- •В.М. Абузяров Электроника
- •Содержание:
- •1. Модуль. Элементная база электроники - пк-3,5 4
- •Библиографический список 163
- •Номинальные ряды e6, e12, e24 :
- •Номинальные ряды e48, e96, e192 :
- •Усилитель напряжения на триоде
- •Тема 3:Полупроводники [4]
- •3.2.1. Схема с общей базой (об)
- •3.2.2. Схема с общим эмиттером (оэ)
- •3.2.3. Схема с общим коллектором (ок)
- •Схемы включения транзистора и коэффициент передачи по току
- •10.1.2. Триггер Шмитта
- •Цифровая электроника
- •1 Алгебра логики (алгебра Буля)
- •1.1 Основные понятия алгебры логики
- •Элементарные логические функции
- •3) Инверсия (операция "не", логическое отрицание). Обозначение элемента в схеме приведено на рис 2-3.
- •Возможны комбинированные операции. Примеры элементов,выполняющих такие действия приведены на рис.2-4.
- •4) Исключающее "или" – функция равна 1,когда только одна переменная равна 1. Обозначается значком
- •1.4.2 Минимизация с помощью диаграмм Карно
- •Таким образом, рассмотренный элемент ттл выполняет логическую операцию "и-не" ( ).
- •2.3 Параметры цифровых интегральных схем
- •3.4 Шестнадцатеричный код
- •5.3 Сумматоры Сумматор – устройство, осуществляющее операцию сложения двоичных кодов {глава 4.1} по правилам:
- •Для сложения младших разрядов кода применяется полусумматор.
- •7.2 Сдвигающий регистр
- •10.4 Умножающие цап
- •10.5 Параметры цап
- •6) Дифференциальная нелинейность (δлд) - это наибольшая по модулю разность единичного приращения (кванта) выходного напряжения qi и среднего значения этого приращения.
- •Классификация радиоволн
- •Библиографический список
1.4.2 Минимизация с помощью диаграмм Карно
Правило построения диаграммы Карно
Для n переменных заполняется прямоугольная таблица, содержащая 2n клеток так, чтобы в соседних клетках конъюнкции отличались не более, чем одним сомножителем.
Если минимизируемая функция при данном наборе переменных равна 1, то в соответствующую клетку ставится 1 (нули можно не ставить). В прямоугольной таблице единицы обводятся контурами и записывается функция в виде суммы произведений, описывающих контуры. Число клеток внутри контура 2к (1,2,4,8...).
Следует покрыть все единицы возможно меньшим числом возможно более крупных блоков. Каждому блоку сопоставляется конъюнкция, записываемая следующим образом: 1) Если блок целиком лежит в единичной области переменной хi, то она включается в конъюнкцию без инверсии, если в нулевой области, то с инверсией. 2) Если блок делится точно пополам между нулевой и единичной областями хi, то хi в конъюнкцию не включается (склеивание по хi).
Других расположений правильно выбранного блока быть не может.
Например: а) для двух переменных, заданных таблицей
б) для трех переменных:
2 Логические интегральные схемы
2.1 Представление логических переменных в электронной аппаратуре
Большинство цифровых микросхем относятся к потенциальным микросхемам, в которых сигнал на их входе представляется высоким или низким уровнем напряжения. Этим уровням соответствуют логические значения 1 и 0. Существуют два способа представления логических переменных: 1. Высокий уровень напряжения - 1, низкий - 0 (положительная логика). 2. Высокий уровень напряжения - 0, низкий - 1 (отрицательная логика).
Логические операции, выполняемые микросхемами, обычно указывают для положительной логики.
2.2 Базовые логические элементы
Разработкой каждой серии цифровых ИС начинается с базового логического элемента. Так называют элемент, который лежит в основе всех микросхем серии: комбинационных(логических), триггеров, счетчиков и др. Как правило, базовые логические элементы выполняют операции "И-НЕ" либо "ИЛИ-НЕ". Принцип построения базового элемента, способ управления его работой, напряжение питания и другие параметры являются определяющими для всех ИС данной серии. Широко распространены ИС, построенные на базовых элементах транзисторно-транзисторной логики (ТТЛ)
2.2.1 Технология ТТЛ
Базовый элемент ТТЛ (рис. 2-6) строится на основе многоэмиттерного транзистора {модуль 1 глава 1.5.1} VT1, обеспечивающего коньюнкцию входных сигналов Xi, и сложного инвертора на транзисторах VT2-:VT4, выполняющего операцию "НЕ".
Когда на все входы Xi многоэмиттерного транзистора поданы сигналы 1 (высокий потенциал, сравнимый с +E), все его эмиттерные переходы закрыты. Ток от источника через резистор R1 и коллекторный переход VT1 поступает на базу VT2. Транзистор VT2 открывается до насыщения и открывает VT4 также до насыщения. Транзистор VT3 в это время закрыт, поскольку напряжение на коллекторе открытого транзистора VT2 мало. Диод VD служит для повышения порога открывания транзистора VT3.
Рис.2-6
Базовый элемент ТТЛ
