындағы аймақ

3. екі p-n-n ауысуларының арасындағы аймақ

4. екі p-n-p ауысуларының арасындағы аймақ

5. екі p-n ауысуларының арасындағы аймақ

1011f(ν)=x1*x2 логикалық функциясының шынайы мәнді қабылдау шарты төмендегідей

1. аргументтің барлығы ақиақт мән қабылдаса

2. егер бәр дәлелдер жалған мағынаны қабылдайды

3. егер бір дәлел болсын 1 тен болса

4. бәр жағдайда

5. дұрыс жауап жоқ

1012Операциялық күшейткіштің сипаты

1. кіріс кедергісі жоғары, күшейту коэффициенті төмен

2. кіріс кедергісі жоғары, күшейту коэффициенті жоғары

3. кіріс кедергісі төмен, күшейту коэффициенті жоғары

4. кіріс кедергісі де, күшейту коэффициенті төмен

5. кіріс кедергісі төмен

1013Эмиттерлік қайталағыштың қызметі:

1. ішкі кедергісі жоғары схеманы сәйкестендіру

2. ішкі кедергісі төмен схеманы сәйкестендіру

3. ішкі кедергісі жоғары сигнал көзі мен кіріс кедергісі төмен схеманы сәйкестендіру

4. кіріс кедергісі төмен схеманы сәйкестендіру

5. кіріс кедергісі жоғары схеманы сәйкестендіру

1014Электрон мен кемтіктің кездесуі нәтижесінде еркін зарядтардың жоғалуы:

1. жаңару

2. алмасу

3. өткізгіштік

4. рекомбинация

5. жартылай өткізгіштік

1015Жартылай өткізгіште жарық әсерінен заряд тасымалдаушылардың пайда болу процессі

1. жаңару

2. алмасу

3. өткізгіштік

4. жартылай өткізгіштік

5. фотогернерация

1016Күшейткіш каскадтар неше түрлі режимде істеуі мүмкін

1. 4

2. 5

3. 1

4. 3

5. 2

1017Күшейткіш каскадтар бірнеше түрлі режимде жұмыс істеуі мүмкін

1. А,ВB,С,D

2. А,В,С,D

3. А,В,СC,D

4. А,ВС,D

5. А,CС,D

1018Көп каскадты күшейткіштің жалпы күшейту коэффициенті неге тең

1. К=K₁/K₄…K_n

2. К=K₁/K₆…K_n

3. К=K₁K₂K₃…K_n

4. К=K₁/K₅…K_n

5. К=K₁/K₃…K_n

1019Кернеулік қисаю коэффициентінің шамасы (Мж=Мт) неге тең?

1. 1,08

2. 1,8

3. 1,11

4. 1,18

5. 1,1

1020Uбэ - нің кремний транзисторлары үшін мәні

1. 1,04 В

2. 1,03 В

3. 1,02В

4. 1,01 В

5. 1,0 В

11блок

1101Операциялық күшейткіштерде күшейткіш каскадтар неше түрлі режимде істеуі мүмкін?

1. 4

2. 5

3. 1

4. 3

5. 2

1102Күшейткіш каскадтардың жұмыс режимдері:

1. А,ВB,С,D

2. А,В,С,D

3. А,В,СC,D

4. А,ВС,D

5. А,CС,D

1103Операциялық күшейткіштерде көп каскадты күшейткіштің жалпы күшейту коэффициенті неге тең?

1. К=K₁/K₄…K_n

2. К=K₁/K₆…K_n

3. К=K₁K₂K₃…K_n

4. К=K₁/K₅…K_n

5. К=K₁/K₃…K_n

1104Кернеулік қисаю коэффициентінің шамасы (Мж=Мт) неге тең?

1. 1,08

2. 1,8

3. 1,11

4. 1,18

5. 1,1

1105Uбэ - нің кремний транзисторлары үшін мәні:

1. 1,1 В

2. 1,2 В

3. 1,3 В

4. 1,4 В

5. 1,0 В

1106Электр өткізгіштігі заттың мына қасиетін сипаттайды:

1. электр тогын өткізу қасиеті

2. магниттік қасиеттерін

3. диэлектрлік қасиеттерін

4. оптикалық қасиетін

5. механикалы қасиеттерін

1107Заттың электр өткізгіштігі сандық жағынан мынамен бағаланады:

1. қызулылықпен

2. меншікті өткізгіштігімен

3. заттың салыстырмалы өткізгіштігімен

4. атомдық салмақпен

5. тығыздықпен

1108Жартылай өткізгіштің электр өткізгіштігі:

1. изоляторлардыкіне қарағанда, төмен

2. өткізгіштіктердікіне қарағанды, жоғарырақ

3. өткізгіштікінен төмен, изолятордікінен жоғары

4. өткізгіштер және изоляторлардың ортасындағы бір зат

5. өткізгіштіктердікі сияқты

1109Жартылай өткізгіштегі кемтік:

