Микроэлектронное производство в России: Список микроэлектронных производств в России:

Компания	Название фабрики	Местопо-ложение	Примерная стоимость	Начало произ-водства	Диаметр пластин, мм	Техпроцесс, нм	Производительность пластин в месяц
НПК "Технологический центр"		Зеленоград			100 мм
НИИМЭ и Микрон	Микрон	Зеленоград	~400 млн $[53]	2012	200 мм	90	3000[54]
НИИМЭ и Микрон	Микрон	Зеленоград		2009[55]	200 мм	180
НИИИС[48]		Нижний Новгород			150 мм	Маски, MEMS, СВЧ
Микран[48]		Томск		не ранее 2013	150 мм
Крокус Наноэлектроника (КНЭ)[48]		Москва (АЗЛК)	€200 млн[56]	2013	200-300 мм	90 (только MRAM слои)	2000 (к концу 2014 года)[57]
Исток[48]		Фрязино			150 мм
Ангстрем-Т[48]		Зеленоград	45 млрд. рублей[49]	05 августа 2016 года производство запущено[50].	200 мм[49]	130-110 нм[49] (возм. до 90 нм[51])	15,000[49]
Ангстрем	Линия 150	Зеленоград			150 мм	0,6 мкм (КНС/КНИ)	8000[52]
Ангстрем	Линия 100	Зеленоград			100 мм	1,2 мкм КНС	4000[52]

• «Микрон». (Местоположение: Зеленоград)

Наличие технологий: 1) 180 нм объемная технология с EEPROM 2) 250 нм кремний на изоляторе (КНИ)

3) 180 нм КНИ

4) 90 нм объемная. 5) 65 нм, на уровне тестовых кристаллов.

• «Ангстрем» (и «Ангстрем-Т»), (Местоположение: Зеленоград)

Наличие технологий: 1) 1,2 мкм кремний на сапфире (КНС)

2) 0,6 мкм, объемный кремний, кремний на сапфире, кремний на изоляторе, возможность изготовления EEPROM, BiCMOS, IGBT.

3) «Создаваемые» технологии с проектными нормами 350-250 нм. 4) «Создаваемые» технологии с проектными нормами 130, 110 и 90 нм.

• НИИ системных исследований РАН, (Местоположение: Москва)

Фабрика НИИСИ РАН находится на территории Курчатовского института в Москве и обладает технологиями с проектными нормами 500, 350 и 250 нанометров на пластинах объемного кремния и КНИ. Изначально не предназначена для крупносерийного производства и позиционируется как «исследовательская фабрика Академии наук». Большинство производимых здесь микросхем разработаны самим НИИСИ, однако фабрика работает и с внешними заказчиками, например, с воронежским НИИЭТ, который производит здесь свои радиационностойкие микроконтроллеры.

• «Интеграл», Минск

«Интеграл» разрабатывает на технологии 0,5 и 0,35 мкм на объемном кремнии и КНИ микросхемы SRAM с емкостью 1 Мбит и высокой радиационной стойкостью, а также аналоговые микросхемы. Также разработывает технологии 0,18 мкм и 0,5-0,25 мкм BiCMOS, флэш-память (единственная на территории СНГ) и FRAM.

Еще пять лет назад практически ничего этого не было, а сегодня у российских заводов есть вполне реальные возможности обеспечить микроэлектроникой собственного производства.