1. заряды жоқ

2. теріс заряды бар

3. электронның зарядына тең оң заряды бар

4. шамасы жағынан электронға тең оң зарядқа ие

5. шартқа байланысты оң және теріс зарядтары болады

1110Жартылай өткізгіште зарядтасымалдаудың мынадай механизмдері болады:

1. тек қана диффузия

2. тек қана дрейф

3. ток жоқ болады

4. тек қана температурадан пайда болады

5. дрейф және диффузия

1111 p-n ауысудың ВАС-ы:

1. p-n ауысудағы ток күшінің оған берілген кернеуге тәуелділігі

2. p - n – өткізгішіне деген тоқ тәуелділігі өзіне деген температураға

байланысты

3. p - n – өткізгішіне деген тоқ тәуелділігі металлдардың қоспасына байланысты

4. p - n – өткізгішіне деген тоқ тәуелділігі өзіндегі жарыққа байланысты

5. p - n – өткізгішіне деген тоқ тәуелділігі материалдарға байланысты

1112p-n ауысудағы тесілу дегеніміз:

1. үлкен температура болғанда тоқтың артуы

2. кері бағыттағы ток күшінің күрт жоғарылауы

3. қатты жарық болғанда тоқтың артуы

4. тоқтың артуы

5. тоқтың азаюы

1113Жартылайөткізгіштік диод:

1. екі p - p - n - өткізгіштіктермен және үш шығар жолдары бар шала өткізгіштің көлемі

2. бір ғана p - p - n - өткізгішпен және екі шығар жолдары бар шала өткізгіштің көлемі

3. бір p-n ауысу аймағы және екі шығысы бар жартылай өткізгіштің бөлігі

4. екі n - p - n - өткізгіштіктермен және үш шығар жолдары бар шала өткізгіштің көлемі

5. бір ғана p - n - өткізгішпен және екі шығар жолдары бар шала өткізгіштің көлемі

1114Түзеткіш диодтың қызметі

1. күшейткіштің шамасын арттыру

2. өзгергіш тоқты тұрақты тоққа өзгерту

3. тұрақты тоқты өзгергіш тоққа өзгерту

4. айнымалы токты тұрақты токқа айналдыру

5. бір полярлық тоқты екі полярлық тоққа өзгерту

1115Түзеткіш диодтың максимал рұқсат етілген параметрі:

1. күштену фазасы

2. күштену жиілігі

3. барынша көп мүмкін орта , түзу ток

4. қуаттылық фазасы

5. рұқсат етілген тура токтың орта мәні

1116Түзеткіш диод үшін рұқсат етілген параметрі:

1. p-n ауысудың кері бағыттағы кернеуі

2. 2 p-n өткізгіштерден және бір токқа тәуелді қайнарларынан тұрады

3. 2 p-n өткізгіштерден және 2 токқа тәуелді емес қайнарларынан тұрады

4. 1 p-n өткізгіштерден және 2 токқа тәуелді қайнарларынан тұрады

5. 2 p-p-n өткізгіштерден және 2 токқа тәуелді қайнарларынан тұрады

1117Түзеткіш диод үшін шекті параметрі

1. кесте түрінде көрсетілген биополярлық транзистордың шығу жолындағы тоқтың күштен тәуелділігі

2. диодтың шығаратын қуатының шекті мәні

3. график түрінде көрсетілген биополярдық транзистордың шығу жолындағы тоқтың температурадан тәуелділігі

4. күштің тампературадан тәуелділігі

5. график түрінде көрсетілген биополярдық транзистордың шығу жолындағы тоқтың күштен тәуелділігі

1118Күшейткіші қоректендіретін трансформатордың қызметі

1. кернеуді жоғарлату

2. кернеу мен қуатты төмендету

3. кернеуді төмендету

4. қуатты төмендету

5. қуатты жоғарлату

1119Шоттки диод:

1. өзгергіш тоқты тұрақты тоққа өзгертеді

2. тұрақты тоқты өзгергіш тоққа өзгертеді

3. бір полярдық тоқты екі полярдық тоққа өзгертеді

4. ауыстырып-қосуды жылдам жүзеге асырады

5. екі полярдық тоқты бір полярдық тоққа өзгертеді

1120Варикап дегеніміз

1. кесте түрінде көрсетілген биополярлық транзистордың шығу жолындағы тоқтың күштен тәуелділігі

2. график түрінде көрсетілген биополярлық транзистордың шығу жолындағы тоқтың температурадан тәуелділігі

3. күштің тампературадан тәуелділігі

4. график түрінде көрсетілген биополярлық транзистордың шығу жолындағы тоқтың күштен тәуелділігі

5. мәнін өзгертуге болатын электр сыйымдылығы

12 блок

1201Электр тогын өткізу қабілетіне қарай материалдарды неше топқа бөлуге болады

1. 3

2. 4

3. 5

4. 2

5. 6

1202Көршілес атом электронымен бірігіп ... кристалдық тор құрайды

1. сигналдың құрастырушыларының тұрақты

2. жартылай өткізгіш

3. кеңжолақты сигналдарды

4. ортажолақты сигналдарды

5. сигналдың құрастырушы

1203Электр желісінде электр тогын өткізу қабілетіне қарай материалдарды неше топқа бөлуге болады

1. 4

2. 5

3. 3

4. 2

5. 6

1204Таза жартылай өткізгіш мына шамаға сезімтал:

1. қуатқа және кернеуге

2. кернеуге

3. қуатқа

4. температураға

5. кедергіге

1205Термодатчик жасау үшін не қолданылады:

1. сигналдың құрастырушылар

2. кеңжолақты сигналдарды күшейткіштер

3. ортажолақты сигналдарды күшейткіштер

4. сигналды күшейткіштер

5. таза жартылай өткізгіш

1206Жартылай өткізгіштік диодтарды маркалағанда бірінші символ мынаны көрсетеді:

1. материал тегін

2. сигналдың құрастырушыларының тұрақтылығын

3. кеңжолақты сигналдарды

4. ортажолақты сигналдарды

5. сигналдың құрастырушыны

1207Жартылай өткізгіштік диодтарды маркалағанда екіші символ мынаны көрсетеді:

1. сигналдың құрастырушыларының тұрақтылығын

2. функционалдық қызметін

3. кеңжолақты сигналдарды

4. ортажолақты сигналдарды

5. сигналдың құрастырушыны

1208Диодтарды жасауға мына материалдар қолданылады:

1. галий арсенид

2. германий

3. кремний, германий, галий арсениді

4. кремний

5. кремний, германий

1209Транзистордағы p-n ауысулардың саны

1. бір ғана p - p - n - өткізгішпен және екі шығар жолдары бар шала өткізгіштің көлемі

2. екі n - p - n - өткізгіштіктермен және үш шығар жолдары бар шала өткізгіштің көлемі

3. бір ғана p - n - өткізгішпен және екі шығар жолдары бар шала өткізгіштің көлемі

4. екі p-n ауысу

5. бір ғана n - n - өткізгішпен және екі екі шығар жолдары бар шала өткізгіштің көлемі

1210Транзисторда мынадай шығыстар болады:

1. коллектор

2. база

3. транзистор

4. диод

5. коллектор, база, эмиттер

1211Биполяры транзисторда мынадай өткізу аймақтары болады:

1. үш өткізу аймағы

2. бір өткізу аймағы

3. екі өткізу аймағы

4. төрт өткізу аймағы

5. бес өткізу аймағы

1212Транзистордағы өткізу аймақтарының қатары мынадай болуы мүмкін

1. n-p-р

2. n-p-n

3. р-p-n

4. n-n-р

5. n-n-n

1213Транзистордағы өткізу аймақтарының қатары мынадай болуы мүмкін:

1. р-p-n

2. n-n-р

3. р-n-р

4. n-n-n

5. p-p-p

1214Транзисторды қосудың мынадай тәсілдері бар:

1. ортақ коллектормен

2. ортақ эмиттермен

3. ортақ базамен

4. ортақ базамен, ортақ эмиттермен, ортақ коллектормен

5. базамен, коллектормен

1215Транзистор жұмысы режим түрлерінің саны:

1. екі режим

2. төрт режим

3. бес режим

4. бір режим

5. үш режим

1216Эберса-Молла моделіне сәйкес транзистор дегеніміз

1. екі p-n мен екі тәуелді ток көздерінен тұрады

2. екі n-n мен екі тәуелді ток көздерінен тұрады

3. екі p-p мен екі тәуелді ток көздерінен тұрады

4. екі p-n-p мен екі тәуелді ток көздерінен тұрады

5. екі p-n-n мен екі тәуелді ток көздерінен тұрад

1217Биполярлы транзистордың ВАС-ы (Вольт-амперлік сипаттамасы):

1. биполярлы транзистордағы ток күші мен оның шығыстарындағы кернеуіне тәуелділігі

2. график түрінде берілген биполярлы трансизтордағы ток күші мен оның шығыстарындағы кернеуге тәуелділігі

3. график түрінде берілген биполярдың шығыстарындағы кернеуге тәуелділігі

4. график түрінде берілген биполярдың кернеуіне тәуелділігі

5. график түрінде тәуелділігі

1218Ортақ эмиттермен қосылған транзистордың кіріс ВАС-ы (Вольт-амперлік сипаттамасы

1. I_б=f(U_кэ)

2. U_б=f(U₂)

3. Iб=f(Uбэ)

4. U_б=f(I₃)

5. I_б=f(U_кб)

1219Ортақ эмиттермен жалғанған транзистордың шығыс ВАС-ы (Вольт-амперлік сипаттамасы

1. I_к= f(U_кэ, I_k)

2. U_кэ= f(U_кэ, I_б)

3. U_кэ= f(U_кэ, I_k)

4. Iк=f(Uкэ, Iб)

5. U_кэ= f(U_бэ, I_б)

1220База тогының статистикалық күшею коэффициенті

1. β = Iб*Iк

2. β = Iб/Iк

3. β = Iб+Iк

4. β = Iк* 2Iб

5. β=Iк/Iб